尽管对于静态针孔摄像头情况(第一个列),两种分布的分布都是一致的,但与基于EWA的基于EWA的估计值相比,基于UT的速度更为准确,而对于静态拟合摄像机案例(第三列),则在较高的非网络性非线性的情况下,UT可以使UT产生更好的近似值。用于滚动式摄像头姿势(第二和第四列),基于RS的UT-预测仍然可以很好地估计RS感知的MC介绍。相比之下,RS-Unaware EWA线性化分解,无法近似此情况(直方图域被封顶为0。04用于更清晰的可视化,但是基于EWA的投影仍具有较大KL值的较长尾巴分布)。在基于EWA的RS渲染中观察到的撕裂伪影是由这些不准确的程序引起的,导致在体积渲染步骤中导致不正确的像素到高斯的关联。
引言:规范/引力对偶背景下的一个核心问题是理解体经典几何是如何编码在边界态的纠缠结构中的,人们希望通过研究冯·诺依曼熵在这种环境下特有的性质来提取有关这种编码的有用信息。互信息一夫一妻制 (MMI) 的发现 [4,5] 表明,对于几何状态,即与经典几何对偶的全息共形场论 (CFT) 的状态,Hubeny-Rangamani-Ryu-Takayanagi 处方 [6,7] 意味着边界 CFT 中空间子系统的熵满足一般不适用于任意量子系统的约束。此后,人们发现了新的全息熵不等式,全息熵锥 (HEC) [8] 得到了广泛的研究 [9 – 20] 。随着参与方数量 N 的增加,寻找新的不等式很快变得在计算上不可行
范德华 (vdW) 材料因其众多独特的电子、机械和热特性而备受关注。特别是,它们是单色台式 X 射线源的有希望的候选材料。这项研究表明,台式 vdW X 射线源的多功能性超出了迄今为止所展示的范围。通过在 vdW 结构和入射电子束之间引入倾斜角,理论和实验表明,可访问的光子能量范围增加了一倍以上。这使得 vdW X 射线源的实时调谐具有更大的多功能性。此外,这项研究表明,通过同时控制电子能量和 vdW 结构倾斜,可访问的光子能量范围可以最大化。这些结果将为高度可调的紧凑型 X 射线源铺平道路,其潜在应用包括高光谱 X 射线荧光和 X 射线量子光学。
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了解纳米级热传播的基本原理对于下一代电子产品至关重要。例如,已知层状材料的弱范德华键会限制其热边界导率 (TBC),从而成为散热瓶颈。本文提出了一种新的非破坏性方法,使用时间分辨的光致热应变 X 射线测量来探测纳米级晶体材料中的热传输。该技术通过测量光激发后 c 轴晶格间距的变化,直接监测晶体中随时间的温度变化以及随后跨埋层界面的弛豫。研究了五种不同的层状过渡金属二硫属化物 MoX 2 [X = S、Se 和 Te] 和 WX 2 [X = S 和 Se] 的薄膜以及石墨和 W 掺杂的 MoTe 2 合金。在室温下,在 c 平面蓝宝石衬底上发现 TBC 值在 10–30 MW m − 2 K − 1 范围内。结合分子动力学模拟,结果表明高热阻是界面范德华键合较弱和声子辐射度较低造成的。这项研究为更好地理解新兴 3D 异质集成技术中的热瓶颈问题奠定了基础。
自从分离出来以来,石墨烯就因其独特的性质而受到学术界和工业界越来越多的关注。然而,“我的材料是什么”的障碍阻碍了进一步的商业化。X 射线光电子能谱 (XPS) 被认为是一种确定元素和化学组成的首选方法。在这项工作中,研究了石墨烯颗粒形貌对 XPS 结果的影响,并调查了其作为 X 射线能量的函数的关系,使用具有 Al K 𝜶 辐射的传统 XPS 和使用 Cr K 𝜶 辐射的硬 X 射线光电子能谱 (HAXPES)。因此,信息深度在 10 到 30 纳米之间变化。为此,对两种含有石墨烯纳米片的商业粉末进行了比较,它们的横向尺寸约为 100 纳米或在微米范围内。这些较大的粉末以石墨烯层堆栈的形式存在,用扫描电子显微镜进行检查。然后用氧或氟对这两种粒子进行功能化。发现石墨烯颗粒的尺寸会影响功能化程度。只有 XPS 和 HAXPES 的结合才可以检测颗粒最外层表面甚至堆叠层的功能化,并为功能化过程提供新的见解。
摘要。在全球范围内,市场对鳍的需求,不受控制的旁观者和非法捕鱼都导致鲨鱼和雷种群的急剧下降。在二十年(2002-2021)中,东盟国家提供了1506万吨(290万吨)的1506万吨(290万吨)的弹性物种着陆点,其中印度尼西亚,马来西亚和泰国占主导地位。此外,东盟产品品种,分类不确定性和贸易复杂性使濒临灭绝的物种贸易控制具有挑战性。在亚洲市场中存在法律保护和濒危的弹性物种,这是多次调查的主题,这引起了人们对当前管理和保护策略不足的关注。开发了基于DNA的方法来识别弹性分支,并提出了应对非法鲨鱼和雷鳍运输问题的新方法,例如高通量测序(HTS)作为常规DNA条形码的替代方法。增强贸易监控可以为东南亚生态系统和人口中的鲨鱼和射线资源提供持续的利益,同时还促进法律,可持续和可追溯的贸易。
准确校准高纯晶也(HPGE)检测器对于在各种科学和工业应用中精确测量γ辐射至关重要。在本文中,对HPGE探测器的校准进行了研究,从能量,分辨率和效率方面进行了研究。校准源(例如Europium-152和133)用于建立能力和分辨率校准,结果显示出高线性和令人满意的分辨率性能。效率校准最初覆盖了1.4 meV的能量,通过包括及时的γ射线测量值扩展到7.65 MeV。使用六阶多项式方程对效率数据进行建模,这与观察到的值很好地一致。这项研究证实,提示γ测量值可以有效地将HPGE检测器的校准范围扩展到更高的能量。但是,它还强调了需要改进的实验设置和更长的测量时间,以进一步提高高能量效率校准的准确性和可靠性。结果为准确的γ射线测量提供了坚实的基础。
过去十年。尤其是,光线和灵活设备的开发将代表该领域的重大突破,因为它允许新的检测器设计和应用程序,例如,便携式实时X射线测量器或弯曲的数字X射线成像仪。[1] Exposure to high doses of X-rays increases the risks of developing radiation-induced disorders such as can- cers [2] and enhancing the detection limit of detectors is a critical key issue for medical application, since it would help reducing the radiation dose delivered to the patient and therefore limit the radiation hazards linked to radiation therapy and diagnostics (e.g., mammography, X-ray tomography).上面引用的规格要求开发可处理的X射线直接检测材料与柔性塑料底物上的低温沉积兼容,并能够以低辐射剂量工作。不过,由于机械刚度低和高X射线吸收的双重必要性,所有这些要求都无法轻易满足单个材料,因此通常通过浓稠且沉重的吸收层来实现后者。的确,参与直接X射线检测的传统最先进材料包括硅(SI),无定形硒(α-SE)和锌锌锌醇锌(CZT)(CZT),它们因其高原子数(z)和密度而以其高X射线停止功率而闻名。柔性应用受到塑料基材及其机械刚度的高加工温度输入的阻碍。带有构图的3D ho最近,有机半导体似乎是直接X射线检测的传统无机半导体的有希望的替代品。[3,4]有机半导体具有吸引人的特性,尤其是通过基于大区域溶液的技术进行处理的可能性,例如钢筋涂层[5]或喷墨印刷[6]在柔性基板上。有机材料的低z然而,限制了其停止功率,从而限制了低辐射剂量以高能X射线的检测。机械刚性和大型X射线吸收之间的权衡是应对新型X射线检测材料的开发的有趣挑战。在过去的几年中,关于直接X射线检测材料的研究主要围绕混合有机/盐酸卤化物钙钛矿(HOIP)围绕。
1 磁膜物理实验室,SSPA“白俄罗斯国家科学院科学与实用材料研究中心”,P. Brovki 街 19,220072 明斯克,白俄罗斯;fix.tatyana@gmail.com (TIZ);zheludkevich27@gmail.com (ALZ);ir23.by@gmail.com (IUR);bondruk625@gmail.com (AAB);katenickerd@gmail.com (EKZ);truhanov86@mail.ru (AVT) 2 南乌拉尔国立大学单晶生长实验室,列宁大街 76,454080 车里雅宾斯克,俄罗斯 3 联合核研究中心弗兰克中子物理实验室,Joliot-Curie 街 6,141980 杜布纳,俄罗斯; vershinina@nf.jinr.ru 4 杜布纳国立大学自然科学与工程科学学院,Universitetskaya Str. 19, 141980 Dubna,俄罗斯 5 白俄罗斯国立信息与无线电电子大学微纳米电子系,P. Brovki Str. 6, 220013 Minsk,白俄罗斯 6 东北大学资源环境系,沈阳市文化路 3-11 号 110819,中国;mg_dong@163.com 7 乌拉尔联邦大学物理与技术研究所,Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg,俄罗斯;mokhamed.khanfi@urfu.ru 8 核材料管理局,El Maadi,开罗 PO Box 530,埃及 9 伊斯拉大学理学院物理系,Al Hezam Road,安曼 1162,约旦; dr.mabualssayed@gmail.com 10 核医学研究系,医学研究与咨询学院,伊玛目阿卜杜拉赫曼·本·费萨尔大学,沙特阿拉伯达曼 31441 11 莫斯科谢切诺夫第一国立医科大学生物医学科技园,Bolshaya Pirogovskaya Str. 2/4,119991 莫斯科,俄罗斯;sil_m@mail.ru 12 国立科技大学 MISiS 电子材料技术系,列宁大街 4/1,119049 莫斯科,俄罗斯 * 通讯地址:dashachushkova@gmail.com (DIT);sv_truhanov@mail.ru (SVT);电话:+375-29-562-81-87 (DIT);+375-29-536-86-19 (SVT)