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CRS2的结构变形和机械响应，...
在密度功能理论（DFT）的框架中，我们研究了具有平面外结构不对称性的Janus CRSSE的结构变形和机械行为，并使用常规的过渡金属二进制二进制基因生元（TMDS）CRS CRS 2和CRSE 2和CRSE 2。Janus CRSSE可能是可加工的光电和压电应用的潜在候选者。我们预测这些化合物在化学，机械上是在TM（CR）和chalcogen（X = S，SE）原子之间的共价键中动态稳定的。由于拉伸应变的影响，每个单层的CR-X键长增加，厚度降低。有趣的是，janus crsse的平面内固定，剪切和层模量，泊松比，最终的BI/单轴应力介于CRS 2和CRSE 2单层的值之间。与TMD相似，方向依赖于平面内部和Poisson的比例证明了Janus CRSSE中的各向同性行为。此外，它可以维持更大的单轴/双轴拉伸应变，其临界应变等于CRX 2单层。通过应用高阶应变，我们还发现了预期的平均弹性塑性行为。这些发现表明，Janus CRSSE单层是一种机械稳定且延性的化合物，可维持杂种行为。
半导体过渡金属元素元素中的泵驱动的光磁特性：分析模型
半导体过渡金属二盐元素（TMDS）MX 2（M = MO，W; X = S，SE）的家族作为未来技术应用的最有希望的平台之一[1-4]。这些材料的确是存在许多自由度的特征（电荷，旋转，山谷，层，晶格，。。。），互相纠缠[5-11]，开放了通过外部磁或电场以受控，灵活和可逆的方式调整电子/光学/磁/传输特性的可能性。在单层级别隔离时，这些化合物在布里渊区的高对称点K，k'的山谷中呈现直接带隙，如光致发光探针所示[5,7,12-12-15]。与石墨烯中一样，蜂窝状晶格结构反映在特殊的光学选择规则中，该规则在圆形偏振光下诱导给定山谷中有选择性的频带间光学转变。这种情况提示了“ Valleytronics”的概念，即在单个山谷中选择性地操纵自由度的可能性[13，14]。在单层化合物中广泛探索了TMD中的这种光敏性[2，4，8，16 - 30]。一种常见的工具是观察光学二色性，即左手或右圆极化光子上的不同光学响应。这些化合物相对于石墨烯的一个显着差异是存在强的自旋轨道耦合，该耦合提供了价带的相当大的自旋分解。在这种情况下，循环极化的光不仅与给定山谷有选择地结合，而且还与给定的自旋连接，在传导带中产生自旋偏振电荷，以及价带中的相反旋转电荷[4、8、8、16-23、26、26、26、27、29、29、31-36]。可以通过观察有限的Kerr或Faraday旋转来方便地研究光线和自旋种群之间的纠缠[37-39]。这些效应表明样品中存在固有磁场的存在，在单层TMD中，它们可以自然触发，这是由于圆形极化泵的结果[40]，
二硫化钼中纳米片和纳米花的抗菌活性：综合综述
与传统抗生素不同，由 2D 纳米材料制成的抗菌剂可以以较少的量使用，从而降低副作用和耐药性问题的风险。由于 MoS 2 等 TMD 具有移动性、稳定性、价格合理、与身体相容性、多功能性和易于生产等特点，它们在医学领域对抗癌症和细菌方面显示出良好的前景 [11]。研究人员正在探索 MoS 2 的各种应用，包括增强性能、医疗用途和电子产品。虽然 MoS 2 纳米材料具有显着的属性，但如果不进行适当修改，则在医学中使用它们会受到限制。通过加入其他功能来增强 MoS 2 可以扩展其潜在应用。此外，将 MoS 2 与其他抗菌材料结合可以大大提高其有效性 [12]。
范德华异质结构中的激子辅助电子隧道
隧道光谱已在2D材料的范围内广泛使用，以探索电子 - phonon耦合（自然物理学4，627，2008），以解决电子缺陷状态（Commun Phys 1，94，2018），并调查了共鸣式隧道（Nature Nanotech tunneling（Nature Nanotech 9，808，808，2014，2014，2014年）。此外，在半导体异质结构的传输测量中也观察到了激子（J. Appl。物理。81，6221，1997）。在所有这些研究中，相关状态都被电荷注入激发。另一方面，在我们的工作中，TMD坐在电路外，没有电荷载体注入TMD。
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
二硫化钼（MOS2）纳米材料的合成及应用研究进展
1 无机和分析化学，2 制药，3 无机和分析化学，维沙卡帕特南，530003，印度。摘要：纳米材料的生产和应用研究已经开展多年。由于基本元素钼和另一种化学元素硫（氧族元素）的性质不同，它们具有各种吸引人的特性。尽管我们对二硫化钼纳米粒子的成核、发展和结构所涉及的过程以及其生物特性和催化活性背后的机制的理解取得了重大进展，但仍存在许多困难。纳米材料的进化有助于在纳米级改变材料的形状和结构，以实现所需的应用。为了区分半导体相和金属相，人们开发了准二维 (Q2D) 材料，例如石墨烯和 2D 蜂窝硅，以及层状过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如二硫化钼 (MoS 2 ) (WS2)。因为它在从块体转变为纳米级时能够表现出广泛的特性。其中，二硫化钼 (MoS 2 ) 是一种有趣的多功能材料。由于其 (1.9 eV) 直线带隙值，单片 MoS 2 无疑能够实现后硅电子学。在室温下，它具有高开/关电流比和大约 200 cm 2 (Vs -1 ) 的迁移率。MoS 2 的结构也是其两个特性的决定因素。它对气体传感很有用，因为它具有六边形结构，其中 S-Mo-S 原子层共价连接，相邻的 MoS 2 层之间有范德华连接。由于 MoS 2 具有良好的特性，因此具有多种实际应用。我们力求在这篇综述中涵盖当前的合成技术及其在 2D MoS 2 材料中的应用。关键词：过渡金属二硫化物 (TMD)、二硫化钼 (MoS 2 )、二硫化钼材料的合成技术以及二硫化钼的应用。
可控3R诱导症及其...
分层的过渡金属二分法（TMDS），不仅由多种化合物的组合，而且还具有丰富的晶体结构而爆发了许多可能性。探索新材料，确定其结构和特性一直是材料科学中的原始动机。在这里，我们报告了具有三层堆叠序列（3R）的稀有Tase 2的合成和附魔超导性。环境压力化学蒸气沉积（CVD）策略已用于实现纯3R-Tase 2。低温传输数据显示，在3R-Tase 2中，高超导过渡温度（T C）为1.6 K，这显着高于两层堆叠序列（2H，H：HEXAGONAL）相。结果表明，T C对层堆叠顺序相当敏感，并确认3R在Tase 2中的2H上强烈优选超导性。这项工作证明了一个独特的3R相平台研究超导性能的综合，并提供了有关操纵晶体结构的新见解，以访问超高t c。
在半导体单层Mote2
摘要：电子系统与晶格振动的耦合及其时间有关的控制和检测提供了对半导体非平衡物理学的独特见解。在这里，我们研究了使用宽带光泵 - 探针显微镜封装的半导体单层2 h -mote 2的超快瞬态响应。低于40 fs泵脉冲在A'和B'激子共振的光谱区域中极度强烈且长寿的连贯振荡，这是由于最大瞬态信号的约20％，这是由于平面外A 1G语音的位移激发。从头算计算揭示了由平面外拉伸和晶体晶格的压缩诱导的单层MOTE 2的光吸收的重排，与A 1G型振动一致。我们的结果强调了单层TMD对小结构修饰的光学特性的极端敏感性及其用光操纵。关键字：连贯的声子，激子，超快光谱，过渡金属二分法，二维材料，单层，Mote 2 E
