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耐变异感测放大器电路的设计
摘要 在 DRAM 和 SRAM 等深亚微米存储器中，准确感测位线电压变得非常具有挑战性，因为制造工艺的固有变化导致晶体管特性失配，这带来了严重的挑战，导致电路故障和产量下降。本文解决了这些问题，并将补偿方案应用于各种感测放大器的原理图，从而对工艺引起的变化具有很高的容忍度。使用 DGFinFET 设计的原理图利用增强的自补偿技术来克服物理晶体管特性的差异。使用蒙特卡罗技术重建晶体管失配（阈值电压，V t ），表明即使在 40-50mV 的严重 V t 失配下，所提出的 CCLSA 原理图也能正确运行。将这些结果与文献中报道的相应电路进行了速度、面积和产量的比较。与未补偿的设计相比，该设计还提供了高达 20-30% 的产量，并且降低了电路和性能的复杂性。这些电路在 45nm 和 32nm 技术节点上很容易实现。关键词：补偿、工艺变化、DRAM、FinFET 感测放大器、稳健性
遗传癌的基因检测
Individual has a personal history of a Primary Solid Tumor cancer (excluding basal or squamous cell skin cancer) and at least one of the following: o A BRCA1/2 pathogenic variant was detected in tumor tissue o Tumor tissue testing demonstrated that the cancer was MSI-high or had immunohistochemical staining showing the absence of one or more mismatch repair proteins ( MLH1, MSH2, MSH6, or PMS2 ) o Individual has a Tyrer-Cuzick, BRCAPro, or Penn11 Score of 2.5% or greater for a BRCA1/2 pathogenic variant o Individual has a PREMM 5 , MMRpro, or MMRpredict Score of 2.5% or greater for having a Lynch syndrome gene mutation Individuals With No Personal History of a Primary Solid Tumor Cancer Genetic testing with a Multi-Gene hereditary cancer Panel or testing of BRCA1/2对于没有原发性实质性癌症病史（不包括基底或鳞状细胞皮肤癌）的个体，如果满足以下至少一个标准，则证明并且在医学上是必不可少的：
Havrix（乙型肝炎疫苗，灭活）患者药物信息
一种被称为子宫内膜癌（子宫内膜癌）的癌症，该癌症由实验室测试表明是不匹配修复缺陷（DMMR）或微卫星不稳定性不稳定（MSI-H），该癌症已在先前含有铂金含有治疗方案的治疗方面或之后进行。一种称为子宫内膜癌（子宫内膜癌）与卡泊肽和紫杉醇结合使用的癌症，如果癌症已经扩散在子宫（子宫）之外（子宫），并且您尚未接受过任何抗癌治疗，或者您无法通过手术或癌症恢复过癌症，并且无法通过手术或癌症进行癌症，并且在癌症的范围内恢复了癌症（D.不稳定性高（MSI-H）。
中微子振荡中量子性的有力测量
中微子振荡的量子性质将反映在有中间观察和没有中间观察的情况下中微子存活概率的不匹配上。我们提出将这种量子不匹配作为中微子振荡量子性的度量。对于两种中微子类型，它的表现必然优于 Leggett-Garg 度量。对于三种类型，我们设计了这两个度量的修改定义，这些定义适用于测量物质效应可忽略的中微子存活概率的实验。修改后的定义可用于探测与预期经典行为的偏差，即使对于状态数未知的系统也是如此。对于像 DUNE、MINOS 和 JUNO 这样的中微子实验，我们确定了这些修改后的度量可以有效探测量子性的能量。
pembrolizumab用于先前治疗的子宫内膜，胆道，结直肠，胃或小型
最终指导草案 - 用于先前治疗的子宫内膜，胆道，结直肠，胃或小肠癌的pembrolizumab，具有高度卫星的不稳定性或不匹配修复缺陷，第10页
NNI-2020-RFI-编译的回复。......
• 为了通过应变诱导的 Stranski-Krastanov 过程自发形成外延 QD，QD 材料和势垒材料之间的晶格失配必须达到一定的最小值。 • 需要紧密排列的 QD，以便孤立 QD 中通常观察到的离散能级加宽以形成微带。还需要高密度的 QD 以实现充分的吸收。为了实现所需的高密度应变 QD，几乎肯定需要某种应变平衡的 QD 超晶格结构来防止形成晶格失配诱导的穿透位错。这些缺陷会导致高度的非辐射复合，从而降低设备性能。 • 还需要 QD 和势垒材料中的载流子寿命长，以实现有效的载流子提取。
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工作流离失所：根据国际劳工组织（ILO）的说法，制造和服务等部门正在经历重复任务的自动化，从而导致潜在的工作流离失所。技能不匹配：对AI，网络安全和数据科学方面的专业知识的需求越来越大。但是，很大一部分劳动力缺乏这些专业技能，从而导致工作要求和可用人才之间的不匹配。技术采用不均匀：城市地区正在迅速采用新技术，而农村地区则落后，导致就业机会和经济增长的差异。非正式部门的挑战：构成印度经济的重要部分的非正式部门工人可能会发现由于缺乏获得培训和教育的机会而过渡到以技术为导向的就业机会。