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聚合物的未来：纳米技术和下一步 -
将纳米技术与聚合物整合的最令人兴奋的前景之一是机械性能的增强。纳米燃料（例如碳纳米管，石墨烯和纳米电池）可以显着提高聚合物基质的强度，韧性和弹性。例如，将碳纳米管掺入聚合物复合材料中可以创建具有与金属相当但重量的一小部分的抗拉力强度的材料。这些高级材料有望彻底改变从航空航天到汽车工程的行业。纳米技术还可以使聚合物具有优质和电导率的聚合物的发展。传统聚合物通常是绝缘剂，但是通过掺入石墨烯或金属纳米颗粒等纳米材料，研究人员可以创建更有效地进行热和电力的聚合物。此功能对于在电子设备中的应用至关重要，在该电子设备中，聚合物基材料可用于柔性电子设备，传感器和能源存储系统[3]。
电池中电池冷却系统的设计和开发
2。空间：在世界面前呈现地球之外的第二次世界大战之外，需要更轻，更省油的飞机。此外，各国将注意力转向天空及以后。1960年代的太空计划汇集了杰出的思想，将人类带入大气以外的太空。现在，需要携带人员和燃料的车辆抵抗地球的大量重力。需要可能破坏地球大气层，携带大量燃料的材料，同时使车辆内部从极端温度下降。NASA科学家为航天器选择了塑料，特别是凯夫拉尔和尼龙。层，以保护机组人员免受太空的极端温度。目前，正在进行研究，以制造可重复使用的航天器，该航天器可以重复发射，轨道，脱口机和大气再入。
通过量子自旋传感器对具有可变波矢的磁振子激发进行纳米级检测
摘要：我们报道了通过近距离氮空位 (NV) 单自旋传感器对磁性绝缘体 Y 3 Fe 5 O 12 薄膜中具有宽波矢范围的磁振子进行光学检测。通过多磁振子散射过程，激发的磁振子在 NV 电子自旋共振频率下产生波动磁场，从而加速 NV 自旋的弛豫。通过测量 NV 中心发射的自旋相关光致发光的变化，可以光学访问波矢可变至 ∼ 5 × 10 7 m − 1 的磁振子，从而为揭示磁系统中潜在的自旋行为提供了另一种视角。我们的结果凸显了 NV 单自旋量子传感器在探索新兴自旋电子材料的纳米级自旋动力学方面提供的重大机遇。关键词：量子传感、氮空位磁力仪、自旋波、磁绝缘体
Elenco macro-aree e settori ERC（ERC 评估小组）
PE3_1 固体结构、材料生长和特性 PE3_2 凝聚态物质的机械和声学特性、晶格动力学 PE3_3 凝聚态物质的传输特性 PE3_4 材料、表面、界面、纳米结构等的电子特性 PE3_5 半导体和绝缘体的物理特性 PE3_6 宏观量子现象：超导性、超流动性等 PE3_7 自旋电子学 PE3_8 磁性和强关联系统 PE3_9 凝聚态物质 - 光束相互作用（光子、电子等） PE3_10 纳米物理学：纳米电子学、纳米光子学、纳米磁性、纳米机电学等 PE3_11 介观物理学 PE3_12 分子电子学 PE3_13 无序系统的结构和动力学：软物质（凝胶、胶体、液晶等）、液体、玻璃、缺陷等 PE3_14 流体动力学（物理学） PE3_15 统计物理学：相变、噪声和波动、复杂系统模型等。PE3_16 生物系统物理学
通过铁磁EUS薄膜中的自旋seebeck效应激发的镁电流
磁绝缘子是通过利用镁电流来传播自旋信息的理想平台。但是，到目前为止，大多数研究都集中在Y 3 Fe 5 O 12（YIG）和其他一些铁磁性绝缘子上，而不是纯铁磁体。在这项研究中，我们证明了镁电流可以在EUS的薄膜中传播磁极。通过使用PT电极进行EUS的18 nm厚胶片中的局部和非局部转运测量，我们检测到由Spin Seebeck效应引起的热产生产生的镁电流。通过比较局部和非局部信号与温度（<30 K）和磁场（<9 t）的依赖性，我们确认了非局部信号的镁传输来源。最后，我们在EUSFIM（〜140 nm）中提取了镁扩散长度，这是与在同一纤维中测得的大吉尔伯特阻尼的良好对应关系。
基于...的波场多维操控
人工微结构使我们能够通过改变微结构的几何参数和排布来控制和改变波场的性质，在过去的几十年里引起了广泛的关注。基于人工微结构的一些研究领域，如超材料、超表面和声子拓扑绝缘体，已经出现了许多新颖的应用和现象。特别地，利用超表面可以在亚波长尺度上轻松实现对波场不同维度（相位、振幅、频率或偏振）的操控。在本文中，我们重点介绍了基于人工微结构的波场操控的最新发展，并从波场操控的不同维度的角度对一些重要的应用进行了分类。波场操控从一维到多维的发展趋势为研究人员实现微型化和集成化的光学和声学器件提供了有用的指导。
利用 MXene 吸收器最大限度提高太赫兹能量吸收率
THz波段。具体而言，理想的阻抗匹配情况预测吸收效率的上限为50%，其中吸收体的方块电阻是自由空间阻抗的一半（Zo/2）[2]。此外，实现整个THz波段有效带宽覆盖的一个基本标准是自由电子的弛豫时间小于15fs。尽管如此，有证据表明，基于金属、石墨烯和拓扑绝缘体开发的吸收体通常仅在较窄的THz波段范围内实现高吸收，而不是在整个所需带宽内。因此，当前的研究人员在经典直流阻抗匹配模型的指导下，集中精力筛选广泛的候选材料，以解决THz波段有效吸收较窄这一长期存在的问题。
标题：铬掺杂 V 2 O 3 中电阻开关引起的晶格收缩：莫特物理学的标志
摘要：自电子时代开始以来，人们就开始寻求更快、更小的开关，因为这种元素无处不在，是任何电子电路中调节电流的基础。莫特绝缘体是满足这一需求的有希望的候选者，因为它们在电场下会发生极快的电阻切换。然而，这种转变的机制仍存在争议。我们在原型莫特绝缘体 (V 0.95 Cr 0.05 ) 2 O 3 上进行的空间分辨 µ-XRD 成像实验表明，电阻切换与由等结构压缩相组成的导电丝状路径的创建有关，没有任何化学或对称性变化。这清楚地证明了电阻切换机制继承自带宽控制的莫特转变。这一发现可能因此促进电子学新分支——莫特电子学的发展。