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二维量子宇宙学评论 - Lirias
摘要：我们考虑具有正宇宙常数并与具有大正中心电荷的共形场论耦合的二维量子引力。我们研究经典和量子层面的宇宙学特性。我们对经典相空间进行了完整的 ADM 分析，揭示了一类弹跳或大爆炸/压缩类型的宇宙学。在量子层面，我们精确地求解了 Wheeler-DeWitt 方程。在半经典极限中，我们将 Wheeler-DeWitt 状态空间与经典相空间联系起来。确定了 Hartle-Hawking 和 Vilenkin 类型的波函数，并发现了弹跳时空的量子版本。我们从类时间刘维尔理论的圆盘路径积分中检索了 Hartle-Hawking 波函数。为此，我们必须在复杂场空间中选择一个特定的轮廓。讨论了大爆炸宇宙学的量子信息内容，并将其与通过二球面引力路径积分计算出的德西特视界熵进行了对比。
第二届二维和三维高级量子现象研讨会
姜黄素 (CCMoids) 是一种高效的分子平台，合成过程相对简单，可根据最终用途容纳各种功能单元。尽管 CCMoids 主要用于生物医学应用，但人们对其在纳米科学和纳米技术的其他领域的应用越来越感兴趣。我的团队的工作重点是创造具有发光、配位和/或电子特性的新型 CCMoids，特别关注控制它们在表面和/或设备上的沉积，以便随后应用。因此，CCMoids 的合成使我们将其用作连接体并获得高维材料（1D-3D），并创建纳米线系统，我们的分子允许电子在石墨烯基设备中通过。对于它们的纳米结构，我们探索了不同的溶解、软沉积或升华技术，从而获得与不同基质共价或超分子结合的 CCMoids。这导致了功能化表面、薄膜、晶体和聚集体的产生，除此以外，我们还构建了 BF3 传感表面以及用于电气特性的混合 FET 型设备。本次演讲旨在总结我们与这些主题相关的最新成果并提供未来展望。
在二维光子准晶体中的非热序
摘要 - Cloud文件系统为组织提供可扩展可靠的文件存储解决方案。但是，云文件系统已成为对手的主要目标，传统设计没有能力保护组织免受由恶意云提供商，共同租户或最终客户发起的无数攻击。最近提出了利用加密技术和受信任的执行环境（TEE）的设计，但仍迫使组织进行不良的权衡，从而导致安全性，功能性或性能限制。在本文中，我们介绍了BFS，一个云文件系统，该系统利用TEE提供的安全功能来引导新的安全协议，以提供强大的安全保证，高性能和透明的POSIX样界面，向客户端。bfs提供更强大的安全保证和最多2。在最先进的安全文件系统上加速5倍。此外，与行业标准NFS相比，BFS最多可实现2个。2×跨微基准测试的加速度，对于大多数宏观基准工作负载，<1×开销<1×开销。bfs展示了一个整体云文件系统设计，该设计不会牺牲组织的安全性，但可以包含外包的所有功能和性能优势。
机器学习在材料科学中的应用进展：从非二维到二维材料
建筑材料，尤其是用于大型基础设施项目的建筑材料，需要精确的机械性能。传统上，确定这些性能需要大量且耗时的实验测试。机器学习 (ML) 的出现为有效预测这些性能提供了一条新途径。Babatunde Abiodun Salami 等人 (2022)[1] 利用 232 个实验结果应用 ML 模型（例如人工神经网络 (ANN)、基因表达编程 (GEP) 和梯度提升树 (GBT)）来预测轻质泡沫混凝土的抗压强度。他们发现 GEP 模型在预测泡沫混凝土的抗压强度方面优于其他模型，并且开发的模型可用于优化混合物设计，从而加速开发过程。
在自由空间光通道中动态和湍流介质上保护二维信息载体
本文提出了一种新方案，通过对二维信息载体进行编码，实现动态湍流介质中高保真安全的自由空间光信息传输。将数据转换成一系列二维图案作为信息载体。开发了一种新的差分方法来抑制噪声，并生成一系列随机密钥。将不同数量的吸收滤波器任意组合放置在光通道中，以生成具有高度随机性的密文。实验证明，只有使用正确的安全密钥才能检索明文。实验结果表明，所提方法可行有效。所提方法为在自由空间光通道中通过动态湍流介质实现高保真光信息传输开辟了一条途径。
![b'b't量子Zeno效应以最简单的形式描述了量子系统的频率测量可以减慢其时间演变的现象，最终导致其停止完全改变。已经对封闭量子系统进行了广泛的研究[BN67，MS77，CHE72，FRI76，FP08，EI05，EI21]和开放量子系统[MS03，BZ18，BFN + 20，MW19，MW19，MW19，MAT04，GL \ XC2 \ XC2 \ XA8U16，BDS21，MR24，MR24，MR24，MR 24 \ x3，MR 24 \ x3，MR 24 \ ack x.24 \ x. x.24 \ x3，MR24 \ x.34 \ x.24 \ ack ar x。在[IHBW90，FGMR01，SMB + 06，SHC + 14]中实现了现象的实验验证。量子ZENO效应具有各种应用，例如在控制变质[FJP04，HRB + 06]，量子误差校正[EARV04，PSRDL12]和状态准备[NTY03，NUY04，WYN08]中。在这里，我们考虑以下在量子动态半群下演变的可能无限二维开放量子系统中的量子Zeno效应的一般设置，该系统由E t l'](/simg/a/ae161e8eeb3bdbfc8170793c4ec5d8b9b1753b42.webp)
b'b't量子Zeno效应以最简单的形式描述了量子系统的频率测量可以减慢其时间演变的现象，最终导致其停止完全改变。已经对封闭量子系统进行了广泛的研究[BN67，MS77，CHE72，FRI76，FP08，EI05，EI21]和开放量子系统[MS03，BZ18，BFN + 20，MW19，MW19，MW19，MAT04，GL \ XC2 \ XC2 \ XA8U16，BDS21，MR24，MR24，MR24，MR 24 \ x3，MR 24 \ x3，MR 24 \ ack x.24 \ x. x.24 \ x3，MR24 \ x.34 \ x.24 \ ack ar x。在[IHBW90，FGMR01，SMB + 06，SHC + 14]中实现了现象的实验验证。量子ZENO效应具有各种应用，例如在控制变质[FJP04，HRB + 06]，量子误差校正[EARV04，PSRDL12]和状态准备[NTY03，NUY04，WYN08]中。在这里，我们考虑以下在量子动态半群下演变的可能无限二维开放量子系统中的量子Zeno效应的一般设置，该系统由E t l'
b'b't量子Zeno效应以最简单的形式描述了量子系统的频率测量可以减慢其时间演变的现象，最终导致其停止完全改变。已广泛研究了封闭的量子系统[BN67，MS77，CHE72，FRI76，FP08，EI05，EI21]和开放量子系统[MS03，BZ18，BFN + 20，MW19，MW19，MW19，MAT04，GL \ XC2 \ XC2 \ XC2 \ XA8U16，BDS21，MRM MR MR MR MR MR MR MR MR MR MR MR MR MR MR MR M \ XC2 \ XA8O24]和现象的实验验证是在[IHBW90，FGMR01，SMB + 06，SHC + 14]中实现的。量子ZENO效应具有各种应用，例如在控制反应[FJP04，HRB + 06]，量子误差校正[EARV04，PSRDL12]和状态准备[NTY03，NUY04，WYN08]中。在这里，我们考虑以下在量子动力学半群下进化的无限二维开放量子系统中的量子zeno效应的一般设置，该系统由e t l'
4H-SiC(0001) 上的准独立外延石墨烯作为开尔文探针力显微镜的二维参考标准
开尔文探针力显微镜是一种评估样品和探针尖端之间接触电位差的方法。除非使用具有已知功函数的参考标准（通常是块状金或高取向裂解热解石墨），否则它仍然是一种相对工具。在本报告中，我们建议采用光刻图案化、引线键合结构的形式来验证二维标准，该结构采用无转移 p 型氢插入准独立外延化学气相沉积石墨烯技术在半绝缘高纯度名义上轴上 4H-SiC(0001) 上制造。该特定结构的空穴密度为𝑝 𝑆 = 1.61 × 10 13 cm − 2，通过经典霍尔效应测得，其石墨烯层数为𝑁 = 1.74，该值是从椭偏角𝛹的分布中提取的，在入射角AOI = 50 ◦和波长𝜆 = 490 nm处测量，其功函数为𝜙 𝐺𝑅 = 4.79 eV，由特定𝑝 𝑆 和𝑁的密度泛函理论模型假定。按照该算法，结构和硅尖端之间的接触电位差在𝛥𝑉 𝐺𝑅 −Si = 0处得到验证。 64 V ，应该与𝜙 𝐺𝑅 = 4.79 eV 相关，并作为精确的参考值来计算任意材料的功函数。
由二维硫化镓控制制备原生超薄非晶态氧化镓，用于新兴电子应用
事实证明，二维层状材料的氧化有利于形成氧化物/二维材料异质结构，这为低功耗电子设备的新范式打开了大门。硫化镓（II）（𝜷-GaS）是一种六方相 III 族单硫属化物，是一种宽带隙半导体，单层和少层形式的带隙超过 3 eV。其氧化物氧化镓（Ga 2 O 3）兼具大带隙（4.4-5.3 eV）和高介电常数（≈ 10）。尽管这两种材料都具有技术潜力，但原子级厚度的𝜷-GaS 的受控氧化仍未得到充分探索。本研究重点关注使用氧等离子体处理对𝜷-GaS 进行受控氧化，以解决现有研究中的重大空白。结果表明，在暴露于 10 W 的 O 2 时，能够形成厚度为 4 nm 的超薄天然氧化物 (GaS x O y )，从而形成 GaS x O y /GaS 异质结构，其下方的 GaS 层保持完整。通过将此类结构集成在金属电极之间并施加电压斜坡或脉冲等电应力，研究了它们在电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 中的应用。所产生的氧化物的超薄特性可实现低操作功率，能耗低至每次操作 0.22 nJ，同时分别保持 350 次循环和 10 4 s 的耐久性和保持力。这些结果表明基于氧化的 GaS x O y /GaS 异质结构在电子应用，特别是低功耗存储设备中具有巨大的潜力。
具有大自旋间隙的二维半金属的设计
二维半金属在磁性纳米器件中展现出巨大的潜力。然而，二维半金属的发现仍然基于逐案评估。本文，我们提出了设计具有大自旋间隙的二维过渡金属基半金属的一般规则，即找到具有洪特规则分裂的 d 轨道和深阴离子 p 轨道能级以使 dp 相互作用最小化的材料。基于对具有扭曲四面体晶场的 54 种过渡金属化合物 MX 2（M = 3 d 区过渡金属；X = VIA-VIIA 元素）的 DFT 计算，我们发现所有铁磁化合物都表现出半金属性。我们将半金属性归因于具有弱 dp 轨道杂化的 M 阳离子的部分填充 d 轨道的洪特规则分裂。由于 Cl p 轨道能级较深（− 8.4 eV），氯化物表现出大于 4 eV 的自旋间隙。我们在过渡金属三氯化物 M Cl 3（M = 3 d 区过渡金属）中验证了这一规则。利用这一规则，我们预测铁磁单层 M Cl 和 M 3 Cl 8（M = 3 d 区过渡金属）是具有大带隙的半金属。这项工作丰富了二维半金属的种类，并可能带来新型磁性纳米器件。
基于二维铁电选择β-inse/石墨烯异质结构
3效率算法12 3.1阶段1：线性编程。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 3.2阶段2：舍入。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24 3.2.1边缘步行算法和部分着色引理。。。。。。。。。。。。。。24 3.2.2完整的算法及其性能保证。。。。。。。。。。。。25 3.3我们算法的阈值作为边缘的函数。。。。。。。。。。。。。。。。29 3.3.1大负缘。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 3.3.2边缘零。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 3.3.3大正边缘。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。34 3.4辅助引理。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。35