具有成本效益的聚合物处理方法或已经存在的解决方案的选择。如今,挤出是聚合物加工行业中最重要的技术之一[7-9]。根据ASTM D 883标准(与塑料有关的“ standard术语”)术语“ trusion”一词被定义为:‘一个过程,其中像在膜,床单,棒状棒,或无类似的形状中,通过一种连续形成的形状形成形状的形状孔(一个模具)。ISO 472标准中挤出的定义(“塑料 - 词汇y”)与ASTM D 883标准非常相似,并且指定了“ trusion”一词:‘作为一个过程,通过形状孔被强迫被强迫的加热或未加热的塑料变为连续形成的零件”。考虑到这些定义,“常规”的挤出是
计算机中的微型电子管 微型电子管早在 50 年代中期就已用于计算机或外围接口,但如今几乎找不到任何证据。由于价格昂贵,它们的使用可能仅限于机载或军用产品。当提到微型电子管时,我们必须考虑到它们包括两大类,即丝状电子管和间接加热阴极型。间接加热型只能减小体积,而丝状电子管则具有进一步的优势,即极低的功率要求和非常快的加热速度。从那时起,我开始寻找 50 年代基于微型电子管的计算机的证据。起点是雷神公司的几则广告,大约在 50 年代中期,它们提议在计算机应用中使用丝状微型电子管。
问题。 * 故障查找 自诊断故障查找系统。在 LCD 上识别故障并提出解决方案。 * 喷嘴定位 改进的喷嘴安装和移动系统。喷嘴可以非常准确地定位。 * 跳封 滚轮反转的全功能控制。防止“跳封” * 速度设置。(选项)用于临时减速的系统,以协助交叉密封。 * 上辊。(选项)用红外传感器加热,实现精确的温度控制。 * 下辊(选项)用红外传感器加热,实现精确的温度控制。 * 柱选项。(选项)小直径“鞋柱”下辊。 * 胶带送料。(选项)电动胶带送料系统。防止卷轴上的张力/阻塞。 * 点标记装置(选项)点标记引导胶带切割时间/接缝线。
该项目首次采用氧化物分子束外延 (MBE) 来生长 KTaO ₃ (KTO) 薄膜。早期生长使用 (100) SrTiO ₃ (STO) 基材进行,以尝试微调生长参数。此外,还使用了通过炉加热的 TaO ₂ 亚氧化物源和通过电子束加热的 Ta 源,并分析和比较了它们各自的薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED) 进行原位监测,以及通过原子力显微镜 (AFM) 和 X 射线衍射 (XRD) 进行生长后表征,可以在整个项目中进行表面和晶体分析。来自亚氧化物和电子束加热 Ta 源的薄膜显示出相似的晶体质量,然而,在亚氧化物生长的 KTO 表面上发现更高浓度的氧化物杂质。成功生长 KTO 后,使用稀土钪酸盐 (110) 衬底 GdScO ₃ (GSO) 和 DyScO ₃ (DSO),因为它们与 KTO 的“立方体对伪立方体”界面将分别产生理论上 0.55% 和 0.93% 的压缩应变。通过逆空间映射 (RSM),GSO 衬底在 KTO 薄膜上显示出相称的应变,而 DSO 衬底仅显示部分应变。总体而言,使用 MBE 生长 KTO 可实现高结晶质量,为 KTO 薄膜合成和铁电 KTO 分析指明了光明的未来。
摘要。这项研究的主要目的是使用Monte Carlo方法估算表面温度测量的不确定性。计算基于一组具有共同加热壁的平行微型通道中流体流动过程中传热的实验研究。使用红外热力计和K型热元同时进行加热壁表面上的温度分布。红外热成像是非接触式温度测量方法,而热元测量是接触方法(在选定点的测量)。提出并讨论了两种温度测量方法的示例结果。在计算中,使用蒙特卡洛方法来估计表面温度测量不确定性的不确定性。对蒙特卡洛模拟结果和不确定性扩散方法进行了比较分析。发现从这两种方法获得的结果是一致的。
短脉冲激光-固体相互作用为研究复杂的高能量密度物质提供了独特的平台。我们首次展示了固体密度微米级 keV 等离子体在高达 2 × 10 21 W/cm 2 的强度下被高对比度、400 nm 波长激光均匀加热的现象。X 射线发射的高分辨率光谱分析表明,在 1 µ m 的深度内均匀加热至 3.0 keV。粒子内模拟表明产生了均匀加热的 keV 等离子体,深度达 2 µ m。靶内深处的显著体积加热和高度电离离子的存在归因于少数 MeV 热电子被捕获并在靶鞘场内进行回流。这些条件使得能够区分高能量密度环境中电离势降低的原子物理模型。
在这些湿法的步骤中,使用的清洁或蚀刻流体通常会加热以提高其效率。已经开发了用于半导体制造的各种流体加热器,并且这些加热器通常是使用湿部分的流体聚合物来构建的(即加热器的一部分实际上与要加热的流体接触)。在这些应用中通常使用两种特定类型的流体聚合物:聚乙二醇(PTFE)和per fuoroalalkoxy(PFA)。ptfe在泵和阀的湿零件中广泛发现,在其他所需零件数量太小的应用中,无法证明制造PFA湿零件所需的工具成本是合理的。本文将检查每种材料的适当性,以用于半导体流体加热器的湿表面,尤其是在制造下一代微芯片上。
