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组合新量子设备的被困原子和光子学
中性原子的阵列被困在光学镊子中 - 可以将原子固定到位的高度集中的激光束 - 是构建量子处理器的越来越流行的方式。中性原子的这些网格，当以特定序列激发时，可以将复杂的量子计算缩放到数千个Qubits。但是，它们的量子状态是脆弱的，可以很容易被破坏 - 包括光子设备，旨在以光子的形式收集其数据。
用于监视和比较多光子显微镜系统
我们认为量化协议是必要的，原因是几个原因。首先，作为开发人员，早期采用者，建筑商，用户和设施经理，我们意识到，在执行相关测量结果时，并非总是需要达成共识，也不总是就最佳实践达成共识。我们想共享我们认为提供最关键的测量的实践。这种测量可以提供有关系统性能的有价值的诊断信息，尤其是在定期执行表征时。第二，我们的目标是进一步将多光子显微镜从边界技术转变为常规工具，类似于共聚焦显微镜。第三，我们希望这项工作将有助于对实验室内部和整个实验室的结果进行更可靠的比较。第四，最后，我们渴望让制造商以类似的定量方式指定其显微镜的性能，并为这种表征开发更好的工具。总的来说，我们希望推动该领域以提高数据质量和严格目的
连贯的纳米光子电子加速器
在光子纳米结构内的激光光的帮助下，电子的加速度代表了微波驱动的加速器的微型替代品。主要优点是，较高的驾驶有助于介电材料的损伤阈值达到10 GV/m。这意味着应达到超过1 GEV/m的加速度梯度。此外，光学加速器的结构大小位于纳米范围内，这意味着可以采用纳米化方法来构建加速器结构。在追求这些目标时，我们展示了一种可扩展的纳米光线性电子加速器，该线性电子加速器通过交替相位效力（APF）方案一致地结合了粒子加速度和横梁限制。它在仅225 nm宽的通道中加速和引导电子在500μm的相当距离内。观察到的最高能量增益为43％，从28.4 KEV到40.7 KEV。我们希望这项工作为纳米光加速器铺平道路。这些片上粒子加速器可能会在医学，工业，材料研究和科学中施加适用的应用。在这次演讲中，我们将提供纳米素化加速器的状态更新。
具有海森堡限制相干性和亚硫化束光子光子统计
最近已经证明，激光可能会产生具有相干性（量化为光谱峰处的平均光子数）的固定光束，该光束缩放为激光器中存储的平均激发数的第四幂，这比标准或schawlow-limtlate limatation the the the the the激励数量。，nat。物理。17，179（2021）]。此外，在分析上证明，这是CW激光器定义条件下的最终量子限制（海森堡极限）的缩放，以及关于输出光束的性质的强有力的假设。在我们的相关工作中[Ostrowski等。，物理。修订版Lett。 130，183602（2023）]我们表明，后者可以被较弱的假设所取代，该假设允许高度亚dososonian输出梁，而无需更改上限尺度或其可实现性。 在本文中，我们提供了相关论文中给出的计算的详细信息，并介绍了三个激光模型家族，这些模型可能被认为是该工作中介绍的模型的概括。 这些激光模型中的每个家族都由一个实数P = 4对应于原始模型的实际数字P = 4。 这些激光家族的参数空间进行了数值研究，我们在其中探讨了这些参数对激光束相干性和光子统计的影响。 可以根据P的选择来识别两个不同的连贯性方案，在P> 3中，每个模型都表现出Heisenberg-Limimimited Beam的连贯性，而对于P <3，Heisenberg极限不再达到。 15，而不是p = 4。Lett。130，183602（2023）]我们表明，后者可以被较弱的假设所取代，该假设允许高度亚dososonian输出梁，而无需更改上限尺度或其可实现性。在本文中，我们提供了相关论文中给出的计算的详细信息，并介绍了三个激光模型家族，这些模型可能被认为是该工作中介绍的模型的概括。这些激光模型中的每个家族都由一个实数P = 4对应于原始模型的实际数字P = 4。这些激光家族的参数空间进行了数值研究，我们在其中探讨了这些参数对激光束相干性和光子统计的影响。可以根据P的选择来识别两个不同的连贯性方案，在P> 3中，每个模型都表现出Heisenberg-Limimimited Beam的连贯性，而对于P <3，Heisenberg极限不再达到。15，而不是p = 4。此外，在以前的政权中，我们得出了与数字一致的这三个激光家族中每个激光族的光束相干性的公式。我们发现最佳参数实际上是p≈4。
超导电路中的工程多光子耗散用于量子错误校正
1简介2 1.1量子信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 1.2量子误差校正。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 1.2.1经典误差校正。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 1.2.2位较高校正。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 1.3古典计算机记忆。。。。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>81。1.31动态RAM。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 91。1.3.2静态RAM。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 10 1.3.3.3结论。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div>81。1.31动态RAM。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>91。1.3.2静态RAM。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 10 1.3.3.3结论。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div>91。1.3.2静态RAM。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>10 1.3.3.3结论。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>11 1.4经典力学中的双态系统。。。。。。。。。。。。。。。。。11 1.4.1驱动振荡器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 1.4.2参数振荡器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 1.5超导电路。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。14 1.6大纲。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。16
半导体芯片中的工程两次波函数和交换统计数据
高维纠缠的光状态为量子信息提供了新的可能性，从量子力学的基本测试到增强的计算和通信效果。在这种情况下，自由度的频率将鲁棒性的资产结合在一起，并通过标准的电信组件轻松处理。在这里，我们使用集成的半导体芯片来设计直接在生成阶段的频率键入光子对的波函数和交换统计，而无需操作后。量身定制泵束的空间特性，可以产生频率与年轻相关，相关和分离状态，并控制光谱波函数的对称性，以诱导骨气或费米子行为。这些结果是在室温和电信波长下获得的，开放有希望的观点，用于在整体平台上使用光子和光子的量子模拟，以及利用反对称高度高维量子状态的通信和计算方案。
327 Gbps Thz硅光子光子互连与子弯曲
在Terahertz（THZ）频段的微型光子设备设想，可以为计算和未来无线通信的数据传输能力和集成密度带来显着增强。宽带硅波引物技术已不断成熟，以推动低损坏平台的集成解决方案。然而，在实现弯曲引起的损失和模式失真引起的弯曲程度不同的紧凑型波形平台时面临挑战。在这里，我们演示了用于多层芯片传输的多个弯曲的光子晶体波导平台。我们的硅互连设备表现出优化的弯曲半径与自由空间波长比为0.74，没有信号失真和透射带宽为90 GHz，代表355 GHz时的25.4％分数带宽。宽带波导互连通过通过多个载体发送复杂的调制数据来实现327 Gbps的汇总数据传输速率。这项工作增强了未来子孙后代的THZ光子集成电路的开发，高数据速率互连和无线通信，范围从第六到X代（6G到XG）。
发光眼镜，光纤和光子应用和光子应用的复合材料
这项工作探讨了用于光学传感和光子技术的发光玻璃材料和复合材料的设计，合成和应用。该研究的重点是使用适合纤维图的氧化物玻璃基质（例如校尿石和磷酸盐玻璃）来开发新型的光学活性材料，这些玻璃是经过修改以改善其光学和热性能的。引入网络修饰符，尤其是氟化物，导致具有透明度和适当化学稳定性的玻璃系统。这些矩阵用稀土离子（RE 3+）和纳米颗粒掺杂，它们还用作发光配位聚合物（LN-CP）生长的底物，从而使新玻璃@LN-CP复合材料产生具有化学传感潜力的重要潜力。采用系统方法来使用诸如X射线衍射（XRD），拉曼光谱，固态核磁共振（NMR）和吸收光谱的技术来表征这些玻璃基质，从而提供了对其结构，光学，光学和热特性的见解。与RE 3+共掺杂的光学活性磷酸盐玻璃的合成证明了促进上转换（UC）发光的能力，突出了它们的光子应用潜力。这项研究还强调了玻璃@LN-CP复合材料的发展，该复合材料通过玻璃基板和光纤上的原位生长合成。这些复合材料对丙酮和2-戊酮等羰基化合物表现出强烈的发光响应，证明了它们的化学传感潜力。此外，涂层的光纤可以在长距离内传输发光信号，从而促进了分析物的实时和远程检测。因此，本文有助于开发新的发光材料和基于光纤的传感器，为创新的光学传感器和光子设备提供了多功能平台。
来自光核反应的中子光谱
Valentin Blideanu，Clement Besnard Vauterin，David Horvath，Benoit Lefebvre，Francesc Salvat-Pujol等。来自光核反应的中子光谱：蒙特 - 卡洛粒子转运模拟代码的性能测试。物理研究中的核仪器和方法B：梁与材料和原子的相互作用，2024，549，165292（14 p。）。10.1016/j.nimb.2024.165292。CEA-04477575
在...
光刺激（来自数字微型摩尔设备的2-D灯罩用固态CW激光照明）和两个光子成像仅限于不同的光学Z-Planes，可以通过分别翻译扩散器和主要目标来灵活，独立地调整这些光学Z-plan。 （底部）在光刺激和成像期之间交替（滚动）。每个红色条代表一个多光子成像的单一框架。光刺激和成像期交错。（b）显微镜示意图。dm，二分色镜。dmd，数字微型摩尔设备。i，虹膜膜片。L1-L12，镜头。o，主要目标。PMT，光电倍增管。PS，潜望镜。s，快门。SM，扫描镜子。（c）（顶部）使用可移动扩散器将图案化的光刺激和多光子成像平面解）的例证。以4F镜头配置将扩散器成像成样品中；沿光路的扩散器转换会导致相应的投影平面轴向移动。OFP，客观焦平面。 PSP，光刺激平面。 （d）DMD芯片到CCD摄像头到2P显微镜注册。 我们注册了DMD刺激场（DMD像素尺寸= 2.4 µm，样品 1d）至148OFP，客观焦平面。PSP，光刺激平面。（d）DMD芯片到CCD摄像头到2P显微镜注册。我们注册了DMD刺激场（DMD像素尺寸= 2.4 µm，样品1d）至148（i）两个光子显微照片，分别为10 µm荧光微粒；箭头标记了两个微粒，这是较大的DMD调节投影靶模式（8 microbeads）的一部分，它们被视为受托点； （ii）更大的视野（包括目标微头）的广阔场荧光图像（全场照明）； （iii）从2p图像中选择的ROI用于生成DMD-Chip灯罩；这些进一步投影在主要的客观焦平面上，并使用主CCD摄像头（CCD 1）成像； （iv）DMD生成的照片刺激口罩和（II）中10 µm微粒的宽场荧光图像的覆盖层；请注意，荧光仅限于由DMD光刺激掩模靶向的微粒，并具有最小的溢出到相邻（靶）的微粒（请参阅信托标记）。