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2022 财年 HMIS 数据标准（手册）| HUD Exchange
RHY ................................................................................................................................................ 190 R1 转介来源 .............................................................................................................................. 190 R2 RHY - BCP 状态 ...................................................................................................................... 191 R3 性取向 ............................................................................................................................. 193 R4 上次完成的年级 ............................................................................................................. 194 R5 学校状况 ............................................................................................................................. 196 R6 就业状况 ............................................................................................................................. 198 R7 一般健康状况 ............................................................................................................................. 199 R8 牙齿健康状况 ............................................................................................................................. 200 R9 心理健康状况 ............................................................................................................................. 201 R10 怀孕状况 ............................................................................................................................. 202 R11 曾是儿童福利院/F 的监护人
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RHY ................................................................................................................................................ 190 R1 转介来源 .............................................................................................................................. 190 R2 RHY - BCP 状态 ...................................................................................................................... 191 R3 性取向 ............................................................................................................................. 193 R4 上次完成的年级 ............................................................................................................. 194 R5 学校状况 ............................................................................................................................. 196 R6 就业状况 ............................................................................................................................. 198 R7 一般健康状况 ............................................................................................................................. 199 R8 牙齿健康状况 ............................................................................................................................. 200 R9 心理健康状况 ............................................................................................................................. 201 R10 怀孕状况 ............................................................................................................................. 202 R11 曾是儿童福利院/F 的监护人
EE 210 Microelectronics-I 2017-18-II SCDT - Flexe Center网络研讨会系列 认知 - 科学。pdf 建议格式 X射线衍射（XRD） 夏季入学（2023-24-i）... 的临时入围名单 b'' 未成年人名单 研究模块_v6 修订的课程清单（2023-2024-II） 对钢铁行业及其可持续性途径的调查 价格清单 PHY 690K：量子动力学，信息和计算
Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology, Kanpur EE 210 Microelectronics-I 2017-18-II Schedule: Lectures: 10:00 AM – 11:00 AM MWF (L1) Tutorials: 10:00 AM – 11:00 AM Tu (TB103-TB106) Text: Semiconductor Devices and Circuits, Aloke Dutta, Oxford University Press, 2008 References: * Analysis and模拟集成电路的设计； P.R.Gray，P.J。Hurst，S.H。 刘易斯和R.G. Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C. 史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K. iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。Hurst，S.H。刘易斯和R.G.Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C. temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C. 史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K. iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。Meyer； John Wiley＆Sons，第4版，2001年 * MOS模拟电路，用于信号处理； R. Gregorian和G.C.temes;约翰·威利（John Wiley＆Sons），1986年 *微电子电路；作为。 Sedra和K.C.史密斯；牛津大学出版社，第5版，2004年 *微电子学； J. Millman和A. Grabel； McGraw-Hill，第2版，1987年讲师：Aloke Dutta，WL 126，7661，Aloke Tutors：S.S.S.K.iyer（WL 122，7820，Sskiyer），S。Qureshi（WL 211，7133，Qureshi），A。Verma（WL 132，6432，Amitkver）和Aloke Dutta主题：1。I-V特征和基本半导体设备（二极管，BJT和MOSFETS）的小信号模型2。偏见3。放大器4。输出阶段5。放大器的低和高频响应6。放大器的稳定性和补偿7。操作放大器分级：教程评估（微型Quizzes）15％2个测验（1月30日和3月27日）15％中期30％末端 - 末端 - 40％注释：所有相关材料都将在Brihaspati中发布在任何情况下，在任何情况下都可以在任何情况下发布，均不允许使用MINI-QUIZZ