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用于薄膜，等离子体和表面工程
新的EQP系列包含一系列高性能四极分析仪，适合各种等离子体分析任务。具有6 mm四极杆直径的EQP-6，质量范围为300和510 AMU，并基于Hiden Triple Filter Analyzer。EQP-9提供了最广泛的质量范围选择，用于高稳定性和质量传播。提供的范围是50、300、510、1000和5000 AMU。顶级范围是旗舰EQP-20，配备了行业前20毫米杆直径四极杆和独特的可切换双RF区域模式。EQP-20设计用于超高的质量分辨率实验，例如HE和D 2分开，以及最高200 AMU的超高稳定性分析。能量范围为100 eV作为标准，1000 eV是可选的。
具有各向异性的电影中的磁性天空和bimerons ...
我们考虑局部在拓扑上是非平凡的磁纹理 - 天际，反对者和bimerons在薄的磁纤维中，具有各向异性界面dzyaloshinskii-moriya相互作用（IDMI）。我们使用微磁模拟和分析考虑来研究这些纹理的磁间结构和稳定性。Skyrmion和Antiskyrmion即使对于小各向异性，沿IDMI张量的主轴变成了椭圆形和正向。相比之下，Bimeron（抗映体）方向随着IDMI各向异性的变化而变化。取决于IDMI各向异性，Bimeron可能由涡流和抗Vortex对组成或“刺猬”状态和抗Vortex。在实验中，可以通过施加到磁纤维的菌株来诱导所考虑的IDMI各向异性。我们开发了一种现象学方法来建立菌株IDMI关系。
césar2025指南电影
摘要Sylvie Colonna（Arpajon Bean Football Club的总裁Isabelle Nanty）与JoséPinto（Didier Bourdon）重建了她的生活。一起，他们在Pontault-Combault中拥有一家葡萄牙餐厅：Le Churrasco。但业务不好。他们的儿子Manu（Paul Deby）有点失落了三十一点，梦想成为玩家经纪人。有一天，他遇到了一个掘金：孩子（Mamadou Haidara），他是一位年轻的神童，他在地面上着火了……但是，其他已经在周围的特工漫游了……在孩子们看到Galley希望召集救援的希望的Pinto，Alain Colonna（Alain Colonna），Alain Colonna（GérardLanvin），他在Theelet the tahiti静静地度过了tahiti。但足球已经改变了...所有人在一起，他们将不得不面对DZ（Kaaris），这是Biz中最有影响力的特工，一个胳膊长且声誉不佳的男人……，目的是允许Kidane整合自己的梦想俱乐部：PSG。
单晶金属膜的近距离升华
单晶金属纤维的成本效益，多功能和快速沉积对于从催化，等离子体，电化学和光电子学到模板，外延底物和集成纳米制造的广泛应用至关重要。高晶体质量通常意味着低增长率，这使得通过常规方法实现超过1 µm的厚度的挑战。我们显示了MGO底物上表面纳税单晶Au，Ag和Cufim的宽敞空间升华。我们在小于1H的厚度中证明了10 µm的厚度，同时在一系列低索引晶体膜方向上保持低5 nm RMS的表面粗糙度。我们表明，可以通过基于“视线”升华的简单模型来捕获结果，该模型可作为预测工具，并提供了讨论更广泛的潜力以及这种方法的局限性的基础。
Media Trust Films 项目协调员招聘信息
我们为慈善机构设计并提供创新且有效的培训，以便他们能够更有效地沟通，支持社区并推动社会变革。我们还为慈善机构安排媒体行业志愿者，为他们提供实际支持。同时，我们为代表性不足的人才提供技能、渠道和指导，帮助他们在媒体和创意领域发展事业。
固体薄膜 799 (2024) 140399
微转移打印 (µ TP) 是一种很有前途的技术，可用于将 III-V 材料异质集成到基于 Si 的光子平台中。为了通过增加 III-V 材料和 Si 或 SiO 2 表面之间的粘附性来提高打印产量，通常使用像苯并环丁烯这样的粘附促进剂作为中间层。在这项工作中，我们展示了在没有任何粘合剂中间层的 SiO 2 中间层上基于 InP 的试样的 µ TP，并研究了无粘合剂键合的机理。源试样是基于 InP 的试样堆栈，位于牺牲层上，该牺牲层通过使用 FeCl 3 的化学湿法蚀刻去除。对于目标，我们在 8 英寸晶圆上制造了非晶硅波导，并用高密度等离子 SiO 2 封装，并通过化学机械抛光程序进行平坦化。我们使用 O 2 等离子体激活源和目标，以增加试样和基板之间的粘附性。为了更好地理解键合机理，我们应用了几种表面表征方法。利用原子力显微镜测量了等离子体激活前后 InP 和 SiO 2 的均方根粗糙度。利用光学台阶仪估算目标晶圆上微转移印刷源试样的台阶高度。利用 InP 的拉曼峰位置映射来分析等离子体激活前后 SiO 2 上可能的应变和接触角测量值，以观察表面亲水性的变化。利用 X 射线光电子能谱分析来表征 InP 源的 P2p、In3d、O1s 以及 SiO 2 目标的 Si2p、O1s 的表面能态。我们的结果表明，无需应变补偿层，就可以通过 µ TP 直接键合 InP 试样。这样，为使用 µ TP 进行 InP 异质集成提供了一种与互补金属氧化物半导体兼容的有希望的途径。
基于Al2O3的超薄ALD膜和纳米胺，...
原子层沉积（ALD）技术使在各种技术领域中使用具有控制化学成分的共形功能涂层 - 单组分，多组分和多层结构（例如纳米胺），以修饰表面特性。可以使用超薄金属氧化物，例如作为抗腐蚀涂层，聚合物材料的功能涂层，或在全纤维状态电池（ASSB）结构中的电极/电解质界面上的涂层。我们以各个层和纳米酰胺的形式（Al 2 O 3 /Zro 2，Al 2 O 3 /ZnO）以实验测试了超薄（大约20 nm）Al 2 O 3，ZRO 2和ZnO涂层的ALD生长和性能。，我们在100-300 c的温度范围内使用了热ALD模式，在各种底物（硅，砷耐加仑）上以及使用各种氧气前体（水，臭氧）。Al，Zr和Zn的前体分别为：三甲基元素，四甲基甲基氨基（乙基甲基氨基） - 锆（IV）和二乙基。We used a number of material characterization methods and proved the possibility of controlling the thickness and refractive index of the layers (by spectroscopic ellipsometry), structure composition (by X-ray photoelectron spectroscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy), coating tightness and electrical properties (by conductive atomic force microscopy-tunneling AFM), surface topography (by tapping mode AFM）。
碳纳米管薄膜焦耳热处理
研究了不同温度下焦耳热对碳纳米管(CNT)薄膜的温度响应和材料变化。结果表明:焦耳热使CNT薄膜升温迅速,最高可达300 o C/s,且稳态温度与功率近似呈线性关系。在长期焦耳加热下,树脂浸渍的CNT薄膜可形成固化良好的CNT复合薄膜。但焦耳加热过程中薄膜温度分布不均匀,且CNT薄膜无法通过简单的压制、拉伸和浸渍等方法改变温度分布。揭示了方块电阻是影响薄膜温度分布的主要因素。此外,250 o C以下焦耳热处理导致CNT薄膜厚度增加10%,电导率降低15%。
铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率
