电容器是一种用于存储电能的非活性双端电气元件。每当存在电位差时,电介质周围就会产生电场,然后一端会积聚正电荷,另一端会积聚负电荷。每当施加时变电压时,位移电流就会开始流动。从此,与整流桥相连的电容器就会以这种方式聚集电流,当开关打开时,电流会流过它为电池充电。然后电荷可用于汽车的不同用途 [8]。
古典和量子力学:牛顿定律;两次身体碰撞 - 散射在实验室和大规模框架中心;中央力量运动;相对论的特殊理论 - 洛伦兹的转化,相对论运动学和质量 - 能量等效;广义坐标,拉格朗日和哈密顿式配方,动作方程以及对简单问题的应用。量子力学的假设;不确定性原则; Schrodinger方程;一,二维和三维潜在问题;盒子中的粒子,通过一维电势屏障的传播,谐波振荡器,氢原子。电磁学:库仑定律,高斯定律,多极扩展,物质的电场,泊松和拉普拉斯方程,诱导的偶极子,极化,电位移,线性介电介质。Lorentz Force Law,Biot-Savart定律,B的差异和卷曲,磁载体电位,磁化,线性和非线性培养基。时间变化的领域,麦克斯韦方程和保护法;法拉第的感应定律,磁场中的能量,麦克斯韦的位移电流,波动方程,连续性方程,poynting的定理,电磁波,波动方程,真空和物质中的EM波,吸收和分散。
摘要:本文研究了SIC MOSFETS身体二极管反向恢复的行为,这是不同工作条件的函数。对其效果的了解对于基于SIC设备的正确设计和驱动电源转换器至关重要,以优化旨在提高效率的MOSFET通勤。的确,反向恢复是切换瞬态的一部分,但由于其对恢复能量和电荷的影响,它具有重要作用。已正确选择了不同操作条件的集合,以防止或强迫测试设备的快速恢复。实验结果和特定的软件模拟揭示了文献中未知的现象。更具体地说,对反向恢复电荷Q RR的分析显示,在高温下,两种意外现象:随着栅极电压的增加,它会降低;设备阈值越高,Q RR越高。TCAD-SILVACO(ATLASv。5.29.0.c)模拟表明,这是由于换向过程中输出电容电压变化而导致漂移区域流动的位移电流引起的。从对快速恢复的分析中,它已经出现了最小的正向电流斜率,即使在高电流水平上,反向恢复也不是活跃的。达到此电流斜率后,Q RR仅随正流电流而变化。
在光学介质中,电荷保守性要求在某个位置诱导的光场诱导的电荷密度增加,始终伴随着另一个位置的减少,导致无净宏观诱导的电荷密度。因此,宏观光学场的ρIND¼0和ρ总¼ρext。相比之下,在光学介质中可以存在诱导的J IND6¼0的宏观电流密度。在不含外部源的光学介质中,JExt¼0和ρ总计¼ρeven¼0,但是J总¼J结合了Jcond¼jcond¼jind6¼0:j bound和j bond cond is t is j bound和j cond is t is t to to to optical field均应诱导电流。边界电子极化电流j结合是一个位移电流,始终包含在∂d=∂t项中,但在(1.5)中的J项中不包含。传导电流J Cond也是诱导的电流,但它是由介质中的自由电荷载体携带的。在不存在外部电流和外部电荷的情况下,麦克斯韦方程的形式取决于如何处理传导电流。通常有两种选择。
在动态反向偏置 (DRB) 可靠性测试期间有效管理高强度电流尖峰对于及早发现潜在问题(例如宽带隙 (WBG) 器件中的栅极氧化物退化)至关重要。本文讨论了 DRB 测试的挑战,特别关注由 WBG 器件中的快速 dv/dt 切换事件引起的电流浪涌。遵守 AQG-324 指南(该指南要求 dv/dt > 50 kV/µ s)通常会导致由于寄生电容而出现显著的电流浪涌。这些浪涌可达数十安培,导致过度自热并可能损坏敏感的测量电路。本研究介绍了一种创新方法,可在不影响漏电流的情况下滤除电容位移电流尖峰,将浪涌强度降低 100 多倍,并实现对高达 1.5 kV 的 WBG 器件进行高效的 DRB 测试。验证过程包括在 LT-Spice 中模拟 Wolfspeed Power 碳化硅 (SiC) MOSFET 模型,并对 Wolfspeed、Infineon 和 Rohm 的三种不同的 1.2 kV SiC 设备进行硬件测试。采用优化的 PCB 设计来最大限度地减少电路寄生效应,显示出模拟和硬件测试结果之间的良好一致性。
工程场理论和电路田间理论的基础知识:模块1:矢量分析 - 坐标系统,矢量,梯度,发散,curl,laplacian,Divergence定理,Stoke定理。模块2:电场和磁场 - 由于电荷配置线,电荷,均匀平面表面和球形体积电荷分布引起的电场;导体和电介质在静电场,边界条件,安培定律的应用和生物萨瓦特定律中的应用;简单配置的电容和电感计算;时间变化的字段 - 位移电流,麦克斯韦的方程式;拉普拉斯和泊松的方程式。电路理论:模块3:电路,源和信号的分类,标准信号,源转换。网络拓扑,图形矩阵,基于图理论的电路方程的公式和解决方案,使用不同的分析技术 - 电路,切割和混合。双重性的概念。模块4:网络定理及其应用程序,互惠,Thevenin,Norton,最大功率传递,米尔曼,替代,补偿和Tellegan定理。使用傅立叶级数和拉普拉斯变换进行定期和非周期性激发的电路分析。模块5:电路的自由和强迫响应的概念。时间常数和d下的瞬态响应。 c。和c。励磁。磁耦合电路的分析。分析具有依赖源的电路。
摘要最近,由于在光学超材料,超敏感的等离激元纳米量学学,增强的非线性谐波产生等方面的吸引人的应用,血浆诱导的光学磁化吸引了人们对纳米光子学和等离子间学的研究兴趣。据我们所知,在这里,我们在实验和理论上首次观察到在超薄等离子体型纳米腔内的平面内磁性偶极共振,由二氧化硅涂层的金纳米球二聚体组成,并偶联到金薄膜。结合了多极膨胀和全波数值模拟,我们揭示了磁共振是由围绕球体二聚体和金膜包含的纳米厚的三角形区域循环的位移电流环引起的,从而导致腔隙间隙中的磁场强度极大地增强了磁场强度。在单粒子水平上使用极化分辨的深色场成像和光谱法,我们明确地“可视化”了诱导磁性模式的光谱响应和辐射极化,其特征与电偶极共振截然不同。我们进一步发现,磁共振频率高度取决于腔间隙厚度和纳米圈尺寸,从而可以直接从可见光到近红外区域进行简单的谐振调整,从而为磁共振增强的新途径增强了非线性光学光学和手性光学。
电磁场(3-0-0)先决条件:1。Mathematics-I 2。数学课程结局在课程结束时,学生将展示能力1。了解电磁的基本定律。2。在静态条件下获得简单配置的电场和磁场。3。分析时间变化的电场和磁场。4。以不同形式和不同的媒体了解麦克斯韦方程。5。了解EM波的传播。模块1:(08小时)坐标系统与转换:笛卡尔坐标,圆形圆柱坐标,球形坐标。向量计算:差分长度,面积和体积,线,表面和体积积分,DEL操作员,标量的梯度,矢量和散射定理的差异,矢量和Stoke定理的卷曲,标量的Laplacian。模块2:(10小时)静电场:库仑定律,电场强度,电场,线,线,表面和体积电荷引起电流的边界条件。静电边界值问题:泊松和拉普拉斯方程,独特定理,求解泊松和拉普拉斯方程的一般程序,电容。Maxwell方程,用于静态场,磁标量和向量电势。模块3:(06小时)Magneto静态场:磁场强度,生物 - 萨瓦特定律,Ampere的电路Law-Maxwell方程,Ampere定律的应用,磁通量密度 - 最大的方程。磁边界条件。模块4:(10小时)电磁场和波传播:法拉第定律,变压器和运动电磁力,位移电流,麦克斯韦方程,最终形式,时谐波场。电磁波传播:有损耗的电介质中的波传播,损耗中的平面波较少介电,自由空间,良好的导体功率和poynting矢量。教科书:
电磁场(3-0-0)UPCEE303先决条件:1。Mathematics-I 2。数学课程结局在课程结束时,学生将展示能力1。了解电磁的基本定律。2。在静态条件下获得简单配置的电场和磁场。3。分析时间变化的电场和磁场。4。以不同形式和不同的媒体了解麦克斯韦方程。5。了解EM波的传播。模块1:(08小时)坐标系统与转换:笛卡尔坐标,圆形圆柱坐标,球形坐标。向量计算:差分长度,面积和体积,线,表面和体积积分,DEL操作员,标量的梯度,矢量和散射定理的差异,矢量和Stoke定理的卷曲,标量的Laplacian。模块2:(10小时)静电场:库仑定律,电场强度,电场,线,线,表面和体积电荷引起电流的边界条件。静电边界值问题:泊松和拉普拉斯方程,独特定理,求解泊松和拉普拉斯方程的一般程序,电容。磁边界条件。教科书:模块3:(06小时)Magneto静态场:磁场强度,生物 - 萨瓦特定律,Ampere的电路Law-Maxwell方程,Ampere定律的应用,磁通量密度 - 最大的方程。Maxwell方程,用于静态场,磁标量和向量电势。模块4:(10小时)电磁场和波传播:法拉第定律,变压器和运动电磁力,位移电流,麦克斯韦方程,最终形式,时谐波场。电磁波传播:有损耗的电介质中的波传播,损耗中的平面波较少介电,自由空间,良好的导体功率和poynting矢量。