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自主的有效框架...
该提案描述了基于爱因斯坦De-Haas实验的布置。外部施加的磁场通过将微波功率频率降低到铁氧体芯周围的线圈，从而磁化了铁氧体芯。铁磁共振是由于Zeeman拆分对材料的宏观磁化而导致自旋进液磁矩相互作用的影响。核心在铁磁共振时达到负渗透性。由于负渗透性，铁素体将磁化点抵消到施加的直流电场上给出的铁氧体芯的一端。在某些情况下，负渗透性可能导致磁场的驱逐，导致B等于材料内部的B。这种诱发的现象与在超导体中观察到的Meissner效应有些类似。在负渗透性的情况下，负磁反应有效地将材料的内部屏蔽到外部磁场上。磁场的卷曲为零，导致移动电荷载体上等于零的净力。简介：一种有趣的科学现象，但尚未理解的是磁性。磁性材料用于许多重要的技术，从大规模发电，存储，传输电动机和发电机的高性能磁铁到纳米级上的磁性信息，包括使用SpinTronics概念的存储，逻辑和传感器设备。物质的磁性继续引起科学的好奇心和想象力。电子的自旋是磁性的基本组成部分，铁磁，铁磁和抗磁磁性材料的多样性以及磁磁性和磁磁材料的多样性是由附近电子旋转的材料中附近电子旋转的不同耦合产生的。磁性材料的特征，行为和效用受材料内部竞争相互作用引起的显微镜旋转构型的影响。外源磁，电场和光场以及光本身都会影响或修改磁化本身。这为将来的超湿，超快速和低功率微电子系统的发展打开了大门。即将到来的技术时代（IoT）时代将受到技术，经济，环境和社会的这些成就的影响[1]。
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该提案描述了基于爱因斯坦De-Haas实验的布置。外部施加的磁场通过将微波功率频率降低到铁氧体芯周围的线圈，从而磁化了铁氧体芯。铁磁共振。核心在铁磁共振时达到负渗透性。由于负渗透性，铁氧体应对施加到铁氧体芯一端的DC电场引起的磁性。在某些情况下，负渗透性可能导致磁场的驱逐，导致B等于材料内部的B。这种诱发的现象与在超导体中观察到的Meissner效应有些类似。在负渗透性的情况下，负磁反应有效地将材料的内部屏蔽到外部磁场上。磁场的卷曲为零，导致移动电荷载体上等于零的净力。
铁氧体电感器与压粉芯电感器
电感器和变压器磁芯由软磁材料制成。“软”磁材料很容易磁化和消磁，并且只有在通过改变缠绕在其周围的绕组（或“匝”）中的电流来激发这些磁芯并产生电磁场时，才会出现磁场。术语“软”表示磁场不是永久的，当电流停止时磁场就会消失。这与我们通常所说的磁铁不同。“永久”磁铁通常用于拾取或将物体附着在含铁（铁质）金属上（例如冰箱磁铁），并且无需绕组或外部刺激即可产生永久磁场。
钡铁氧体纳米颗粒浓度对...
摘要：在目前的工作中，采用共沉淀方法合成BAFE2O4纳米颗粒。通过机械混合和成型方法进行的BAFE2O4/MWCNT/EPOXY纳米复合材料的制造。制备的纳米复合材料的特征是X射线衍射，UV-VIS光谱和阻抗光谱。使用Debye Scherrer公式，发现BAFE2O4的粒径约为9.457 nm。在室温下进行纳米复合材料的阻抗光谱测量，并观察到介电常数的值随频率的增加而降低，并且介电损耗随频率的增加而增加。ecb-5（BAFE2O4的40 wt％）复合材料的介电常数的最大值，其中MWCNT的WT％保持在2。发现ECB-5复合材料的介电损耗在较低的频率下为〜0.05，并且该值随频率的增加而增加。
基于铁氧体的波导循环器和隔离器
技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱：ttid@sac.isro.gov.in 传真：079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
有效的 - 铁氧体杆天线
应使用增益，光圈和辐射抗性的概念对任何空中进行的完整分析，但这种方法在回答以下简单问题时曲折途径。“如果铁岩杆天线位于每米的强度E伏的辐射场，并且P.D.在线圈端子上是v伏特，我们如何找到适合关系的有效长度l v = le？”这是一个公平的问题，但是，从电磁理论和航空设计的文献中几乎没有得到理解。有一种相当简单的解决方案方法，该方法将在本文的后面介绍，但首先检查了更简单的结构，环或框架空中。假设一个循环与波长相比，大小很小，n圈封闭了一个平方米的区域，其平面与发射器一致。然后，传输磁场将正常通过a，如果没有从线圈中取出电流，则P.D。可以根据变化法则计算。如果磁场为h = hm sin 2trft 2trft，则链接的通量为µDAH，并且P.D.是
片式铁氧体磁珠 BLM31 SH1 Murata 标准...
储存条件 • 产品应储存在温度和湿度不会急剧变化的房间内。建议的温度范围为 -10°C 至 +40°C。建议的相对湿度范围为 15% 至 85%。将产品存放在腐蚀性气体（如硫、氯气或酸）中可能会导致可焊性变差。• 请勿将产品直接放在地板上；应将其放在托盘上，以免受到湿度或灰尘的影响。• 避免将产品存放在阳光直射、高温或振动的地方。• 请勿将产品存放在散装包装中。散装储存可能会导致产品之间或产品与其他部件之间发生碰撞，从而导致碎裂或断线。• 避免将产品裸露存放（即直接暴露在空气中）。
GHz 噪声抑制芯片铁氧体磁珠 BLM18H SN1 ...
上述外壳尺寸为典型尺寸。具体尺寸取决于订单数量。 9. ! 注意 9-1.浪涌电流 施加到产品上的浪涌电流（脉冲电流或冲击电流）超过规定的额定电流可能会导致严重故障，例如开路、因温度过高而烧毁。如果施加浪涌电流，请提前联系我们。 9-2. 应用限制 在将我们的产品用于下列需要特别高可靠性的用途之前，请与我们联系，以防止可能直接对第三方的生命、身体或财产造成损害的缺陷。 （1）飞机设备 （2）航空航天设备 （3）海底设备 （4）发电厂控制设备 （5）医疗设备 （6）防灾/防盗设备 （7）交通信号设备 （8）运输设备（汽车、火车、轮船等） （9）数据处理设备 （10）与上述用途具有相似复杂性和/或可靠性要求的用途 10. 注意事项 本产品设计为焊接安装。如需使用导电粘合剂等其他安装方法，请提前咨询我们。 10-1. 焊盘图案设计 标准焊盘尺寸（流动和回流焊接） 焊接 a b c
74271132数据夏装We-Tec-tec Snap Ferrite用安全密钥技术
该电子组件仅用于通用电子设备中的使用和开发。该产品未经授权用于尤其需要更高安全标准和可靠性标准的设备，或者有合理期望该产品未能造成严重人身伤害或死亡的设备，除非当事方已执行了专门管理此类使用的协议。此外，WürthElektronik Eisos GmbH＆Co KG产品既不设计也不旨在用于军事，航空航天，航空，航空，核控制，海底，运输，运输，预防，医疗信息，公共信息网络等。WürthElektronik Eisos GMBH＆Co kg必须告知您的专业，该阶段是由您提供的，以实现的范围。此外，必须对需要高安全性和可靠性功能或性能的电路中使用的每个电子组件进行足够的可靠性评估检查。