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甲基铵锡卤化物钙钛矿的晶体结构和相变
使用安装在 J-PARC 材料与生命科学实验设施的单晶衍射仪 SENJU (BL18) 和超高分辨率粉末衍射仪 SuperHRPD (BL08) 收集飞行时间中子衍射数据。如图 1(a) 所示，在 MASnBr 3 的五个相中观察到的衍射图案彼此明显不同，表明晶体结构通过四个相变依次变化。该结果需要重新考虑 g、d 和 e 相的结构，其中 b - g 相和 d – e 相之间没有观察到明显的结构变化[1]。对于 MASnI 3 ，如先前报道的那样[2][3]，识别出三个具有不同结构的相（图 1(b)）。最低温相的结构仍然不确定，但 b 相和 g 相之间衍射图案的剧烈变化表明结构对称性从四方晶系到三斜晶系显著降低。立方a相单晶结构分析表明MA分子的质心位于立方晶胞中心之外，用最大熵法合成的分子核密度沿立方轴呈现各向异性分布。这些趋势在MASnBr 3 中表现得更为明显，表明X = Br晶体中有机-无机相互作用的影响更强。
用于光电、光伏和储能设备的氧化锡：综述
金属氧化物半导体是一类在我们的生活中得到日益广泛应用的材料，因为它们具有有趣的可调能带隙、优异的化学和机械稳定性等。随着技术的进步，能够生产出薄膜、纳米粒子、纳米线和纳米棒形式的金属氧化物，它们的应用多年来不断增长，从半导体电子器件扩展到传感器、光电子器件、催化、能量收集和存储设备。1 – 38 半导体金属氧化物的一个有趣的应用源于这样一个事实：一些金属氧化物可以掺杂外来元素，从而表现出与金属相当的电导率。这种氧化物的薄膜允许光通过，几乎不产生吸收，因此这种薄膜非常适用于作为光电器件的电极，因为光电器件需要既对光透明又能像金属一样导电的材料。这导致了透明导电氧化物 (TCO) 的发展，它是近代大多数光电子和光伏设备不可或缺的一部分。导电透明金属氧化物薄膜，例如 SnO 2 和 ZnO（氧化锌），正在许多消费电子产品中找到应用，尤其是平板显示器、触摸屏、光伏设备、低辐射玻璃、节能窗和储能设备。8 – 10,12 – 14,39 透明导电膜是一种薄层导电材料，在可见光范围内具有低吸收率（或高光透射率），是上述任何设备的基本要求。20 电导率和透明度可以进行定制，以扩大其在大量应用中的效用。 20 – 26 除透明导电薄膜外，氧化物/金属/氧化物多层结构也得到了广泛的研究，以提高它们的光透射率和电导率，以满足 TCO 的要求。11,40 – 42 图 1 显示了不同的透明氧化物及其在光伏设备、触摸屏、平板显示器和节能智能窗中的应用。然而，只有少数掺杂特定元素的金属氧化物作为 TCO 表现出令人满意的性能，例如铟 (In) 掺杂的 SnO 2 (ITO)、氟 (F) 掺杂的 SnO 2、铝 (Al) 掺杂的 ZnO、镓 (Ga) 掺杂的 ZnO 等，尽管这些都有各自的局限性。二氧化锡作为透明导电氧化物 (TCO) 因其广泛的应用而受到了广泛的研究关注，并得到了许多研究人员的评述。 9,12,43,44 评论文章主要讨论了 ITO 的挑战和机遇。它既具有低电阻率，又具有
基于二氧化锡1的气敏传感器伏安特性研究
引言目前，微电子气体传感器广泛应用于环境监测、通风和空调系统、家用设备和汽车工业[1,2]。它们还用于确定采矿、化学和冶金工业中危险气体的最大允许浓度[3,4]。在众多的金属氧化物半导体中，二氧化锡被认为是最有前途的传感材料[5]。气敏电阻型传感器采用二氧化锡制造，通过测量触点间电阻的变化来检测空气中气体的存在。气体传感器的小型化在保持工作电压的同时，增加了触点间隙中的电场。这会刺激离子吸附气体粒子在活性层表面的迁移，影响气敏装置的整体特性，并实现气体的分析和识别[6,7]。研究金属氧化物半导体结构的电物理特性通常涉及测量介电氧化物层的伏特-法拉特性（通常在高频下）以及具有相对较高电导率的氧化物层在直流下的伏特-安培特性 (IVC)。本研究介绍了基于 SnO 2 /Si 的异质结中电流传输机制的实验结果。
锡须：为 DMSMS 增加新维度的可靠性风险
GIDEP AAN-U-05-093 2005 年 9 月 13 日：NRC 通告 2005-25：由于锡晶须导致反应堆意外跳闸和部分安全注入启动 • 2005 年 4 月 17 日 – 米尔斯通核电站因保护系统电路板故障导致意外安全注入启动和反应堆跳闸 • 导致“…安全列车启动和反应堆跳闸” • 一根锡晶须在二极管和电路板上的输出走线之间形成桥接（短路）
锡须：为 DMSMS 增加新维度的可靠性风险
GIDEP AAN-U-05-093 2005 年 9 月 13 日：NRC 通告 2005-25：由于锡晶须导致反应堆意外跳闸和部分安全注入启动 • 2005 年 4 月 17 日 – 米尔斯通核电站因保护系统电路板故障导致意外安全注入启动和反应堆跳闸 • 导致“…安全列车启动和反应堆跳闸” • 一根锡晶须在二极管和电路板上的输出走线之间形成桥接（短路）
ISSN：1390-9266 E-SSN：1390-9134 LAJCISSN：1390-9266 E-SSN：1390-9134 LAJC
使命国家理工学院是一所公立，世俗和民主的大学，保证了所有成员的思想自由，他们致力于为厄瓜多尔的进步做出重大贡献。 div>我们组成了工程，科学，行政科学和技术领域的研究人员和专业人士，能够通过传播我们在学位，研究生课程和研究项目中产生的科学知识来为社会的福祉做出贡献。 div>我们有一个合格的教学工厂，有能力的学生和支持员工，以应对厄瓜多尔社会的要求。 div>
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
在室温下揭示锗锡半导体的热导率
材料的低导热率是其潜在应用在高性能热电设备中的关键基本参数。在室温下实验可获得今元（GE 1 -x sn x）半导体薄膜的纯度低电导率。在宽松的GE 1 -x Sn X二进制合金中，导热率随着SN浓度的增加而降低，这主要是通过合金通过合金增加原子之间的原子间距离来解释。在宽松的GE 1 -x sn X中，从58 w m -1 k -1中明显降低了20次，从58 w m -1 k -1降低到≈2.5w m -1 k -1，观察到sn含量最高为9％。该热导率仅比最先进的热电材料（胞晶硒酸硒酸盐）高2倍。ge 1-x sn x是一种无毒的组IV型半导体材料，它是使用半导体行业标准表育观生长技术的标准硅晶片上的外延生长的。因此，它可以导致期待已久的高性能低成本热电产生器，用于在人类日常生活中的室温应用，并将为CO 2发射和绿色的电力发电中的全球效果做出重大贡献。
X 界面键形成 (X = AlN、TiN - RWTH 出版物
为了了解聚碳酸酯 (PC) 和磁控溅射金属氮化物薄膜之间的界面键形成，通过从头算模拟和 X 射线光电子能谱对 PC | X 界面 (X = AlN、TiN、(Ti,Al)N) 进行了比较研究。模拟预测界面处会出现显著差异，因为 N 和 Ti 与聚合物的所有功能团形成键，而 Al 仅与原始 PC 的碳酸酯基团选择性反应。与模拟结果一致，实验数据表明 PC | AlN 和 PC | (Ti,Al)N 界面主要由界面 C ─ N 键定义，而对于 PC | TiN，界面形成还以大量 C ─ Ti 和 (C ─ O) ─ Ti 键为特征。结合键强度计算和测得的界面键密度表明，PC | (Ti,Al)N 界面最强，其次是 PC | AlN，而预测最弱的是 PC | TiN 的强界面 C─N 键密度较低。本研究表明，所采用的计算策略能够预测 PC 和金属氮化物之间的界面键形成，并且可以合理地假设本文提出的研究策略可以很容易地适应其他有机|无机界面。
