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vyvgart：为神经肌肉接线充电3,4
参考：1。vyvart。处方信息。美国Inc Argenx; 2022。 2。 Wolfe Gi和Al。 J Sci Neurol 2021; 430：118074。 doi：10.1016/j.j。 连接i，Herbst R.细胞 2019：8（7（7）：671。 doi：10.3390/cell8 Howard JF Jr等。 神经病学 2019：92（23）:: 2661-IN 2673。 10.1212/wnl。 DC Roopenian，Akiles S. Nat Rev Immunol。 2007; 7（9）：715-725。 doi：10.1038/nri2155 6。 病房，do rj。 Sci Parmacol趋势。 2018; 39（10）：892-9 doi：10.1016/j.tips。 ulricts pe和。 J Clin Invest 2018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。 r al。 治疗区。 2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。 behin a，激情R. J J neuromuscul 2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-9美国Inc Argenx; 2022。2。Wolfe Gi和Al。J Sci Neurol2021; 430：118074。 doi：10.1016/j.j。连接i，Herbst R.细胞2019：8（7（7）：671。 doi：10.3390/cell8 Howard JF Jr等。 神经病学 2019：92（23）:: 2661-IN 2673。 10.1212/wnl。 DC Roopenian，Akiles S. Nat Rev Immunol。 2007; 7（9）：715-725。 doi：10.1038/nri2155 6。 病房，do rj。 Sci Parmacol趋势。 2018; 39（10）：892-9 doi：10.1016/j.tips。 ulricts pe和。 J Clin Invest 2018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。 r al。 治疗区。 2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。 behin a，激情R. J J neuromuscul 2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-92019：8（7（7）：671。 doi：10.3390/cell8Howard JF Jr等。 神经病学 2019：92（23）:: 2661-IN 2673。 10.1212/wnl。 DC Roopenian，Akiles S. Nat Rev Immunol。 2007; 7（9）：715-725。 doi：10.1038/nri2155 6。 病房，do rj。 Sci Parmacol趋势。 2018; 39（10）：892-9 doi：10.1016/j.tips。 ulricts pe和。 J Clin Invest 2018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。 r al。 治疗区。 2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。 behin a，激情R. J J neuromuscul 2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-9Howard JF Jr等。神经病学2019：92（23）:: 2661-IN 2673。 10.1212/wnl。 DC Roopenian，Akiles S. Nat Rev Immunol。 2007; 7（9）：715-725。 doi：10.1038/nri2155 6。 病房，do rj。 Sci Parmacol趋势。 2018; 39（10）：892-9 doi：10.1016/j.tips。 ulricts pe和。 J Clin Invest 2018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。 r al。 治疗区。 2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。 behin a，激情R. J J neuromuscul 2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-92019：92（23）:: 2661-IN 2673。10.1212/wnl。DC Roopenian，Akiles S. Nat Rev Immunol。2007; 7（9）：715-725。 doi：10.1038/nri2155 6。 病房，do rj。 Sci Parmacol趋势。 2018; 39（10）：892-9 doi：10.1016/j.tips。 ulricts pe和。 J Clin Invest 2018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。 r al。 治疗区。 2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。 behin a，激情R. J J neuromuscul 2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-92007; 7（9）：715-725。 doi：10.1038/nri2155 6。病房，do rj。Sci Parmacol趋势。2018; 39（10）：892-9 doi：10.1016/j.tips。 ulricts pe和。 J Clin Invest 2018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。 r al。 治疗区。 2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。 behin a，激情R. J J neuromuscul 2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-92018; 39（10）：892-9 doi：10.1016/j.tips。ulricts pe和。J Clin Invest2018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。 r al。 治疗区。 2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。 behin a，激情R. J J neuromuscul 2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-92018; 128（10）：4372-4386。 doi：10.1172/jci97911 8。r al。治疗区。2011; 7：151-160。 doi：2147/ndt.s8915 9。behin a，激情R. J J neuromuscul2018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。 mg和al。 J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-92018; 5：265-2 doi：10,3233/jnd-170294 10。mg和al。J Home Med 2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。 Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-9J Home Med2014; 275：12-26。doi：10.1111/she.12163 11。Howard JF Jr等。 Neurol Lance 2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-9Howard JF Jr等。Neurol Lance2021; 20：526-536。 doi：10.1016/s1474-4422（21）00159-9
超快速激光诱导的cofeb/mgo/cofeb磁性隧道连接的磁光响应
对超快自旋动力学的理解对于将来的超快和能量效率磁性记忆和存储应用至关重要。我们研究了COFEB/MGO/COFEB磁性隧道连接点（MTJ）的超快激光诱导的磁光反应，当时用短激光脉冲令人兴奋，这是磁性配置和泵送的函数。MTJ的超快速磁化在0.33–0.37 PS的时间尺度上迅速下降，这是由电子旋转散射和旋转转运相互驱动的。随后，通过电子– Phonon和Spin -Phonon相互作用分别以1.5-2.0和5.0–15.0 ps的时间尺度转移到电子和自旋储层的能量转移到晶格中。我们的结果表明，COFEB/MGO/COFEB的界面自旋方向可以调节自旋和声子之间的相互作用常数。这些发现提供了对MTJ接口在自旋动力学中的作用的洞察力，这将有助于Opto-Spintronic Tunnel Junction Junction堆栈设计和应用。
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
薄膜形态，电荷载体动力学和光伏性能之间的定量关系
作者的完整列表：Zhu，Weigang;天津大学化学系李，盖珀；西北大学，化学； Mukherjee，Subhrangsu；纳塔利亚国家标准和技术材料测量实验室大战； Slac，Pulse Institute； Slac Jones，Leighton；西北大学，艾略特化学甘恩；国家标准与技术研究所，物质测量实验室Kline，R。Joseph；国家标准与技术研究所，物质测量实验室Herzing，Andrew；詹娜（Jenna）SMSD Logsdon国家标准与技术研究院；西北大学，化学系弗拉格，卢卡斯；夏洛特国家标准和技术材料科学与工程实验室船尾；西北大学，瑞安（Ryan）的化学Young；西北大学，凯文化学系Kohlstedt；西北大学，乔治的化学Schatz；西北大学，院长化学DeLongchamp；国家标准技术研究所，聚合物Wasielewski，迈克尔；西北大学，费迪南德的化学系；西北大学，安东尼奥的化学Facchetti；西北大学，化学系和材料研究中心标记，托宾；西北大学，化学
III-V 多结空间太阳能电池的辐射衰减
太空中的带电粒子辐射，包括范艾伦带中捕获的质子和电子以及太阳耀斑质子，是降低太阳能电池性能的最重要因素。目前，由于两项发展，太空光伏发电正在发生重大转变：i) 新任务采用电轨道提升，将等效辐射通量提高多达十倍。ii) 四结器件在太空发电中势头强劲，这些器件采用变质生长或晶圆键合等新生长技术制造。因此，有必要了解新四结以及当前使用的三结电池在这种新环境中的退化行为。为了实现这一目标，开始了一场退化运动。三结和四结电池以及它们各自的同型电池在粒子加速器中用能量为 1 和 3 MeV 的电子和能量为 1、2 和 5 MeV 的质子进行辐照。选择的能量和通量应能代表太空中的辐射环境。对电池进行表征，以确定其电特性和特征退化曲线。为了分析退化数据，采用了位移损伤剂量法：明确引入原子位移阈值能量 T d , eff 作为拟合参数。通过这一改变，非电离能量损失通过分析计算得出。这导致单条曲线上的电子数据崩溃，而这是获得特征退化曲线所必需的。与之前的分析方法不同，不需要引入没有物理意义的额外指数。改进的分析方法已成功应用于 4J 和 3J 电池以及它们各自的同型电池的退化数据。获得了短路电流、开路电压和最大功率点功率的特征退化曲线、退化参数和原子位移阈值能量。对于 3J 电池数据的崩溃，发现阈值能量为 21 eV 的 GaAs NIEL。对于 4J 电池数据的崩溃，发现阈值能量为 25 eV 的 In 0.3 Ga 0.7 As NIEL。计算了特定电轨道提升任务的粒子环境。使用计算出的粒子环境以及确定的 4J 退化特性，根据盖玻片厚度确定了电池的退化。发现最大功率点的功率下降到 87%
RD772BJBCANFDEVB电池接线盒
NXP在以下条件下提供产品：此评估套件仅用于工程开发或评估目的。它作为样本IC预先售出的样本IC提供给印刷电路板，以使访问输入，输出和供应终端更容易。该评估板可通过通过现成的电缆将其连接到主机MCU计算机板，将其与任何开发系统或其他I/O信号一起使用。该评估委员会不是参考设计，也不是要代表任何特定应用程序的最终设计建议。应用程序中的最终设备在很大程度上取决于正确的印刷电路板布局和散热器设计，以及对供应过滤，瞬态抑制和I/O信号质量的关注。所提供的产品可能无法完成所需的设计，营销和或与制造相关的保护考虑因素，包括通常在结合产品的最终设备中发现的产品安全措施。由于产品的开放构造，用户有责任采取所有适当的电动预防措施进行电动排放。为了最大程度地降低与客户应用程序相关的风险，客户必须提供足够的设计和操作保障措施，以最大程度地减少固有或程序上的危害。有关任何安全问题，请联系NXP销售和技术支持服务。
与离子和纳米粒子金属坐标交联连接
我们提供了对双结功能性共同聚合物网络的规范介绍，该网络结合了高功能和低功能（F）动态交联连接，以赋予负载，消散和自我修复能力。这种独特的网络配置类型提供了由共价和可逆的交叉链接组成的传统双开关网络的替代方法。高F连接可以提供类似于共价交联的承重能力，同时保留自我修复和当前赋予刺激性反应性的能力，这是由高F连接物种引起的。我们使用金属配位聚合物水凝胶网络证明了该设计基序的机械性能，这些金属凝胶网络通过金属纳米颗粒（高F）和金属离子（低F）交联连接的不同比率进行动态交联。我们还展示了纳米颗粒交联聚合物的自发自组装到各向异性板上，这可能是可以推广的，用于设计具有低体积分数渗透高f网络的双结功能性网络。©2022作者。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1122/8.0000410
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
用于原位计算的双磁隧道结两位存储器和非易失性逻辑
在百亿亿次计算中，大量数据需要实时处理。传统的基于 CMOS 的计算范式遵循读取、计算和写回机制。这种方法在计算和存储数据时会消耗大量电力和时间。原位计算（在内存系统内处理数据）被视为百亿亿次计算的平台。自旋转移力矩垂直磁隧道结 (PMTJ) 是一种非易失性存储设备，具有多种潜在优势（快速读写、高耐久性和 CMOS 兼容性），有望成为下一代内存解决方案。双磁隧道结 (DMTJ) 由两个垂直排列的 PMTJ 组成。在本文中，DMTJ 不仅提供了构建独立和嵌入式 RAM 的可能性，还提供了基于 MTJ 的 VLSI 计算的可能性。介绍了一种支持非易失性逻辑计算范式的基于 DMTJ 的两位存储单元。多级单元支持高速读写两位存储单元和实时计算和存储输入数据的非易失性逻辑门。