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依赖饮食的宿主代谢产物形成肠道菌群以防止自身免疫性
此预印本的版权持有人（该版本发布于2024年5月13日。; https：//doi.org/10.1101/2023.11.02.565382 doi：biorxiv Preprint
ISSN XXXX-XXXX对掩体职业的风险评估，以防止在码头丙烯炼油厂溢油
摘要 - Pertamina码头丙烯炼油厂的混乱操作 - VI Balongan涉及将燃料油转移到船上，带来了可能带来严重环境和经济后果的溢油风险。本研究旨在对掩体占领进行风险评估，以防止在炼油厂的爆炸式漏油。《油轮和码头国际安全指南》（ISGOTT）第六版是该评估的框架。本研究中采用的风险评估方法包括危害识别，结果分析和风险评估。已经确定了与掩体职业活动相关的潜在危害，例如设备故障，人为错误和不利天气条件。后果分析考虑了漏油对环境的潜在影响，包括海洋生物，沿海生态系统和附近社区。风险评估涉及根据历史数据，行业标准和专家意见评估潜在的漏油事件的可能性和严重性。缓解措施，例如安全协议，应急计划和维护程序，并将其纳入风险评估中。目标是最大程度地减少掩体职业运营期间漏油的可能性和严重性。
电绝缘协调以防止锂离子电池中的电弧
根据文献和我们的经验，由于多种绝缘缺陷而引起的电弧是锂离子电池火灾的重要原因[1，2]。结果是电池零件的短路或整个电池的短路，而无需经典系统范围的保护措施（电池管理系统（BMS）和保险丝）。在这种情况下，与从单个细胞到其他细胞的热失控[4]相关的研究[3] [3]，几个细胞可以同时进入热失控。风险是同时在短路环路中所有累加器的热失控，火灾的启动非常快，大量可燃气体产生和能量释放。我们研究工作的一部分是表征累加器内部保护的最大中断功能[5]。这项工作表明，在这种情况下，内置电池保护无法打断电流。因此，必须在所有情况下实施有效的绝缘策略。在本文中，我们研究了需要考虑到正确隔离电池系统的各种概念。
ra家族MCU注入电流，以防止损坏MCU
1。对本文档中电路，软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路，软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任，而这些损失和损失是由于使用这些电路，软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利，版权或其他知识产权的任何其他要求，或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的，包括但不限于产品，图形，图形，图表，图表，Algorith和Algorith和Algorith，以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利，版权或其他知识产权的权利下，没有明示，隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证，并获得合法进出口，出口，制造，销售，利用，分销或其他任何产品（如果需要）的任何产品（如果需要）的任何产品。5。您不得更改，修改，复制或反向工程师，无论是全部还是部分。6。“高质量”：运输设备（汽车，火车，船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任，这些损失或损失是由于这种更改，修改，复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类：“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级，如下所示。“标准”：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；音频和视觉设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人；等。）;交通控制（交通信号灯）；大规模通信设备；关键财务终端系统；安全控制设备；等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品，否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统（人为生命或人工生命支持设备或系统； ），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现的任何安全措施或功能，但Renesas Electronics绝对不承担任何责任，包括任何漏洞或安全漏洞，包括但不限于对使用Renesas Electronics或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的，或者不受腐败，攻击，病毒，干扰，黑客攻击，数据丢失或盗窃或其他安全入侵（“脆弱性问题”）。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外，在适用法律允许的范围内，Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件（包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证）方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时，请参阅最新产品信息（数据表，用户手册，应用程序注释，“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”，等等。），并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内，相对于最高评级，操作电源电源电压范围，散热特性，安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障，失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性，但半导体产品具有特定的特征，例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品，否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。，您有责任采取安全措施，以防止火灾受到人身伤害，伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险，例如硬件和软件的安全设计，包括但不限于预防裁员，防火和不适用任何其他适当的治疗方法，包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际，因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室，了解有关环境问题的详细信息，例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细，充分调查适用的法律和法规，这些法律和法规，这些法规和使用受控物质（包括不限于欧盟ROHS指令），并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规，主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任，或任何其他分发，处置或以其他方式将产品分发，处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方，在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意，不得以任何形式重印，复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问，请联系Renesas电子销售办公室。
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1。对本文档中电路，软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路，软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任，而这些损失和损失是由于使用这些电路，软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利，版权或其他知识产权的任何其他要求，或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的，包括但不限于产品，图形，图形，图表，图表，Algorith和Algorith和Algorith，以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利，版权或其他知识产权的权利下，没有明示，隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证，并获得合法进出口，出口，制造，销售，利用，分销或其他任何产品（如果需要）的任何产品（如果需要）的任何产品。5。您不得更改，修改，复制或反向工程师，无论是全部还是部分。6。“高质量”：运输设备（汽车，火车，船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任，这些损失或损失是由于这种更改，修改，复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类：“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级，如下所示。“标准”：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；音频和视觉设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人；等。）;交通控制（交通信号灯）；大规模通信设备；关键财务终端系统；安全控制设备；等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品，否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统（人为生命或人工生命支持设备或系统； ），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现，但Renesas Electronics绝对不承担任何责任或安全漏洞的责任，包括但不限于对使用Renesas电子产品或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的，或者不受腐败，攻击，病毒，干扰，黑客攻击，数据丢失或盗窃或其他安全入侵（“脆弱性问题”）。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外，在适用法律允许的范围内，Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件（包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证）方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时，请参阅最新产品信息（数据表，用户手册，应用程序注释，“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”，等等。），并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内，相对于最高评级，操作电源电源电压范围，散热特性，安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障，失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性，但半导体产品具有特定的特征，例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品，否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。，您有责任采取安全措施，以防止火灾受到人身伤害，伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险，例如硬件和软件的安全设计，包括但不限于预防裁员，防火和不适用任何其他适当的治疗方法，包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际，因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室，了解有关环境问题的详细信息，例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细，充分调查适用的法律和法规，这些法律和法规，这些法规和使用受控物质（包括不限于欧盟ROHS指令），并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规，主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任，或任何其他分发，处置或以其他方式将产品分发，处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方，在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意，不得以任何形式重印，复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问，请联系Renesas电子销售办公室。
供体衍生的多重白血病抗原特异性T细胞疗法，以防止所有
美国路易斯维尔大学医学院肝病学和营养学系医学系，美国肯塔基州路易斯维尔；美国肯塔基州路易斯维尔市路易斯维尔大学医学院B UOFL酒精研究中心； C诺顿神经科学研究所，4915 Norton Healthcare Blvd，美国肯塔基州路易斯维尔； D UOFL HEPATOBIOLOGY COBRE，美国路易斯维尔大学医学院，美国肯塔基州路易斯维尔； E美国路易斯维尔大学医学院解剖科学与神经生物学系；美国德克萨斯州休斯敦市贝勒医学院分子病毒与微生物学系宏基因组学与微生物组研究中心； G，美国路易斯维尔大学医学院生理学系，美国肯塔基州路易斯维尔； H美国路易斯维尔路易斯维尔大学医学院药理学与毒理学系； i路易斯维尔大学医学院神经外科系，美国肯塔基州路易斯维尔；美国肯塔基州路易斯维尔的Robley Rex VA医学中心医学系J
PROX1抑制PDGF-B表达以防止心脏瓣膜的粘液性变性
（未通过同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。该版本的版权持有人本版本发布于2023年5月15日。 https://doi.org/10.1101/2023.05.10.540284 doi：Biorxiv Preprint
激光振动激发自由基的激发，以防止由钻石中的硼掺杂引起的结晶度降解
追求高水平的掺杂而不会恶化结晶度是非常困难的，但对于释放材料的隐藏力至关重要。这项研究证明了通过激光至关重要的自由基，硼龙二氢化合物（BH 2）的激光振动激发（BH 2）在燃烧化学蒸气期间保持晶格完整性的有效途径。改进的钻石结晶度归因于硼氢化硼（BH）的相对丰度的激光，热抑制的热抑制，其过度存在会诱导硼隔离并扰乱结晶。BDD的硼浓度为4.3×10 21 cm -3，膜电阻率为28.1毫米·CM，孔迁移率为55.6 cm 2 v -1 s -1，超过了商业BDD。高导电和结晶的BDD在传感葡萄糖方面具有提高的效率，证实了激光激发在产生高性能BDD传感器方面的优势。在掺杂过程中重新获得激光激发的结晶度可以消除半导体行业的长期瓶颈。
研究纸富含血小板的纤维蛋白通过上调钙化素来促进间皮细胞的增殖和腹膜修复，以防止术后
1。中国100038的北京医科大学北京Shijitan医院通用外科系。 2。 中国100080北京北京大学海德大学北京海德医院胸外科医院胸腔手术系。 3。 中国100038北京北京希吉丹医院胸外科。 4。 中国北京第三北京大学第三医院通用外科系。 5。 中国医学科学院和北京北京北京的北京北京大学北京北京北京医学院医学院通用外科系，中国。 6。 中国北京北京Liangxiang医院内分泌学系，北京，102401，中国。 7。 北京Shijitan医院科学技术系，首都医科大学，北京，中国100038。中国100038的北京医科大学北京Shijitan医院通用外科系。2。中国100080北京北京大学海德大学北京海德医院胸外科医院胸腔手术系。3。中国100038北京北京希吉丹医院胸外科。4。中国北京第三北京大学第三医院通用外科系。 5。 中国医学科学院和北京北京北京的北京北京大学北京北京北京医学院医学院通用外科系，中国。 6。 中国北京北京Liangxiang医院内分泌学系，北京，102401，中国。 7。 北京Shijitan医院科学技术系，首都医科大学，北京，中国100038。中国北京第三北京大学第三医院通用外科系。5。中国医学科学院和北京北京北京的北京北京大学北京北京北京医学院医学院通用外科系，中国。6。中国北京北京Liangxiang医院内分泌学系，北京，102401，中国。 7。 北京Shijitan医院科学技术系，首都医科大学，北京，中国100038。中国北京北京Liangxiang医院内分泌学系，北京，102401，中国。7。北京Shijitan医院科学技术系，首都医科大学，北京，中国100038。北京Shijitan医院科学技术系，首都医科大学，北京，中国100038。
基于结构的药物设计，以发现TRIM71蛋白的潜在HIT分子，以防止先天性脑积水Veer Bhatia 1和Divya ra
trim71是在人类中大量表达的基因，在早期的胚胎发生和神经分化中起着至关重要的作用，通过与靶MRNA结合，触发翻译抑制或mRNA降解。3 Qiuying Liu等人，研究人员使用交联的免疫沉淀和测序（CLIP-SEQ）技术探索了小鼠中CH相关的突变。这项研究很重要，因为蛋白质对人类表现出相似的反应。4研究表明，突变的TRIM71蛋白与不同的靶标mRNA结合，表明“功能的获取”。具体而言，小鼠中的R595H-TRIM71与CTNNB1基因中的mRNA结合，该基因编码了β-catenin蛋白，这对于干细胞分化至关重要。5抑制其翻译可阻止神经发育必需蛋白质的产生。相反，R783H-TRIM71与LSD1 mRNA结合，抑制其翻译并导致干细胞分化的缺陷。5