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高度均匀的气体量子点，在电信范围内与间接 - 单向带频率交叉
我们通过填充液滴蚀刻的纳米霍尔斯，基于嵌入单晶Algasb矩阵中的煤气量点（QD）（QD）展示了一种新的量子限制的半导体材料。液滴介导的生长机制允许形成非经典单QD光源所需的低QD密度。光致发光（PL）实验表明，在电信波长下，燃气QD具有间接的单向频率跨度。这是由于受纳米结构尺寸控制的量子限制的结果，导致导带中γ和L阀的比对。我们表明，在接近1.5μm波长的直接带隙状态下，GASB QD具有I型频带对齐，并且具有狭窄的光谱线的激发量发射，并且由于高材料质量和尺寸均匀性，因此具有狭窄的光谱线和非常低的PL发射不均匀扩展。这些特性在红外量子光学和量子光子整合的应用方面非常有前途。
讲义——中国作为“网络大国”：北京的两大……
作者 R DOSHI · 2021 · 被引用 12 次 — ...没有网络安全就没有国家安全。”5 ...网络安全和信息化是军民融合的重点领域和前沿领域。
使用电信 C 波段中的量子点进行千兆赫时钟时间箱量子比特的隐形传态
隐形传态是量子力学的一个基本概念，其重要应用在于通过量子中继节点扩展量子通信信道的范围。为了与现实世界的技术（如通过光纤网络进行安全量子密钥分发）兼容，这样的中继节点理想情况下应以千兆赫时钟速率运行，并接受 1550 nm 左右低损耗电信频段中的时间箱编码量子比特。本文表明，InAs-InP 液滴外延量子点的亚泊松发射波长接近 1550 nm，非常适合实现该技术。为了以千兆赫时钟速率创建必要的按需光子发射，我们开发了一种灵活的脉冲光激发方案，并证明快速驱动条件与低多光子发射率兼容。我们进一步表明，即使在这些驱动条件下，从双激子级联获得的光子对也显示出接近 90% 的纠缠保真度，与连续波激发下获得的数值相当。使用非对称马赫-曾德尔干涉仪和我们的光子源，我们最终构建了一个时间箱量子比特量子中继，能够接收和发送时间箱编码的光子，并展示出 0.82 ± 0.01 的平均隐形传态保真度，超过经典极限十个标准差以上。
确定性制造的量子点单光子源在电信o波段中发出难以区分的光子
在这项工作中，我们基于电信O波段中发出的Ingaas量子点（QD）开发和研究单光子源。量子设备是使用原位电子束光刻制造的，结合了热压缩键合，以实现背面金镜。我们的结构基于INGAAS/GAAS异质结构，其中QD发射通过减少应变层在1.3 L m处向电信O带红移。QD通过阴极发光映射预选的QD嵌入带有背面金镜的台面结构中，以提高光子萃取效率。在脉冲非共振润湿层激发下进行的光子自动相关测量在高达40 K的温度下进行，显示纯单光子发射，这使得设备使用Stirling Croimoolers兼容独立操作。使用脉冲P-shell激发，我们实现了单光子的发射，高光子抑制G（2）（0）¼0.0276 0.005，是（12 6 4）％（12 6 4）％（12 6 4）％的AS测量的（96 6 6 10）％和（96 6 10）％和相关的连接时间（212 6 25）的可见性（12 6 4）％。此外，结构显示出5％的提取效率，这与该光子结构的数值模拟所期望的值相当。我们设备的进一步改进将通过光纤维实现量子通信。
毫瓦阈值可见电信光学参数...
在可见波长下片上创建相干光对于光谱和计量系统的现场部署至关重要。虽然在特定情况下已经实现了片上激光器，但是尚未报道不受特定增益介质限制的通用解决方案。在这里，我们提出使用硅纳米光子学通过宽分离的光参量振荡 (OPO) 从红外泵浦产生可见光。OPO 使用 900 nm 泵浦分别在 700 nm 和 1300 nm 波段产生信号光和闲置光。它以 (0.9 ± 0.1) mW 的阈值功率工作，比其他仅在红外领域报道过的宽分离微腔 OPO 工作小 50 倍以上。这种低阈值使得直接泵浦成为可能，而无需中间光放大器。我们进一步展示了如何修改设备设计以产生具有相似功率效率的 780 nm 和 1500 nm 光。我们的 nanophotonic O PO 在功率效率、操作稳定性和设备可扩展性方面表现出了独特的优势，并且是朝着灵活地在芯片上产生相干可见光迈出的一大步。
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
硅中电信波长的单光子发射器
鉴于其无与伦比的集成和可扩展潜力，硅很可能成为大规模量子技术的关键平台。由杂质 [ 1 ] 或量子点 [ 2 , 3 ] 形成的单个电子编码人造原子已成为硅基集成量子电路的有前途的解决方案。然而，在如此流行的半导体中，尚未分离出具有远距离信息交换所需的光学接口的单个量子比特 [ 4 ]。这里，我们展示了在植入碳原子的商用绝缘体上硅晶片中单个光学活性点缺陷的隔离。这些人造原子在电信波长下表现出明亮的线性偏振单光子发射，适合在光纤中长距离传播。我们的结果表明，尽管硅的带隙很小（≃ 1.1 eV）先验不利于此类观察 [5]，但硅可以容纳在单尺度上可光学隔离的点缺陷，就像宽带隙半导体一样 [6]。这项工作为硅基量子技术开辟了无数前景，从集成量子光子学到量子通信 [7] 和计量。借助微电子行业的巨大成功，硅无疑是部署大规模量子技术的有前途的平台。与单个掺杂剂 [1] 或栅极定义的量子点 [2,3] 相关的硅基电量子比特已经被用于展示可扩展集成量子电路的基本构造块。除了需要在稀释冰箱中操作之外，这些物质量子比特仍然不能远程交换长距离量子信息，因为它们不与光接口。另一方面，电信波长的光子量子比特可以通过概率非线性光学过程在硅内部产生[8]。即使它们适合长距离传播，这些光子也不会与物质量子系统耦合，从而限制了量子比特的实现。
国家自愿实验室认可计划：电磁兼容性和电信；FCC 方法
NIST 手册 150-11 介绍了国家自愿实验室认证计划 (NVLAP) 根据电磁兼容性和电信 (ECT) LAP 进行认证的技术要求。ECT LAP 有两本计划手册。本手册涵盖了用于证明符合美国联邦法规 (CFR) 第 47 章电信第 15 部分数字设备和 FCC 第 68 部分模拟和数字中规定的 FCC 要求的测试方法。第二本计划手册 NIST 手册 150-14 描述了军用标准 461/462 电磁兼容性中测试方法的要求。计划手册旨在供已获认可实验室和寻求认可的实验室的工作人员、其他实验室认可系统、实验室服务的用户以及其他需要了解认可要求信息的人员参考和使用。
用于电信，存储，动力和IDC
•LFP电池：化学电源，用于存储和电源的化学电源•监视：根据客户的要求，可选组件•CH。＆disch。管理：电荷和放电电路的当前限制•细胞保护：针对短路，过度充电，过度流动等。•单元平衡：系统均衡与那些不平衡的LFP单元格
数据通信和电信中的近期光子应用。......
0. 前言 高度数字化社会的弊端之一是数据中心的高能耗，这正日益成为瓶颈。为此提到的解决方案之一是越来越多地使用光子学进行数据传输。对于用于连接数据中心的网络电缆，这已经很常见了。下一个重大举措是使用光子集成芯片代替电子芯片。这种光子集成芯片不会像电子芯片那样产生热量而导致能量损失。因此，数据中心的空调设备也不必像现在这样冷却。荷兰在国家增长基金中为此拨出 10 亿美元的计划，显示出对集成光子学领域的雄心。最近，PhotonDelta 财团为此获得了一项奖励，投资 12 亿欧元用于荷兰生产线。这主要针对四个应用领域，其中数据和电信在机遇和挑战方面无疑是第一。问题出现了：这些应用是否已经做好了上市准备，我们能否在荷兰率先推出它们？本文介绍的研究表明，形势十分紧迫，光纤网络已经深入数据中心，但光子学在服务器本身的应用仍处于起步阶段。应该有所作为的光子芯片仍然过于昂贵，而且尚未得到数据中心大规模采用的验证。等待价格曲线下降将导致失去设计和生产这些光子芯片的主动权，并延迟使我们紧张的数据基础设施更加节能。LEAP 希望传递给政府和价值链中涉及的其他各方的考虑之一是实施一个高度集中的“登月”计划，为数据中心设计这套光子芯片，并将它们投入荷兰领先的数据中心生产。从而将荷兰定位为该领域的先驱者，使其率先享受节能数据基础设施带来的好处，并在 2030 年围绕光子学为新一代建立新的经济部门。