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Sn掺杂TiO2薄膜的合成和表征...
M. Vanmathi A，，A。PriyaA，M。S. Tahir A，Sahir A，M。S. Razakh a，M。M. Senthil Kumar B，*，R。Indrajit C，R。Indrajit C，V。Elango D，G。Senguttuvan E，R v. Mangalaraja f。泰米尔纳德邦，印度-600 048 B机械工程学院，Vellore技术研究所，钦奈，泰米尔纳德邦，泰米尔纳德邦，印度-600 127 c物理系印度纳杜（NADU），600 089 E物理学系，安娜大学蒂鲁奇拉帕利大学工程学院毒性。进一步的金属掺杂可改变电导率，电气和光学特性。在这项研究中，使用喷雾热解技术进行了SN掺杂TIO 2的沉积。通过使用Hall效应技术获得了电性能，并通过X射线衍射和EDAX扫描电子显微镜分析膜的结构特性。X射线衍射的结果表明，通过喷雾热解沉积的薄膜是多晶的多晶，在（002）场的方向上优先取向。SEM分析表现出通过喷雾热解沉积的薄膜的膜结构。使用HALL效应技术获得了电导率的结果。（2024年6月7日收到； 2024年9月26日接受）关键词：二氧化钛（TIO 2），X射线衍射，扫描电子显微镜（SEM），Hall效果1。今天的引言，众所周知，大多数半导体使用二氧化钛纳米颗粒[1]。TiO 2在传感器[2]，抗菌剂[3]，氢[4]，照片催化剂[5]和水蒸发[6]中找到了其应用。tio 2以其良好的光学特性，廉价，无毒和化学稳定而闻名。
施加应力对薄ZR的铁电性的影响...
摘要：已经广泛研究了基于HFO 2的铁电材料，用于将其用于铁电FET，这与常规CMOS过程兼容。但是，材料固有的疲劳特性的问题限制了其用于设备应用的潜力。本文系统地研究了拉伸应力和退火温度对ZR掺杂的HFO HFO 2铁电灯面临的耐力和铁电特性的影响。残余极化（P R）显示了退火温度的趋势增加，而在与应激或退火温度的关系方面，强制性电场（E C）的变化并不明显。此外，拉伸应力的应用确实有助于将耐力特性提高到两个数量级的数量级，而耐力特性显示出与退火温度负相关的趋势。总体而言，尽管应力对HZO材料的铁电性的影响并不明显，但它对其耐力的特性具有很大的影响，并且可以优化材料的耐力，而铁电性对温度的依赖性更高。通过压力优化HZO材料的耐力特性可以促进其在未来的集成电路技术中的开发和应用。
chiro-optoelectronic编码多级薄膜电子
图1。基于加密的基于逻辑系统的多相关光学通信。（a）蒸发诱导的自组装（EISA）CNC膜上iTO/玻璃基板上。通过精确降低NaCl溶液，CNC的手性螺距通过相对湿度控制（比例尺为1mm）调节。（b）由光子带隙（相对湿度，H和盐浓度，S）和光子能量（波长，W和极化状态，P）触发的生物多值逻辑系统的图形符号，并通过以下转换后的字母字母来解码电信号。（c）基于集成电路的光学通信启用了主动性手性生物射线层。特定的输入提供了光学通信，并通过在系统中调整H通过加密传输“制造”信号。
无序钨薄膜超导性的起源
最常见的钨andα-W同质量在约11 mk的温度下具有超导过渡。然而，据报道，当合成为薄膜时，温度范围内具有超导的过渡，在温度范围内t c〜2-5 k：晶体β-W和无定形W（A -W）。在这项工作中，我们对使用DC磁控溅射，运输，低频磁屏蔽响应和透射电子显微镜进行了系统研究。我们的结果表明，虽然A -W确实是常规的超导体，但β-W并不是一个超过2.3 K的超导体。在推定的β -W fif中，具有T c> 3 k的超导能力可能起源于在β-W相下形成的无定形相。我们的发现调和了β -W中报道的一些异常，例如非常小的超导间隙和随着纤维厚度的增加而减少T c。
原子级薄晶体银纳米结构中的超受限等离子体
将光限制到原子尺度的能力对于光电子学和光学传感应用的开发以及纳米级量子现象的探索至关重要。厚度仅为几个原子层的金属纳米结构中的等离子体可以实现这种限制，尽管亚纳米级的制造缺陷阻碍了实际发展。在这里，通过预图案化硅基板并外延沉积厚度仅为几个原子层的银膜制造的原子级薄结晶银纳米结构中展示了窄等离子体。具体而言，对硅晶片进行光刻图案化以引入按需横向形状，对样品进行化学处理以获得原子级平坦的硅表面，并外延沉积银以获得具有指定形态的超薄结晶金属膜。按照此程序制造的结构可以对近红外光谱区域的光场约束进行前所未有的控制，这里通过观察具有极端空间约束和高品质因子的基阶和高阶等离子体来说明这一点，这些因子反映了金属的晶体性。本研究在空间约束程度和品质因数方面取得了实质性的改进，这将有助于设计和利用原子级纳米等离子体器件用于光电子、传感和量子物理应用。
促进全固态薄膜电池的制造
电池模块包含三种类型的沉积室。PLD 室使我们能够生长外延阴极和固态电解质，这些电解质可以以择优晶体取向生长，以研究和优化其性能。配备转盘，我们能够依次沉积多达 6 种靶材。PLD 室具有双光束设置，使我们能够同时沉积两个靶材。溅射室可用于沉积金属或氧化物薄膜，特别是含氮电解质（如 LiPON）或阴极涂层，以帮助控制金属从阴极溶解到电解质中。直接连接热蒸发器，无需破坏真空即可依次沉积金属（如锂阳极）。
焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏
焊接对薄型硅太阳能电池造成的损伤以及模块中破裂电池的检测 Andrew M. Gabor、Mike Ralli、Shaun Montminy、Luis Alegria、Chris Bordonaro、Joe Woods、Larry Felton Evergreen Solar, Inc. 138 Bartlett St., Marlborough, MA 01752, 508-597-2317, agabor@evergreensolar.com Max Davis、Brian Atchley、Tyler Williams GreenMountain Engineering 500 Third St, Suite 265, San Francisco, CA 94107 摘要：降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺导致硅片和电池厚度不断减小。工艺、材料和处理设备必须进行调整以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将电线焊接到电池上是变得更具挑战性的步骤之一。电池可能在加工过程中破裂，或者由于加工过程中的损坏导致模块破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 开发了有助于优化工艺、设备和材料的工具，并开发了改进的模块级裂纹检测方法。在本文中，我们描述了一种电池破损强度测试仪，我们将其构建为一种快速反馈和质量控制工具，用于改进和监控焊接过程。我们还描述了一种电致发光裂纹检测系统，我们开发该系统是为了快速、无损地对模块中破裂的电池进行成像。有限元建模用于解释为什么与背面相比，在模块的玻璃面上加载时电池更容易破裂。关键词：模块制造、可靠性、焊接 1 简介 降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，正在推动晶圆和电池厚度的稳步下降。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将导线焊接到电池上是更具挑战性的步骤之一。电池可能会在此过程中破裂，或者由于在此过程中造成的损坏，模块随后会破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 正在研究裂纹形成的机制，并正在开发有助于优化工艺和材料的工具，并正在开发模块级裂纹检测的改进方法。
薄壁高强度压铸合金
问题 – 高流动性铝合金和镁合金无法通过减小截面实现轻量化 – 高强度合金（A201、A206）无法压铸 目标 – 开发用于薄壁应用的高流动性合金、加工参数和模具设计方法 – 开发用于高强度合金（如 A201 和 A206）的 SSM 和挤压铸造工艺参数 优势 – 通过减轻重量、提高强度和提高生产可靠性实现更高质量/性能的部件 – 通过缩短周期时间、减少金属用量和增加模具寿命实现成本节约 – 通过增加模具寿命实现供应链可靠性 – 环境改善（降低能耗） 里程碑/可交付成果 – 薄壁合金成分和工艺参数 – 高强度铝合金加工参数 – 属性数据 – 模具和工艺设计的计算机建模方法
高弹性超导SRTIO3薄膜中的异常运输
对半导体转运的微妙影响的研究需要高质量密度的高质量外延结构。使用杂交分子束外延（MBE），低温迁移率超过42,000 cm 2 v -1 s -1的SRTIO 3膜在3×10 17 cm -3的低载体密度下进行。在第二个LIFSHITZ的过渡中观察到了残留电阻率突然而急剧下降，并伴随着超导过渡温度的增强，在该转变中，第三个带被占据，揭示了主要的内映射散射。这些薄膜进一步揭示了由于抗扭曲（AFD）过渡和霍尔散射因子的温度依赖性而导致霍尔载体密度的异常行为。使用混合MBE的生长，现象学模型，依赖温度的转运测量以及扫描超导量子干扰装置成像，我们提供了对srtio srtio srtio和超电导性能的Intera-Inter-trance inter-trance inty vtilus contrative contress inter-trance sctivation和AFD结构壁的重要作用的关键见解。