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药物介绍：ziprasidone作用机转
发行人：陈志：周周主：药品咨询组：药品咨询组药品咨询组：台南巿胜利路药品咨询组：台南巿胜利路138号号：（06）2353535转25152515 http：// http：// www。ncku.edu.tw/~pharmacy/ 1207号：ziprasidone
CMI电子和微电体系统课程
教师在工程学的物理学和科学学科领域提供了广泛的培训，从研究基本颗粒到力学和电子产品，通过凝结物质，材料和纳米科学。将三个独立的地点用于课程：历史校园，Cronenbourg的CNRS校园和Illkirch-Graffenstaden的技术大厅。培训优惠包括大约二十个文凭培训，包括与工程学校共同培训，国际合作伙伴关系和共同住宅。这种多元化的报价以其强大的锚定向国家和国际著名实验室以及与区域工业结构的合作，从而为学生提供实践学习和专业经验机会的区别。这种坚实的联系使教师在物理和工程领域具有显着的可见性。
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
MOS 结构高频电容-电压特性建模
这项研究的意义在于它可应用于电容谱法，这对于检查先进微电子和纳米电子中的介电/半导体界面至关重要。通过采用这些方法，我们可以准确测量界面处的陷阱电荷水平，这一参数对材料用作栅极介电体或存储器元件的可行性有重大影响。此外，电容-电压 (CV) 特性的控制对于超大规模集成电路 (VLSI) 的开发至关重要，在热场测试下评估栅极介电体的稳定性可以指示电压平坦区的变化，从而确保半导体器件的可靠性。
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
使用介电超表面进行定制的单元操作
过去十年，量子计算和信息处理因比经典算法具有更快的加速性能而引起了人们的广泛关注。从数学上讲，一个整体的量子操作可以看作是在构建量子网络中对输入量子比特进行的一系列幺正变换。实现量子计算的物理系统有很多，如离子阱、约瑟夫森结、氮空位中心等[1]。在这些物理系统中，线性光学方案最具吸引力，因为量子信息载体是光子，而光子可能不存在退相干[2,3]。当对输入光子进行量子计算时，基本量子比特通常由两个正交模式或两个偏振通道中的单光子来准备。为了在量子信息处理中产生所需的演化，每个相应的量子比特操作由一些简单的光学元件或它们的组合来实现，如分束器、移相器和波片[4,5]。单量子比特操作属于 U(2) 变换类，此类变换已在理论上进行了讨论，并通过这些元件的组合在实验中实现了 [2–6]。然而，使用传统线性光学元件的物理实现似乎体积庞大，难以集成到物理系统小型化，因此非常希望简化当前的光学实现。另一方面，超表面（单层或多层超材料结构）可以平坦、紧凑地实现经典光学区域中不同光学元件的小型化 [7,8]。由于在制作任何量身定制的共振超材料结构时都具有丰富的自由度，它们已经应用于需要复杂自由度的不同场景，包括全息图 [9,10]、光学平面透镜 [11,12]、斯托克斯偏振仪 [13–15] 和模拟计算 [16–18]。具体来说，超材料已用于执行信息或图像处理。通过将超材料像素化为一组离散结构，这些“数字超材料”可进一步用于执行不同的数学运算，如傅里叶变换和微分[15-22]。扩展到量子光学领域，超表面可用于替代传统的线性光学元件
顶栅2D晶体管的单晶金属氧化物介电
二维（2D）结构由具有高载体迁移率的原子薄材料组成的二维（2D）结构已被研究为未来晶体管1-4的候选。然而，由于合适的高质量介电的不可用，尽管具有优越的物理和电气特性，但2D现场效应晶体管（FET）仍无法获得全部理论潜力和优势。在这里，我们证明了原子上薄的单晶Al 2 O 3（C-al 2 O 3）作为2D FET中的高质量顶栅介电。通过使用插入式氧化技术，在室温下，在单晶Al表面形成了稳定，化学计量和原子较薄的C-Al 2 O 3层，厚度为1.25 nm。由于有利的晶体结构和明确定义的接口，栅极泄漏电流，界面状态密度和C-AL 2 O 3的介电强度3符合国际路线图3,5,7的国际路线图3,5,7。通过由源，排水，电介质材料和门组成的一步转移过程，我们实现了顶部的MOS 2 FET，其特征是以61 mV的陡峭亚阈值摇摆为61 mV-1-1-1，高/OFF电流比为10 8，并且非常小的滞后率为10 mV。这种技术和材料证明了产生适合整合到完全可扩展的晚期2D FET的高质量单晶氧化物的可能性，包括负电容晶体管和自旋晶体管。
量子点自对准介电微球的光子喷射写入
量子点 (QDs) 能够产生非经典光态，是实现量子信息技术的非常有希望的候选者。然而，这些技术所要求的高光子收集效率可能无法达到嵌入在高折射率介质中的“独立”半导体 QD。本文介绍了一种新颖的激光写入技术，能够直接制造与电介质微球自对准的 QD（精度为 ± 30 纳米）。当使用 0.7 数值孔径的物镜时，微球的存在可使 QD 发光收集增强 7.3±0.7 倍。该技术利用激光破坏 GaAs 1-xNx:H 中 N-H 键的可能性，获得低带隙材料 GaAs 1-xNx。微球沉积在 GaAs 1 − x N x :H/GaAs 量子阱的顶部，用于产生光子纳米喷射，该光子纳米喷射可精确去除微球下方的氢，从而在距样品表面预定距离处创建 GaAs 1 − x N x QD。二阶自相关测量证实了使用此技术获得的 QD 发射单光子的能力。
采用不同介电液体的电力变压器的热建模
2010 年，Sorgic 和 Radakovic [8] 对浸没在矿物油中的变压器进行了二维模拟，以将冷却系统与油驱动和强制油配置进行比较。2012 年，Tsili 等人建立了一种方法来开发三维模型并预测热点的温度 [9]。这一年，Skillen 等人对一个不对称非等温流二维模型进行了 CFD 模拟，以表征具有锯齿形冷却的变压器绕组中的油流 [10]。2014 年，Yatsevsky 对浸没在自然对流油中的变压器进行了二维模拟，包括铁心、油箱和散热器，以预测热点。所开发的模型表现出良好的性能，并通过实验进行了验证 [11]。最近，Torriano 等人在一种采用自然对流冷却（ON）的比例盘式电力变压器中开发了三维传热模型 [12]。