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ACPL-M43T-500E - Ciiva
注释：1. 百分比电流传输比定义为输出集电极电流 IO 与正向 LED 输入电流 IF 之比乘以 100。2. 器件被视为双端器件：引脚 1 和 3 短接在一起，引脚 4、5 和 6 短接在一起。3. 按照 UL 1577，每个光电耦合器都通过施加 4800 V RMS 的绝缘测试电压 1 秒进行验证测试。4. 逻辑高电平下的公共瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍（正）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑高状态（即 VO > 2.0 V）。逻辑低电平下的共模瞬变抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿可容忍的最大（负）dV CM /dt，以确保输出保持在逻辑低状态（即 VO < 0.8 V）。5. 1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。6. 交流输出电压比其中频值低 3 dB 的频率。7. 建议使用连接引脚 4 和 6 之间的 0.1 μF 旁路电容。8. 对于任何给定设备，脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL - t PLH |。9. 在相同测试条件下，任何两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差值。
ACPL-M43T-500E - Ciiva
注释：1.电流传输比（百分比）定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.设备被视为双端设备：引脚 1 和 3 短接在一起，引脚 4、5 和 6 短接在一起。3.根据 UL 1577，每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 4800 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。4.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍（正）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑高状态（即，V O > 2.0 V）。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍（负）dV CM /dt，以确保输出将保持在逻辑低状态（即，V O < 0.8 V）。5.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。6.交流输出电压比其中频值低 3 dB 的频率。7.建议使用连接在引脚 4 和 6 之间的 0.1 μF 旁路电容。8.对于任何给定设备，脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL - t PLH |。9.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。
超级电容器及其革命性能源存储和电力输送的潜力
传统电容器是双端无源电气元件，以电场的形式静电存储能量。它们由两个导电表面（也称为电极）组成，由电介质或绝缘体隔开。当在电容器上施加电压时，电子会向其中一个极板迁移，在其上产生净正电荷，并排斥另一个极板上的电子。由于相反电荷之间的静电吸引力，正电荷和负电荷保留在极板上。极板之间的绝缘体可防止因电位差而导致的任何电荷迁移，因此没有电流流过电容器。这在两个极板之间产生了电场，该电场一直持续到外部端子带电、短路或施加在电容器上的电压极性发生变化为止。这一特性是电容器储能能力的本质，即使电容器与电压源断开连接，电压仍会保持。
采用 0.25 m pHEMT 技术的 5G 毫米波紧凑型压控振荡器
所提出的 VCO 架构基于参考文献 [16-18] 中研究的 Colpitts 结构以及作者在 [12] 中提出的结构，如图 2 所示。该振荡器的有源部分由两个晶体管 pHEMT 1 和 pHEMT 2 组成：每个晶体管有 4 个指状物，栅极长度和宽度分别为 0.25 µm 和 20 µm。指状物数量越多，输出功率就越大 [19]。每个晶体管都偏置在工作点 (VDS=2.2 V, VGS -0.6 V)，三个电感 Ld1、Ld2 和 Lg 分别等于 0.15 nH、0.15 nH 和 0.1 nH。电路的性能在很大程度上取决于偏置条件 [20]，因此偏置电压和电感的值需要仔细选择。 VCO 的谐振电路基于两个源漏短路晶体管 pHEMT 3 和 pHEMT 4。因此，这两个晶体管充当变容二极管，其电容值由施加到其栅极的电压源 Vtune 调整。
WCH-MCU-DL 用户手册
DIP 转接板设计注意事项：（1）WCH-MCU-DL用于将程序下载到设备中，若使用插座，需要搭配外围电路。（2）下载过程中，请确保电源的稳定性，对于CH57X系列等3.3V的设备，建议加LDO，同时注意线材的质量和长度。（3）对于没有内置高频晶振的设备，需要外接晶振，否则无法烧写，例如CH571/3就必须外接32M晶振。（4）WCH-MCU-DL上的跳线默认是将BOOT0短接至GND，若将BOOT1短接至GND，则为Check模式，无法烧写。（5）将用户文件加载到WCH-MCU-DL后，需要使用充电头通过type-c给WCH-MCU-DL供电。如果使用电脑等通讯设备通过type-c给WCH-MCU-DL供电，S3键将不起作用。（所以只建议使用DC电源适配器供电）
测试高能聚合物电解质的实际考虑
图 2. 在锂/聚合物电解质/阴极电池格式中减少阳极处过量锂的影响。 (A、C) 凝胶聚合物电解质和干 PEO+LiTFSi 电解质的充电/放电电压曲线，分别具有厚（~600 µm）锂阳极。 (B、D) 凝胶聚合物电解质和干 PEO+LiTFSi 电解质的充电/放电电压曲线，分别具有薄（~13 µm 厚）锂阳极。 阴极是 NMC811，含炭黑，PEO+LiTFSi 作为粘合剂和阴极电解液。 使用的电流密度为 C/20（C 速率基于 NMC811 的 200 mAh/g 容量计算，直至 4.3 V vs. Li/Li + ）。 电压限制为 3.0 - 4.3 V。 所有循环均在 70 °C 下进行。 (E) 放电容量，标准化为第一次循环的放电容量，作为循环数的函数。注意：厚 Li|Gel PE|NMC811 电池随后短路，因此仅显示五个数据点（如 a 所示）。
BGA 和 ... 的板级可靠性比较
摘要 本研究比较了安装在具有 LGA 封装的主板上的 BGA 和 LGA 封装的板级可靠性。评估了 SMT 产量、跌落测试性能和热循环性能。还使用了有限元分析与测量的可靠性测试进行比较。BGA 和 LGA 器件均能很好地自对准，没有开路、短路或不一致的焊点。封装偏离焊盘的距离不得超过 0.200 毫米，焊膏误印必须限制在 0.050 毫米以内。在高达 3042 个温度循环中，焊点没有确认故障。模拟预测 LGA 封装的疲劳寿命应比 BGA 封装长 1.5 倍，因为其周边 I/O 焊盘更大，并且模块内部有额外的接地焊盘。在高达 400 次的跌落测试中没有出现故障。总体而言，这两个模块都表现出了出色的板级可靠性，远远超出了典型的消费产品要求。
PCO-7115-5-1 激光二极管驱动器模块数据表
说明 保修：材料和工艺缺陷保修一年，包括零件和人工。所有规格均在环境温度为 25°C 的自由空气环境中测量。由于电阻器 R1 和 R2 会产生约 3.7 W 的不必要的最坏情况热源，因此我们建议使用至少 17.66 CFM 的气流源对 PC 板进行空气冷却。排气理想情况下应位于 R1 和 R2 后面，以便热气流直接排出，而不会穿过模块。当以高于 3 A 的频率运行且频率大于 600 kHz 时，以及/或者当此模块在可能积聚热量的密闭区域中运行时，尤其建议使用这种额外的冷却。通常，用户应留出 15 分钟的预热时间以获得更稳定的输出。通过添加如上所述的气流冷却源可以大大提高稳定性。所有电气测量均在驱动短路负载时通过电流监视器连接进行。规格如有更改，恕不另行通知。