第四届先进技术光电子和纳米材料国际会议(icONMAT 2025)将于 2025 年 2 月 11 日至 14 日在科钦科技大学举行。本次活动是前身为 OMTAT(先进技术光电子材料和薄膜)的系列活动的第四场。会议将提供一个平台来展示新材料合成和设计及其应用的最新方法,例如气体传感器、光催化、燃料电池、太阳能电池、光学、透明电子、高清显示器等。会议汇集了从事光电子材料和器件的制造、特性和建模等各个方面的科学家和工程师,讨论该领域的最新发展。我们欢迎大家参加这次科学盛会。
149. QUINZI Matteo (In Pers.) 洛桑联邦理工学院 (EPFL) 材料理论与模拟 (THEOS) 和国家新型材料计算设计与发现中心 (MARVEL)
新兴市场跨国企业(Emnes)如何能够以绿色全球价值链(GVC)与发达市场跨国企业(DMNE)进行创新和竞争?着眼于中国电动汽车(EV)行业的快速增长,我们介绍了GVC包络的新颖概念。这个概念解释了埃姆尼斯如何将战略性地整合到以DMNE为主导的GVC中,与主要供应商和合作伙伴建立合作关系,以创造协同作用并实现规模经济。通过三阶段的过程,艾恩斯不仅为全球绿色过渡做出了贡献,而且还挑战了传统的全球参与者。本文为跨国企业经理和政策制定者提供了关键的见解,强调了全球绿色过渡中竞争和协作的不断发展的动态。
小时候,我在学校图书馆的每一本太空书中都读到过有关美国国家航空航天局 (NASA) 的内容。因此,我不断幻想着 NASA 的创新思维、先进技术、科学发现和发展……“如果有一天我能去那里参观,那该有多棒啊!”七岁的我着迷不已,睁大眼睛沉思着,对那些为 NASA 的伟大、进步和成功做出贡献的人们充满了无比的钦佩。小时候的我,只在最狂野的梦想中想象着,有一天,我能成为那些为 NASA 最重要的任务做出贡献的了不起的人之一,在非常聪明和善良的韩国导师的指导下,在 N-239 纳米技术中心进行实习。每个任务都旨在以某种独特的方式协助 NASA 实现目标。由于紫外线 (UV) 辐射是导致皮肤癌的主要原因,当宇航员在缺乏大气层保护他们免受这种有害辐射的行星上探索时,监测紫外线辐射暴露变得非常重要。因此,我参与了 NASA 太空制造 (ISM) 项目,该项目旨在提供传感器和设备的按需制造,以帮助宇航员执行探索任务。3D 打印技术允许在任何时间、任何地点制造电子元件。通过这种方式,我们正在努力开发完全可 3D 打印的柔性 ZnO 紫外线传感器,供宇航员佩戴在腕带或太阳镜上。这种 3D 打印技术有可能在国际空间站 (ISS) 和其他物流复杂且昂贵的星球上按需生产。加入 NASA 绝不是一个小小的胜利。这是我人生中这个关键时刻的一个重要垫脚石,因为职业选择对我的未来至关重要。我遇到了许多了不起、鼓舞人心的人,从和我同龄的学生到非常成熟和睿智的 NASA 科学家,他们不断鼓励我追求更高的学术目标和奖学金,以期未来在科学和技术领域的职业生涯。我非常幸运能够成为美国加利福尼亚州硅谷 NASA 艾姆斯研究中心实习项目的一部分。我很自豪能够代表特立尼达和多巴哥人民,我真诚地感谢那些支持我来到这里的人,让我有这样一个特别的机会与来自印度、葡萄牙、英国、新西兰等不同国家的其他人建立联系,其中包括中国和韩国等。
摘要 本研究通过实验和数值模拟研究了双层高硬度钢复合附加装甲在 14.5 mm 穿甲弹以 900 m/s 速度冲击下的抗弹性能。本研究中的装甲系统由复合附加装甲和背板组成。复合附加装甲包括先进的氧化铝-氧化锆陶瓷,其采用 300 MPa 高压冷等静压 (CIP) 工艺制备,并在 1700 oC 高温下烧结。将烧结的先进陶瓷颗粒通过铸造工艺与聚氨酯橡胶结合。高硬度钢板安装于复合附加装甲上,复合附加装甲设计为背板,厚度为 6.0 mm 的双层,选用 Bisalloy HHA500。
节能和环境(424亿日元)重点领域●创新能源保护技术●环保的过程友好的过程技术●开发高效煤炭燃料的发电技术●CCUS技术●CCUS技术●荧光碳控制技术●3R技术,包括资源排序/金属精炼技术●国际示范,JCM
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资源人员专家教师将来自国际机构、知名学术机构、印度理工学院马德拉斯分校、印度理工学院孟买分校、印度政治经济学学院维扎格分校、印度理工学院瓦朗加尔分校和印度理工学院卡纳塔克分校以及来自霍尼韦尔、西门子和横河电机的行业/公司专业人士。 参与资格 FDP 更具优势,因此向 AICTE 认可机构的教师、研究生和博士研究人员、行业/研发组织/顾问人员、主办机构的参与者开放。 课程费用 没有注册费,但必须进行注册确认。 出勤率至少为 80%、考试成绩合格率为 70% 并提交了对参加 FDP 的反馈的参与者颁发证书。有关更多详细信息,请参阅此链接 https://atalacademy.aicte- india.org/FAQs 席位数量:最低 100 人 申请方式:参与者必须通过 AICTE ATAL 注册链接申请 https://atalacademy.aicte-india.org/signup 选择标准:按照 AICTE ATAL 指南和先到先得的原则。 联系方式 TK Radhakrishnan 博士,教授(HAG),化学工程系。手机号码:9488451677 K. Sankar 博士,助理教授,化学工程系手机号码:7427960065 电子邮件:radha@nitt.edu,地址:化学工程系,Tanjore-Trichy 高速公路,Thuvakudi,国家理工学院 Tiruchirappalli – 620015,泰米尔纳德邦,印度