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用于 2.5–5tnqx202f;THz 子带间光子学的高质量 CMOS 兼容 n 型 SiGe 抛物线量子阱
* 通讯作者：Michele Ortolani，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291，00161 罗马，意大利；以及罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 Rome, Italy，电子邮件：michele.ortolani@roma1.infn.it。 https://orcid.org/0000-0002-7203-5355 Elena Campagna、Enrico Talamas Simola、Luciana Di Gaspare 和 Monica De Seta，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利，电子邮件：elena.campagna@uniroma3.it（E. Campagna），enrico.talamassimola@uniroma3.it（E. Talamas Simola）。 https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E. Campagna）。 https://orcid.org/0000-0001-5468-6712 (E. Talamas Simola) Tommaso Venanzi，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291, 00161 罗马，意大利，电子邮件：tommaso.venanzi@uniroma1.it Fritz Berkmann 和 Leonetta Baldassarre，罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 罗马，意大利，电子邮件：fritz.berkmann@uniroma1.it (F. Berkmann) Cedric Corley-Wiciak，IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国，电子邮件：cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子与微系统研究所（CNR- IMM），VIII Strada 5，卡塔尼亚 95121，意大利 Giovanni Capellini，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利；以及 IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国 Michele Virgilio，物理学系“E.费米”，大学；比萨，Largo Pontecorvo 3，比萨 56127，意大利，电子邮件：michele.virgilio@unipi.it
用于 2.5–5tnqx202f;THz 子带间光子学的高质量 CMOS 兼容 n 型 SiGe 抛物线量子阱
* 通讯作者：Michele Ortolani，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291，00161 罗马，意大利；以及罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 Rome, Italy，电子邮件：michele.ortolani@roma1.infn.it。 https://orcid.org/0000-0002-7203-5355 Elena Campagna、Enrico Talamas Simola、Luciana Di Gaspare 和 Monica De Seta，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利，电子邮件：elena.campagna@uniroma3.it（E. Campagna），enrico.talamassimola@uniroma3.it（E. Talamas Simola）。 https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E. Campagna）。 https://orcid.org/0000-0001-5468-6712 (E. Talamas Simola) Tommaso Venanzi，意大利理工学院生命纳米与神经科学中心，Viale Regina Elena 291, 00161 罗马，意大利，电子邮件：tommaso.venanzi@uniroma1.it Fritz Berkmann 和 Leonetta Baldassarre，罗马大学物理系，Piazzale Aldo Moro 2, 00185 罗马，意大利，电子邮件：fritz.berkmann@uniroma1.it (F. Berkmann) Cedric Corley-Wiciak，IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国，电子邮件：cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子与微系统研究所（CNR- IMM），VIII Strada 5，卡塔尼亚 95121，意大利 Giovanni Capellini，大学科学系；罗马第三研究学院，Viale G. Marconi 446，罗马 00146，意大利；以及 IHP-Leibniz 创新微电子研究所，Im Technologiepark 25，法兰克福（奥得河畔）15236，德国 Michele Virgilio，物理学系“E.费米”，大学；比萨，Largo Pontecorvo 3，比萨 56127，意大利，电子邮件：michele.virgilio@unipi.it
高质量的CMOS兼容N型SIGE抛物线量量子孔，用于2.5-5TNQX202F； THz
*Corpsontding作者：Michele Ortolani，生命中心Nano＆Neuro Science，意大利理工学院，Viale Regina Elena 291，00161，意大利罗马；和物理系“ Sapienza”罗马大学，Piazzale Aldo Moro 2，00185，意大利罗马，电子邮件：michele.ortolani@roma@roma1.infn.it。https://orcid.org/0000-0002-7203-5355 Elena运动，Enrico Talamas Simola，Gaspare的Luciana和大学科学系Monica de Seta；在罗马研究中，Viale G. Marconi 446，罗马00146，意大利，电子邮件：elena.campagna@uniroma3.it（E。竞选），Enrico.talamassimola@uniroma@uniroma@uniroma3.it（E。Talamas Simola）。https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E.广告系列）。 https://orcid.org/0000-0001-5468-6712（E. Talamas Simola）Tommaso Venanzi，意大利技术研究所，意大利技术研究所，Viale Regina Elena 291，00161 Rome，00161 ROME，00161 ROME，EMMAN，EMMAN：和莱昂内塔·巴尔达萨尔（Leonetta Baldassarre Technologiepark 25，Frankfurt，（Oder）15236，德国，电子邮件：Cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子和微型系统研究所（CNR- IM）（CNR- IM），VIII STRADA 5，VIII STRADA 5，CATANIA 95121，ITALY GIOVAND GIOVANDIALY GIOVANCENT CAPINES，分校在罗马研究中，意大利罗马00146的Viale G. Marconi 446；和IHP-LeibnizInstitutFür创新的Mikroelelektronik，IM Technologiepark 25，Frankfurt（Oder）15236，德国Michele Michele Virgilio物理学部”，E。https://orcid.org/0000-0001-7121-8806（E.广告系列）。https://orcid.org/0000-0001-5468-6712（E. Talamas Simola）Tommaso Venanzi，意大利技术研究所，意大利技术研究所，Viale Regina Elena 291，00161 Rome，00161 ROME，00161 ROME，EMMAN，EMMAN：和莱昂内塔·巴尔达萨尔（Leonetta Baldassarre Technologiepark 25，Frankfurt，（Oder）15236，德国，电子邮件：Cedric.corley@esrf.fr Giuseppe Nicotra，微电子和微型系统研究所（CNR- IM）（CNR- IM），VIII STRADA 5，VIII STRADA 5，CATANIA 95121，ITALY GIOVAND GIOVANDIALY GIOVANCENT CAPINES，分校在罗马研究中，意大利罗马00146的Viale G. Marconi 446；和IHP-LeibnizInstitutFür创新的Mikroelelektronik，IM Technologiepark 25，Frankfurt（Oder）15236，德国Michele Michele Virgilio物理学部”，E。
ETSI GR THZ 001 V1.1.1（2024-01）
社区防御模型（CDM）[I.16]代表最新的数据驱动方法。CDM结合了最新数据泄露调查报告（DBIRS）的信息，以及来自美国多国家信息共享和分析中心（MS-ISAC®）的数据，以识别五种最重要的攻击类型。使用MITER对抗策略，技术和常识（ATT＆CK®）框架来描述攻击，以创建攻击模式（或这些攻击中使用的策略和技术的特定组合）。这种方法允许分析个人防御行动的价值（即保障措施）防止这些攻击。对控件的先前版本使用术语“子控制”而不是“保障”。这种方法还提供了一种一致且可解释的方法，以查看攻击者生命周期中给定的一组防御行动的安全价值，并为防御性防御等策略提供基础。它代表了识别控件或任何子集的安全价值的主要步骤。这些活动确保安全性最佳实践（包括控制和基准）是一种规定，优先，高度集中的行动，具有社区支持网络，可实现它们，可实施，可实现，可用，可扩展性，并与所有行业或政府安全要求保持一致。
THZ 004 -V1.1.1GR MEC 041- v3.1.1
证明是创建，传达和评估计算系统的可信度特征的过程。这是在一个依赖方的场景中通过入学和验证者角色来完成的（例如API端点）评估另一个计算实体的可信度（例如API请求者）。验证者可以驻留在（例如）API后端和API请求者的API后端。通常，依赖方向入场者发出挑战请求，以了解API请求者特征的特定范围。完整性测量（例如Digests）（例如固件，内核模块。验证者验证了已收到的证明证据，并将其与先前交付给验证者的已知良好值进行了比较，以对证明系统及其软件堆栈的可信度作出判决。通常，招待会以隐式信任的信任根构建，也就是说，对信任的根源的信任是由其制造商签发的证书或其他认可文档，以描述信任技术的根源。通常，使用耐篡改技术实现信任的根（请参阅[I.37]）。一个值得信赖的招待会通常具有受自信的可信度模块，这些模块由信任根或代表信任的模块检查，请参见[i.38]。此外，实施证明角色的实体之间的信任关系，例如ADTSTER，验证者和依赖方通常是使用公共密钥基础架构（PKI）建立的，但也可以使用替代方案，请参见[I.39]。
超快相干 THz 晶格动力学与范德华反铁磁体 FePS 3中的自旋耦合
少原子层薄材料 [1–3] 的合成引发了大规模研究的火花，旨在操控其宏观特性。最近，二维磁有序材料也已生成。[4–7] 这些化合物的长程磁序似乎极易受到晶格畸变的影响，这是因为磁各向异性在稳定二维磁体中的长程有序方面发挥了作用。[8] 通过各种机制超快产生声子已被证明是在基本时间尺度上驱动和控制块体磁体自旋动力学的有力工具。[9–14] 这种途径也适用于范德华二维材料晶体，最近在铁磁 CrI 3 晶体中发现动态自旋晶格耦合就证明了这一点。 [15] 从自旋电子学角度来看，二维反铁磁体与铁磁体相比具有几个基本优势。主要优势在于基态更稳定，磁共振频率在 THz 范围内，比铁磁体高几个数量级。至关重要的是，反铁磁磁子与声子的耦合处于光学声子的能量范围内，这导致了最近有关二维反铁磁材料中杂化磁子-声子准粒子的报道。[16–20] 因此，光驱动的集体晶格模式具有在二维反铁磁体中光学控制长程磁序的潜力，这是基于已证实的可能性，即使光子能量远离其本征频率，也可以完全相干地驱动此类模式[21,22]，也基于它们与磁子的强耦合。在此背景下，过渡金属三硫属磷酸盐（MPX3，其中M = Ni、Fe、Mn、... 和X = S、Se）代表了一类有趣的范德华反铁磁体。[23–26] 虽然据报道在独立的 NiPS3 块体单晶中 [27] 可以产生光学磁振子，但这种材料缺乏可扩展性到二维极限。事实上，实验证明，NiPS3 的单原子层在磁排序上与 MnPS3 [28] 和 FePS3 [25] 并无不同。
工程在山谷光子晶体中破坏拓扑保护，使THZ 6G通信及以后
摘要 - 用于数据密集型应用程序（例如增强和虚拟现实）的集成，低损坏和有效的系统需要芯片集成的光子电路，这些电路具有高级信息和通信技术的巨大潜力，包括6G无线网络以及Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Intra-Covil-toctuits。实现这场革命的有前途的平台是谷光子晶体（VPC）。vpcs可以构建拓扑界面，这有助于通过单向边缘模式造成最小损失和反向散射的光支持。界面拓扑界面和这些坚固的边缘模式所经历的拓扑保护程度是一个相对较新的观点，值得探索。对数据密集型数据速率的越来越多的需求
强 THz 脉冲驱动的胶体 CdSe/CdS 核/壳量子点中的超快电吸收切换
快速发展的现代光通信系统需要小型电光器件，其光学特性需要能够大幅度快速变化。这种纳米级器件可以用作数据存储或片上数据链路的光互连。[1] 在过去的几十年中，基于量子阱结构的电吸收 (EA) 调制器已被提出在高速光网络中发挥特别有前景的作用。[2,3] 利用量子限制斯塔克效应 (QCSE)，这些材料的光学特性可以通过沿限制轴的外部电场进行调制，即通过倾斜势阱。由于这种“倾斜”的价带和导带，相关的最低能量电子和空穴波函数将定位在势阱的相对侧，从而导致带隙附近的吸收光谱发生变化。这种场诱导调制的典型特征是波函数之间的重叠积分降低，相关光学跃迁的振荡器强度降低，以及跃迁能量降低，这表现为吸收带边缘红移。[4–6]
dyco5，co32fe68和gd27fe73薄膜从直流到40 thz
将电子自旋纳入电子设备是旋转的核心思想。[1]这个不断增长的研究领域最终旨在在Terahertz（THZ）速率上产生，控制和检测自旋电流。[2]要实现这种高速自旋操作，旋转轨道相互作用（SOI），尽管很弱，但它起着关键作用，因为它将电子的运动与旋转状态相结合。[3]从经典的角度来看，SOI可以理解为旋转依赖性的有效磁场，该磁场会在相反的方向上偏转转移旋转和旋转传导电子（见图1 A）。SOI的重要后果是旋转厅效应（SHA）[4]及其磁反部分，即异常效果（AHE）。[5,6]在带有SOI的金属中，她将电荷电流转换为横向纯自旋
缩回注意：用于高速THZ应用的光子带隙（PBG）结构的微带贴片天线的设计和分析
关注点，包括但不限于折衷的同行评审过程，不适当或无关紧要的参考文献，其中包含非标准短语或不在期刊范围内。根据调查的发现，出版商与主持人协商，因此不再对本文的结果和结论充满信心。