XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystempJ
字母A 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS接收器模拟前端，低电源电压
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端(Rx_AFE)，主要由有源电压电流反馈跨阻放大器(AVCF-TIA)和交错有源反馈限幅放大器(LA)组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且显著缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术，带宽进一步扩展。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dB Ω，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
字母 A 具有低电源电压的 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS 接收器模拟前端
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端（Rx_AFE），主要由有源电压电流反馈跨阻放大器（AVCF-TIA）和交错有源反馈限幅放大器（LA）组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且大大缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术进一步扩展了带宽。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dBΩ，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS。分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
158 pJ/bit 1.0 Mbps 蓝牙低功耗 (BLE) ...
JF Ensworth 和 MS Reynolds，“每部智能手机都是背向散射读取器：与蓝牙 4.0 低功耗 (BLE) 设备的调制背向散射兼容性”，IEEE RFID 会议 2015。
/ •. 新泽西州贝尔米德总仓库信号供应科。1955 年 6 月 1 日，位于新泽西州贝尔米德总仓库的 Ohlet 信号局管辖下的二级活动信号供应科停止运行。
lileotlon 信号供应信号，BllJLLlll MlllAD GlllNillR.AL 仓库，新泽西州。 DJscont!nned___________________________________________________ I ROTC UNIT，Y.ALlQ UNIVERSI'XY，NTOW H.AVlllN，CONNI0C'XICU!l.'。转换.. II 转换为 GTDNEil.AL MILI'l'.AltY SCilllNCill CUillUCULUM •• ------ III