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第13个亚得利亚神经病学论坛
anf是来自该地区的神经科医生的传统聚会，与往年一样，我们计划为您提供癫痫，多发性硬化症和神经退行性疾病领域的一些顶级专家的精致演讲，并在Cephalea中充满了一些热门话题。
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
晶澳太阳能科技有限公司
七、境内外会计准则下会计数据差异 1、按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、季度财务指标
基于多功能传感器的光晶纤维 - ...
后期：Bilal M.，Lopez-Aguayo S.，Szczerska M.，Madni H.，使用等离子体材料和磁性流体基于光子晶体纤维的多功能传感器，OSA Continuum vol。61，ISS。 35（2022），pp。 10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。 只能为个人使用而制作一张或电子副本。 系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。61，ISS。35（2022），pp。10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。只能为个人使用而制作一张或电子副本。系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。
IHP 的晶圆上测量服务
莱布尼茨 IHP 莱布尼茨高性能微电子研究所 Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 地址 Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) 网站：www.ihp-microelectronics.com 联系人 Dr. René Scholz（MPW 和服务）电子邮件：scholz@ihp-microelectronics.com 电话：+49 335 5625 647 传真：+49 335 5625 327
硅晶片中氧气的定量分析
摘要Kava（Piper Methysticum）是Pepper家族中的一种灌木，它原产于南太平洋岛屿。该根在娱乐和治疗目的传统上被用作饮料，它以镇静，抗焦虑和社交能力的促进者而闻名。它在其特有地区以外的地区广受欢迎，并且已广泛使用。由于不同的药理学作用与Kava的不同品种有关，并且由于可以将品种与组成品的特征链接kavalactone和Flavokavains相关，因此对这些成分的测量可以促进该工厂的安全有效使用。在本申请说明中，提出了一种用于准确预测使用HoribaAqualog®和A-TEEM技术进行的光谱吸光度和荧光测量的Kava根主要成分量的方法。使用一组具有已知化学性质的Kava样品建立了部分最小二乘回归的化学计量模型，并讨论了该模型的改进和适当的应用范围。
2 型糖尿病改变 CAD 基因组风险变异与亚临床动脉粥样硬化之间的关联
冠状动脉疾病 (CAD) 仍然是 2 型糖尿病 (T2D) 患者的主要死因。T2D 和 CAD 都是复杂的疾病特征，既有遗传原因，也有环境原因，因此 T2D 的表现是 CAD 的独特风险因素。一些研究已经检查了 T2D 和 CAD 之间的共同遗传途径，但见解有限。1–5 存在其他动脉粥样硬化指标，这些指标先于临床 CAD 事件发生。这些亚临床动脉粥样硬化指标包括冠状动脉钙化 (CAC)、颈动脉内膜中层厚度 (CIMT) 和颈动脉斑块，可预测未来冠状动脉事件，不受已知风险因素的影响。6,7 此外，亚临床动脉粥样硬化指标与导致 CAD 事件的潜在因果机制更密切相关。8,9 对于 CAC 来说尤其如此，它与 CAD 事件高度相关，并包含在 CAD 风险评估指南中，尤其是对于 T2D 患者。 10 2 型糖尿病患者罹患动脉粥样硬化的风险较高，但还需要进一步研究这些特征之间的生物学相互依赖性。11–16
2 型糖尿病改变 CAD 基因组风险变异与亚临床动脉粥样硬化之间的关联
通信地址：Paul S. de Vries，博士，人类遗传学中心，流行病学、人类遗传学和环境科学系，公共卫生学院，休斯顿健康科学中心，德克萨斯大学，7000 Fannin St 1200，休斯顿，TX 77030，电子邮件 paul.s.devries@uth.tmc.edu；或 Natalie R. Hasbani，公共卫生硕士，人类遗传学中心，流行病学、人类遗传学和环境科学系，公共卫生学院，休斯顿健康科学中心，德克萨斯大学，7000 Fannin St 1200，休斯顿，TX 77030，电子邮件 natalie.hasbani@uth.tmc.edu 本稿件已发送至客座编辑、医学博士 Ruth McPherson，以供专家评审、编辑决定和最终处理。补充材料可在 https://www.ahajournals.org/doi/suppl/10.1161/CIRCGEN.123.004176 上找到。有关资金来源和披露，请参阅第 524 页。© 2023 美国心脏协会。
新型PDE4B4营地特异性磷酸二酯酶同工型的分子克隆和亚细胞分布
我们具有编码PDE4B4的孤立cDNA，这是一种新的营地磷酸二酯酶（PDE4），具有新的特性。PDE4B4的氨基酸序列表明它是由PDE4B基因编码的，但它与先前隔离的PDE4B1，PDE4B2和PDE4B3同工型不同，它通过存在17个氨基酸的新N端区域而存在。PDE4B4包含上游保守区域1（UCR1）和UCR2调节单元，它们是“长” PDE4同工型的特征。RNase保护表明，PDE4B4 mRNA优先在肝脏，骨骼肌和大脑的各个区域中表达，这与其他已知的PDE4B长形式，PDE4B1和PDE4B3的组织分布模式不同。在变性条件下，PDE4B4 cDNA在COS7细胞中的表达产生了85 kDa的蛋白质。重组，COS7细胞表达的PDE4B4的亚细胞分级表明该蛋白质位于