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在动态反向偏置 (DRB) 可靠性测试期间有效管理高强度电流尖峰对于及早发现潜在问题（例如宽带隙 (WBG) 器件中的栅极氧化物退化）至关重要。本文讨论了 DRB 测试的挑战，特别关注由 WBG 器件中的快速 dv/dt 切换事件引起的电流浪涌。遵守 AQG-324 指南（该指南要求 dv/dt > 50 kV/µ s）通常会导致由于寄生电容而出现显著的电流浪涌。这些浪涌可达数十安培，导致过度自热并可能损坏敏感的测量电路。本研究介绍了一种创新方法，可在不影响漏电流的情况下滤除电容位移电流尖峰，将浪涌强度降低 100 多倍，并实现对高达 1.5 kV 的 WBG 器件进行高效的 DRB 测试。验证过程包括在 LT-Spice 中模拟 Wolfspeed Power 碳化硅 (SiC) MOSFET 模型，并对 Wolfspeed、Infineon 和 Rohm 的三种不同的 1.2 kV SiC 设备进行硬件测试。采用优化的 PCB 设计来最大限度地减少电路寄生效应，显示出模拟和硬件测试结果之间的良好一致性。
电力电子设备和元件 - WRAP：Warwick
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