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单晶 RuO 2 中的晶体结构和磁序缺失
因此，我们对 RuO 2 晶体进行了极化和非极化中子衍射实验，这些实验通过磁化和电导测量以及 X 射线衍射进行表征 [8]。单晶采用两种不同的传输分子通过化学气相传输生长。此外，通过退火商业化合物获得了粉末样品。对 D9、D3 和 IN12 进行了中子实验，并在 Bruker D8 venture 衍射仪上研究了晶体结构。我们无法在低至 2K 的温度下确认我们晶体中提出的结构扭曲。在 X 射线和长波长中子实验中，没有超结构反射 [3] 破坏金红石型结构的对称性。在短中子波长下观察到此类峰，但可归因于多重衍射。在我们的晶体中，钌空位的数量低于百分之几。极化中子实验并未表明对于所提出的传播矢量 ⃗ k =(0,0,0) [3] 存在磁布拉格反射。在我们的实验中，即使是有序矩比声称的 [3] 小五倍的磁序也会产生显著的强度。在我们的化学计量样品中可以排除这种反铁磁序 [8]。[1] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(3)，031042。[2] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(4)，040501。[3] T. Berjilin 等人，2017 年，Phys. Rev. Lett. 118，077201。[4] L. Smejkal 等人，2023，物理。莱特牧师。 131, 256703。 [5] A. Smolyanyuk 等人。 ，2024，物理。 Rev. B. 109 , 134424. [6] M. Hiraishi 等人。 ，2024，物理。莱特牧师。 132, 166702。 [7] P. Keßler 等人。 ，2024 年，npj 自旋电子学 2，50。 [8] L. Kiefer 等人。 ，2024 年，arXiv，2410.05850。
特刊——碳化硅材料：晶体生长，...
碳化硅和类似材料的晶体生长和综合表征方面最近取得的进展为功能应用开发提供了巨大的可能性。这期材料特刊题为“碳化硅材料：晶体生长、器件加工和功能应用”，专门讨论与碳化硅和相关材料的晶体生长、材料特性、器件制造和应用有关的所有方面，主要目的是广泛概述该领域的现状和未来前景。欢迎在该领域工作的研究人员参与讨论。潜在的兴趣主题包括但不限于以下内容： - 晶体生长； - 宽带隙半导体； - 材料特性； - 器件制造； - SiC、GaN、Ga2O3、金刚石。
液晶蓝相结构转变的动力学为先进材料提供了新途径
九州大学物理学系的福田淳一教授与日本产业技术综合研究所 (AIST) 和日本科学技术振兴机构 (JST) 的高桥和明博士合作，对胆甾型蓝相进行了研究。胆甾型蓝相是一种特殊的液晶，具有独特的立方对称性。这些蓝相形成具有独特性质的复杂三维结构，使其成为基础科学和材料工程领域非常感兴趣的课题。
Sb/Te 比对 Ge-TiO2 结晶动力学的影响...
富 Ge GeSbTe (GGST) 合金的开发显著提高了相变存储技术所需的高温稳定性。先前对 Sb/Te 比小于 1（Sb = Te , 1）的 GeSbTe (GST) 材料中 Ge 富集的研究强调了立方 Ge 和立方 GST 相的分离。这种分离的立方 GST 相是亚稳态的，呈现出多晶结构，其晶粒边界无序，可能导致结构弛豫，进而导致漂移现象。在这项工作中，利用电阻率测量、拉曼光谱和原位 x 射线衍射分析，我们首次证明 Sb/Te 比大于 1（Sb = Te . 1）的 GGST 在退火时会直接形成具有高生长速度的 GST 六方相，绕过立方亚稳态相。结合 Ge 富集，Sb = Te 成核的活化能值增加。 1 GGST 合金确保了非晶相的高稳定性。最后，氮的引入进一步稳定了系统以防止结晶，而不会损害高晶体生长速度和 Sb = Te 合金中稳定的 GST 六方相的形成。1. 这些结果证明了可以调整富 Ge GeSbTe 合金中偏析相的晶体结构，将非晶相在高温下的稳定性与目标 GST 相的高结晶速度和均匀性（具有较大的晶粒）相结合。
单构域III-V晶体和反相边界的稳定性
在这里，我们使用密度功能理论比较了具有或没有反相边界的不同III-V晶体构型的稳定性，具有或没有反相边界的阶梯式SI底物，用于突然和补偿界面。通过电荷密度分解和机械应变的原子量表描述分析了不同异质结构的热力学稳定性。我们表明，III-V晶体通过在异方面的电荷补偿更改而适应Si Monoatomic步骤的配置要比形成反相对边界的配置要稳定得多。因此，这项研究表明，在III-V/SI样品中通常观察到的反相边界不是源自Si Monootomic阶梯边缘，而是来自不可避免的动力学驱动的单相3D III-V岛的合并。
在纳秒激光退火的SI 1 – X GE x /si Epilayers < /div>中研究重结晶和应力松弛
Sige合金数十年来引起了很多兴趣，尤其是在微电子行业中。如今，它们已在许多设备中使用。的确，由于GE [1]中的较高的孔迁移率和相对较小的晶格参数差异，因此它们与硅设备的兼容性使得能够设计出诸如应变，载流子迁移率和带盖之类的特性。一个人可以使用sige：b源和排水量来压缩PMOS通道，从而改善其电气性能[2]。但是，设备的连续微型化需要形成越来越浅的源/排水（S/d）连接，但具有高掺杂剂激活。因此，退火过程时间尺度变短且较短[3,4]。纳秒激光退火（NLA）可以达到SI [5-7]或GE [8,9]中的较高掺杂剂的激活。紫外线NLA（UV-NLA）也可以用于3D整合，因为其短脉冲持续时间及其短波长导致表面附近的高退化温度，同时将嵌入式层保持在较低的温度下[10-13]。
巨噬细胞中对OSMO敏感的LRRC8阴离子通道的激活对于微晶蛋白关节炎症很重要
沉积单钠和焦磷酸钙（MSU和CPP）微晶体负责痛风和软骨钙化中的疼痛和复发性炎症。在这些病理学中，炎症反应是由于巨噬细胞的激活引起的，负责释放包括IL-1β在内的各种细胞因子。IL-1β的成熟是由多蛋白质NLRP3插度介导的。在这里，我们发现晶体通过晶体的激活和IL-1β的同时产生的激活取决于细胞体积通过激活OSMO敏感的LRRC8阴离子通道的调节。LRC8的药理抑制和遗传沉默消除了晶体在体外和晶体诱导的胞内肿块模型中的浮游性激活。MSU/CPP晶体暴露时LRRC8激活诱导ATP释放，P2Y受体的激活和NLRP3炎性流向膜体激活和IL-1β成熟所必需的细胞内钙升高。在关节晶体诱导的炎症的背景下，我们确定了LRRC8 OSMO敏感的阴离子Channels具有病理生理相关性的功能。
