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MXenes作为二次电池阳极和阴极的最新进展及比较分析
MXenes 是一种寿命长达十年的陶瓷材料，于 2011 年在德雷塞尔大学首次发现 1 。它们的通式为 M n +1 X n T x , (n=1,2,3) ，其中 T 是表面终止原子，M 是早期过渡金属，X 是 C 或 N 2-4 ，MXenes 直接从其相应的 MAX 相蚀刻而成。后者是层状碳化物或氮化物结构，公式为 M n +1 AX n , (n=1,2,3) ，其中 A 是元素周期表 A 族元素，通常是第 13 或 14 族。在图 1 中，我们可以看到元素周期表中 MAX 相和 MXenes 的成分以及它们的结构。具有 OH 或 F 终端的碳化钛 Ti 3 C 2 是从钛铝 MAX 相 Ti 3 AlC 2 1 中发现的第一个 MXene。由于 Ti 3 C 2 T x MXene 仍然最具导电性 6–8，文献中对其在二次（即可充电）电池中的应用潜力进行了广泛研究。为此，人们试图通过操纵终端原子 8,9 来控制其电子和机械性能。可充电离子电池是一种基于离子插入的储能装置 10。通常，离子电池由阴极（正极）和阳极（负极）组成，并与含有离子的电解质接触。两个电极由微孔聚合物膜（隔膜）隔开，该膜阻止电子与离子一起在它们之间穿过 11。商用电池单元通常是在放电状态下生产的，而阳极和阴极电极在与大气接触时需要保持稳定 11。充电时，电极需要连接到外部电源，而电池
有条件的非高斯量子状态准备的实用框架
图2。（a，b）从ANCRE报告124（允许）中提取的电力部门中的脱碳化楔形，并考虑了每个国家 /地区最雄心勃勃的场景； “全球范围”是指16个最著名的国家。这些直方图显示了在没有任何技术进化的情况下电力部门的发射轨迹，并且（灰色）在脱碳场景框架内发射的演变；两种核心对允许不同技术的降低（例如，黄色和橙色的太阳能，蓝色的水力）之间的差异； CCS意味着碳捕获和隔离。可以在参考文献126中找到“脱碳楔”方法的进一步描述。
分析具有太阳能发电厂和能源存储设施的本地电力系统设备的参数，并确定操作模式du
摘要可再生能源（RES）和储能技术的开发是现代电力系统跨形成的关键要素。作为最干净和大多数的能源来源之一，太阳能的重要性越来越重要，需要优化其在本地电力系统中的使用。这项研究分析了带有太阳能发电厂和储能设备的本地电源系统（LES）设备的参数，并在不同的停电期间确定其操作模式。作为研究的一部分，使用REOPT平台进行了4个不同日期 - 6月22日，3月22日，3月22日和9月22日，使用REOPT平台对LES接收者的可靠性进行分析。在第二步中，使用系统顾问模型（SAM）软件分析太阳能系统模式。分析表明，与南方方向的模块子组件的方向相对于±45°，可以在早晨和傍晚的小时内提高功率输出。还表明，模块在两个子组件中的排列允许在中午降低倒置器的功率截止，因此，有一个模块排列，截止值为1.743％，并且有两个亚组件，为0.339％。
在早期发作痴呆症中获得了前药物的开放式新途径
在锂离子微生物中，三维Si纳米阳极的应用引起了人们对实现高容量和集成的储能设备的极大兴趣。将SI纳米线与碳结合起来可以通过帮助其在循环过程中的机械稳定性来改善阳极性能。在这里，我们将光刻，低温干蚀刻和热蒸发作为半导体技术中常用的方法，用于制造碳涂层的Si Nanowire阳极。将无定形碳添加到Si纳米线阳极对增加初始面积的容量有影响。但是，可以观察到第100个周期的逐渐减小到0.3 mAh cm -2。验尸后分析揭示了循环后Si纳米线阳极的不同形态。表明碳涂料可以帮助Si纳米线抑制其体积的膨胀，并减少原始Si Nanowire阳极中发现的过量产生的无定形Si颗粒。
母舰-立方体卫星无线电科学，用于火卫一大地测量和自主导航
摘要：了解火星卫星的内部结构（例如，均质、多孔或破碎）将有助于更好地理解它们的形成以及早期太阳系。推断内部结构的一种方法是通过大地测量特征，例如重力场和天平动。大地测量参数可以从辐射跟踪测量中得出。本研究提出了一种可行的母舰-立方体卫星任务，其目的如下：（1）进行卫星间多普勒测量，（2）提高对火卫一及其动态模型的理解，（3）确保母舰和主要任务的安全，（4）考虑到地球和火星之间的距离，支持自主导航。本研究分析了体积、质量、功率、部署∆v和链路的预算以及系统的多普勒测量噪声，并给出了立方体卫星的可行设计。通过考虑所有不确定性的蒙特卡罗估计模拟揭示了轨道确定和大地测量的准确性。在火星-火卫一系统星历误差为 0 至 2 公里的情况下，自主轨道确定的精度为 0.2 米至 21 米和 0.05 毫米/秒至 0.4 厘米/秒。即使在星历误差为 2 公里的情况下，大地测量系统也可以以 1‰ 的精度返回 2 级重力系数。所获得的重力系数和平动幅度协方差表明，区分内部结构系列具有极好的可能性。
通过原地SI@C-raphene复合合成li-ion电池应用来改善基于硅的复合电极
摘要：由于循环时的形态进化和SEI修饰，使用Si作为锂离子电池的阳极材料仍然具有挑战性。目前的工作旨在开发一个由碳涂层的Si纳米颗粒（SI@C NPS）组成的复合材料，该复合物紧密嵌入了三维（3D）石墨烯水凝胶（GHG）结构中，以稳定LIB电极内的SI。而不是简单地混合两个组件，而是合成过程的新颖性在于原位热液过程，该过程显示出成功产生氧化石墨烯还原，3D石墨烯组装的产生以及SI@C NPS在GHG Matrix中的均匀分布。在不包含其他导电添加剂的电极上的半细胞中的电化学特性揭示了保护性C壳对于达到高特定能力的重要性（最高2200 mAh.g-1），以及良好的稳定性（200个循环，平均CEFF> 99％）。这些性能远高于用非C涂层Si NP制成的电极或通过混合两个组件制备的电极。这些观察结果突出了C壳对SI NP的协同作用，以及单步的原位制备，使SI@C-GHG混合复合材料具有具有物理化学，结构和形态学特性的SI@C-GHG混合材料的产量，从而促进了样品电导率和Li-ion扩散途径。
人类卫星 3 DNA 编码兆碱基规模的转录因子结合平台
真核生物基因组中经常散布着大量串联重复序列，称为卫星 DNA，这些序列是组成性异染色质的基础，常位于着丝粒区域周围。虽然某些卫星 DNA 类型在着丝粒生物学中具有明确的作用，但其他丰富的卫星 DNA 的功能尚不明确。例如，人类卫星 3 (HSat3) 约占人类基因组的 2%，形成高达数十兆碱基的巨大阵列，但这些阵列在着丝粒功能中没有已知的作用，直到最近才几乎完全被排除在基因组组装之外。因此，这些巨大的基因组区域仍然相对研究不足，而 HSat3 的潜在功能作用在很大程度上仍然未知。为了解决这个问题，我们对新的 HSat3 结合因子进行了系统筛选。我们的工作表明，HSat3 阵列含有高密度的转录因子 (TF) 基序，这些基序与与多个高度保守的信号通路相关的因子结合。出乎意料的是，HSat3 中最富集的 TF 属于 Hippo 通路转录效应子家族 TEAD。我们发现 TEAD 以细胞状态特异性的方式将辅激活因子 YAP 募集到 HSat3 区域。利用 RNA 聚合酶-I 报告基因检测、HSat3 的靶向抑制、YAP 的诱导降解和超分辨率显微镜，我们表明 HSat3 阵列可以将 YAP/TEAD 定位在核仁内，YAP 在那里调节 RNA 聚合酶-I 活性。除了揭示 Hippo 通路与核糖体 DNA 调控之间的直接关系外，这项研究还表明卫星 DNA 可以编码多个转录因子结合基序，为这些巨大的基因组元素定义了新的作用。
Majorana零模式的混合轻型物质网络
拓扑激发，例如Majorana零模式，是编码量子信息的有前途的途径。基于其编织的Majorana Qubit的拓扑保护门将需要某种形式的网络。在这里，我们建议通过在微波腔QED设置中与光纠缠的Majorata物质来构建这样的网络。我们的方案利用了光引起的相互作用，该相互作用与所有Majorana纳米级电路平台通用。这种效应源于在一维物理主要模式链中光耦合的参数驱动。我们的设置可以实现Majorana量子计算平台中所需的所有基本操作，例如融合，编织，关键的T-Gate，读取，以及重要的是，物理Majora Modes的稳定或校正。
量子光学的模式和状态
几十年前，量子光学元件通过表现出没有经典等效的光线而成为物理的新领域。第一次研究涉及仅涉及一种或两种模式的电磁场的单个修饰，挤压状态，双束和EPR状态。然后，量子光的性质的研究沿越来越复杂和丰富的情况的方向发展，涉及许多空间，时间，频率或极化模式。实际上，电磁场的每种模式都可以视为单个量子的自由度。然后，使用非线性光学器件的技术进行逐步不同的模式，从而以受控的方式构建量子网络（Kimble，2008），其中节点是光学模式，并且赋予了强大的多部分纠缠。此外，此类网络可以很容易地重新发现，并且仅受到弱分解。他们确实打开了许多有前途的光学通信和计算观点。由于麦克斯韦方程的线性性，两种模式的线性叠加是另一种模式。这意味着“模态叠加原理”与常规量子状态叠加原理握手。本评论的目的是表明以全球方式考虑多模量子光的这两个方面的兴趣。确实使用不同的模式集可以在不同的角度考虑相同的量子状态：一个给定的状态可以纠缠在一个基础上，以另一种分解。我们将证明存在一些属性，这些属性在选择模式的基础选择方面存在不变。我们还将提出找到描述给定多模量子状态所需的最小模式集的方法。然后，我们将展示如何产生，表征，量身定制和使用多模量子光，考虑在这种光和两光子重合的光和模态方面的损失和放大的影响。切换到量子技术的应用程序，我们将在这篇评论中表明，不仅可以找到可能改善参数估计的量子状态，而且还可以找到这些状态“实时”的最佳模式。我们将最终介绍如何使用此类量子模态网络进行基于测量的量子计算。
朝着高性能完全垂直的硅硅销二极管
在过去的二十年中，Gan Hemts（高电子迁移率晶体管）已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而，基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题，例如电子捕获和相关的设备可靠性，这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外，较高的击穿电压需要增加门才能排出距离，从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确，高击穿电压，雪崩能力，具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长，则可以大大降低整体成本。在这项工作中，我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管，并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场，甚至可能降低了反抗性的罗恩。