超材料是人为设计的材料,旨在具有天然材料中未发现的电磁场的性质。各向异性超材料的电磁特性取决于方向,这为它们提供了控制传统材料无法控制波动的能力。这些属性就像在大规模影响波传播的超材料元件之间的复杂相互作用,例如分散,衰减和波浪的极化[6]。各向异性超材料由定向电导率,渗透率和介电量张量定义。与典型的各向同性材料不同,这些参数不是不变的;相反,它们是方向依赖性的,因此导致材料内部的波浪行为复杂。上述特征可以由张量表示,张量概述了多维材料波相互作用[7]。
摘要:对光与物质之间强耦合的研究是研究的重要领域。它的重点不仅源于出现众多引人入胜的化学和物理现象,而且通常是新颖和意外的,而且还源于其为新颖的化学,电子,电子和光子设备设计核心组件设计的重要工具集,例如量子,量子量,量子,量子,激光,放大器,模块化器,传感器,传感器,以及更多。已经证明了各种配置系统和光谱制度的强耦合,每个耦合均具有独特的功能和应用。从这个角度来看,我们将重点关注该研究领域的一个子区域,并讨论超材料和光子频率下的强烈耦合。超材料本身就是电磁谐振器,作为“人工原子”。我们概述了最新进步的概述,并概述了这一跨学科科学的重要和有影响力的领域中可能的研究指示。
Xinyue Wu、Yabin Jin、Abdelkrim Khelif、Xiaoying Zhuang、Timon Rabczuk 等人。拓扑表面波超材料用于稳健的振动衰减和能量收集。先进材料和结构力学,2021 年,第 1937758 页 (9)。�10.1080/15376494.2021.1937758�。�hal- 03549400�
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拓扑物理学彻底改变了材料科学,在从量子到光子系统和声音系统的不同环境中引入了物质的拓扑阶段。在此,我们提出了一个拓扑系统的家族,我们称其为“应变拓扑超材料”,其拓扑合适仅在高阶(应变)坐标转换下被隐藏和揭幕。我们首先表明,规范质量二聚体,该模型可以描述各种设置,例如电路和光学元件,等等属于该家族,在该家族中,应变坐标揭示了在自由边界处的边缘状态的拓扑非平地。随后,我们为主要支持的基塔夫链提供了一种机械类似物,该链支持拟议框架内的固定和自由边界的拓扑边缘状态。因此,我们的发现不仅扩展了拓扑边缘状态的识别方式,而且还促进了各种领域中新型的托托质材料的制造,具有更复杂的量身定制的边界。
二维超材料作为元泡沫,用于优化表面增强太阳能蒸汽发电 Lan GAO 1 , Elyes NEFZAOUI 1 *, Frédéric MARTY 1 , Xuyong WEI 2 , Stéphane BASTIDE 3 , Yamin LEPRINCE-WANG 1 , Tarik BOUROUINA 1 * 1 ESYCOM lab., Univ Gustave Eiffel, CNRS, F-77454 Marne-la-Vallée, 法国 2 西安交通大学机械工程学院, 西安, 710049, 中国 3 ICMPE, UMR 7182 CNRS-Université Paris Est Créteil, F-94320 Thiais, 法国 *通讯作者: elyes.nefzaoui@esiee.fr ; tarik.bourouina@esiee.fr 我们报道了一种新型超材料,它由超泡沫组成,经过优化,可实现高
是在神经形态计算中应用的有前途的候选者,6 - 8以及宏伟的和自旋装置。9 - 11这些系统的质量和多功能性已经为探索新兴物理学1,3并扩大其潜在应用开辟了途径。但是,由纳米图案过程产生的这些磁性纳米阵列的地形可能会带来重大挑战。一个示例是观察到的与结构相关的强相关光子散射,该散射可能会掩盖阵列中的磁顺序引起的散射。12鉴于这些系统的光子散射特性可能在信息技术应用中发挥关键作用,13或X射线跨曲面中用于操纵光子角和轨道动量的X射线跨面,12探索在开发真正的平面阵列的方法至关重要的是在材料选择和精确的空间控制方面保持灵活性。研究此类处理的另一种动机源于最近的进步,表明磁性超材料作为计算物理底物具有巨大的潜力。8,14将这些材料与CMOS技术或磁随机记忆(MRAM)架构集成的可能性突出了扩展可用制造方法的需求。15
摘要。Batio 3是钙钛矿结构的最重要功能材料之一,广泛用于电子工业中。但是,Batio 3的介电介电常数仍然相对较低,这极大地限制了其在具有巨大介电介电常数的超材料中的实际应用。在这项工作中,(Ba 100 x Sr X)(Ti 100 Y Zr Y)O 3复合陶瓷是通过实心烧结方法制造的。令人惊讶的是,(ba 100 x Sr x)(ti 100 y zr y)o 3复合陶瓷材料的介电性能分别依赖于A位置和B位置的Sr 2+和Zr 4+的占用。因此,通过调整SRTIO 3和BAZRO 3的掺杂量,介电介电常数为28287(65°C,1 kHz),以及在(ba 90 sr 10)(ba 90 sr 10)中的高分子分解强度为84.47 kV/cm,是在214%的范围内,是214%的13%and 13%,是214%的13%。 (BA 99 SR 1)(Ti 99 Zr 1)O 3复合陶瓷。此外,通过有限的元素模拟确定了介电介电常数显着增加的原因,并探索了复合陶瓷材料的分解机制。这项工作提供了一种构建高介电介电常数复合陶瓷的简便方法,即(BA 100 X SR X)(Ti 100 Y Zr Y)O 3复合陶瓷在电子和静电储能存储电容器方面具有广泛的应用前景。