受控的具有最高频率和最短波长的相干旋转波是旋转和镁质的基石。在这里,使用Heisenberg Antiferromagnet RBMNF 3,我们证明激光诱导的Thz旋转动力学对应于对应于相互一致的反向传播波的成对,波向量到Brillouin区域的边缘,无法用磁性和抗模型(antiferromagnotic)旋转(nneellomagnetial)dictive(nneellomagnetial)。相反,我们建议使用自旋相关函数对这种自旋动力学进行建模。我们得出了后者的量子力学运动方程,并强调与磁化和抗磁磁性不同不同,抗铁磁体中的自旋相关性不表现出惯性。
先前的工作估计了基于平面瓦楞纸烯的μs到MS的自旋寿命,其长度尺度约为25 nm [5]。同时,我们的模拟表明,尽管悬浮样品的高度轮廓在数十nm上有所不同,但类似于实验,但局部曲率显示了〜1 nm的尺度上的变化(请参阅下面的图1)。我们的结果表明,曲率上的这些超短距离变化可能是对原本无缺陷石墨烯中自旋传输的限制。
一种低成本旋涂机,带有无线遥控系统,可以以比传统方法低得多的成本沉积厚度和质量均匀的薄膜。该系统由三个主要部分组成,一个电动主轴、一个旋涂头和一个连接到网络的控制系统。机械部分的机械设计、使用 ESP32 的旋涂机系统设计以及通过 Visual Basic 实现无线控制。支持网络的控制系统允许实时监控和调整沉积过程,从而提高效率和可重复性。对于寻求以传统系统一小部分成本获得薄膜沉积技术的组织来说,这种低成本旋涂系统是一种有前途的解决方案。通过将无线物联网控制集成到低成本旋涂机中,该技术对涂层均匀性的影响将为该领域的未来发展提供宝贵的见解。
随着半导体器件的缩小尺寸出现饱和迹象,微电子学的研究重点转向寻找基于新颖物理原理的新型计算范式。电子自旋是电子的另一个固有特性,它为目前在微电子学中使用的基于电子电荷的半导体器件提供了附加功能。自旋电流注入、自旋传播和弛豫以及栅极的自旋方向操控等几个基本问题已成功得到解决,从而使电子自旋能够用于数字应用。为了通过电方法产生和检测自旋极化电流,可以采用磁性金属触点。Boroš 等人 [1、2] 讨论的铁磁触点应足够小,以构成具有明确磁化方向的单个磁畴。小畴的磁矩在过去曾被成功利用,现在仍用于在磁性硬盘驱动器中存储信息。由此,二进制信息被编码到畴的磁化方向中。畴的磁化会产生可检测到的杂散磁场。交变磁矩会产生方向相反的磁场。读头可以检测到磁场并读取信息。Khunkitti 等人 [ 3 ] 的研究显示,高灵敏度磁头是实现超高磁密度磁数据存储技术的重要因素。为了写入信息,需要通过流入磁头的电流产生接近磁畴的磁场。正如 Khunkitti 等人 [ 4 ] 所指出的,记录密度主要取决于磁性介质的特性。如果没有外部磁场,磁畴的磁化将得以保留,不会随时间而改变。因此,在电子设备中添加磁畴可实现非易失性,即无需外部电源即可保持设备功能状态的能力。此外,可以通过在小磁畴中运行自旋极化电流来操纵其磁化方向。如果电流足够强,磁畴的磁化方向与自旋电流极化方向平行。通过电子电流对磁畴进行纯电操控,为开发一种具有更高可扩展性的概念上新型的非易失性存储器提供了令人兴奋的机会。冲击自旋极化电流可以由流经另一个铁磁体的电荷电流产生,该铁磁体与小磁畴之间由金属间隔物或隧道屏障隔开。由两个铁磁触点组成的夹层结构的电阻在很大程度上取决于触点在平行或反平行配置中的相对磁化方向。因此,编码到相对磁化中的二进制信息通过夹层的电阻显示出来。这种新兴的存储器被称为磁阻存储器。磁阻存储器结构简单。它们具有出色的耐用性和高运行速度。磁阻存储器与金属氧化物半导体场效应晶体管制造工艺兼容。它们为概念上新的低功耗数据计算范式开辟了前景
微秒相干时间在供体的自旋动力学计算中预测 - 受体电子旋转对PÞA 1A在光系统I(PSI)的光激发后创建。研究了由于各向异性蛋白环境对预测的相干时间T m而引起的核自旋扩散(NSD)的影响。紧密定位的对位于电子旋转的位置5 - 8°A的质子的三元组和三元质子显示为在很大程度上控制T m。对PSI晶体结构的了解允许进行自旋动力学计算,其中去除或替换了特定的辅助因子和氨基酸残基,并且鉴定了控制电子脱碳的各向异性环境特征。最后,我们表明单独的NSD无法解释> 3个较短的实验观察到的相干时间,并暗示关键蛋白质位点的甲基可能解释了这种差异。
摘要:如今,硅片上的电子自旋量子比特似乎是制造未来量子微处理器的一个非常有前途的物理平台。为了打破量子霸权障碍,数千个量子比特应该被封装在一个硅片中。微电子工程师目前正在利用当前的 CMOS 技术将操控和读出电子设备设计为低温集成电路。这些电路中有几个是 RFIC,如 VCO、LNA 和混频器。因此,量子比特 CAD 模型的可用性对于正确设计这些低温 RFIC 起着核心作用。本文报告了一种用于 CAD 应用的基于电路的电子自旋量子比特紧凑模型。本文对所提出的模型进行了描述和测试,并强调和讨论了所面临的局限性。
是ri 位置处的局域磁矩。经典的环面磁矩可以通过沿子午线在环面表面流动的电流实现[4],如图1a所示。此外,它通常也可以在具有独特轮状拓扑结构的单分子基化合物中观察到,[5]例如 Dy 6 轮子,[6,7] Dy 4 正方形,[8] 和 Dy 3 三角形,[9]分别如图 1b-d 所示。在晶体固体系统中,环面磁矩的自发环面化,即铁环序,由于其新颖的不对称性质和潜在的应用而受到越来越多的关注。 [2–5,10–15] 已经提出了几种铁环候选物,[3,15] 例如具有橄榄石结构的正磷酸盐 LiCoPO 4 [10] 和辉石结构类型的 LiFeSi 2 O 6 [16]。LiCoPO 4 是
其中 ϵ abc 是完全反对称张量,ϵ xyz = 1。该代数被称为旋转(即角动量分量)生成代数。这里,旋转不是在自旋的位置,而是在其“方向”上(加引号是因为当然不可能测量量子自旋的所有三个分量)。量子自旋的希尔伯特空间通过选择自旋算子的表示来定义。李代数的表示是一组满足对易关系的三个矩阵,对于 su (2),由 (3.1) 给出。不可约表示是一组矩阵,使得没有一个酉变换 US a U † 能使这三个矩阵块对角化。根据李代数理论,已知对于 su (2),每个整数 n 恰好有一组(最多酉变换)不可约 n × n 矩阵。出于很快就会明白的原因,对于所有整数和半整数 s ,习惯上都写为 n = 2 s + 1 。指标 s 通常被称为粒子的“自旋”,这有点令人困惑。因此,空间中固定点处的单个自旋为 s 的量子粒子具有希尔伯特空间 C 2 s +1 ,因此矩阵 S a 均为 (2 s + 1) × (2 s + 1)。正交基由任何一个矩阵的特征态给出。哪一个并不重要;任何选择的此类基都可以“旋转”(在自旋空间中!)为任何其他基。对于 s = 0,矩阵都由数字零组成;毫不奇怪,这被称为平凡表示。对于 s = 1 / 2,它变得有趣;S a = σ a ℏ / 2,其中 σ a 为
重大技术进步依赖于对电荷和自旋的控制和利用——这是电子的两个基本特性。最近,人们对磁振子学领域的兴趣日益浓厚,该领域试图了解由于自旋或磁振子的集体振荡而形成的模式的物理原理。利用磁振子提供了额外的最小化损失的范围,因为不需要传输电子。在 TIFR 纳米电子学小组最近的一项研究中,在具有范德华层状晶体结构的反铁磁材料中观察到驻自旋波模式。当微波频率的电磁信号在磁场存在下与反铁磁体中的磁矩相互作用时,这些模式被激发。这项研究呈现出一个令人兴奋的前景,因为它是范德华材料中驻自旋波的首次观察。该团队研究的材料三氯化铬 (CrCl 3 ) 属于三卤化铬家族,该家族也是首次报道在 2D 极限下(即当晶体变薄至单个原子厚度时)表现出磁性的材料之一。由于这些材料具有层状可裂结构,因此有可能用于现代电子设备的小型化。虽然在接近 THz 频率的其他反铁磁体中也发现了驻自旋波模式,但在本研究中,该团队在低 GHz 微波频率下激发了驻自旋波模式,该频率通常用于通信和量子信息相关研究。这项研究于 2020 年 11 月 27 日在线发表在《先进材料》杂志上。
1 哈佛大学物理系,美国马萨诸塞州剑桥 02138 2 哈佛大学工程与应用科学学院,美国马萨诸塞州剑桥 02138 3 加州大学伯克利分校物理系,美国加利福尼亚州伯克利 94720 4 筑波大学纯粹与应用科学学院筑波能源材料科学研究中心,日本茨城县筑波 305-8573 5 乌尔姆大学量子光学研究所,德国乌尔姆 89081 6 高崎先进辐射研究所,日本群马县高崎市 Watanuki 1233 邮编 370-1292 7 住友电气工业有限公司,日本兵库县伊丹 664-0016 8 麻省理工学院电子研究实验室和核科学与工程系,美国马萨诸塞州剑桥 02139 9剑桥大学卡文迪什实验室,JJ Thomson Avenue,剑桥 CB3 0HE,英国 10 哈佛大学化学与化学生物学系,马萨诸塞州剑桥 02138,美国