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65 寄生电容对精度的影响...
UDC 621.317.727.1 https://doi.org/10.20998/2074-272X.2025.1.09 YO Haran，YO Trotsenko，OR Protsenko，MM Dixit 寄生电容对高压分压器刻度转换精度的影响目的。这项工作的目的是确定寄生电容对高压分压器刻度转换精度的影响。分析减少这种影响的可能性是高压测量的一个紧迫问题，特别是在输入电压的高频范围内。方法。在 100 Hz 至 1 MHz 范围内的正弦交流电条件下，在 QUCS 电路模拟器软件中对分压器等效电路进行了数学建模，考虑了寄生电容和电感。利用FEMM软件，采用有限元法模拟分压器高压臂采用电容分级绝缘模块中电容电流的密度分布。结果。计算结果表明，寄生电容电流百分比随屏蔽盘外半径与它们之间距离的比值而呈指数下降。但即使屏蔽盘外半径为3m左右，电容电流仍然占分压器测量电路中流动总电流的1%左右。建议不增加外半径，而是在屏蔽盘之间采用高压电容分级绝缘。结果发现，当寄生电容值变化时，大范围电压变换的误差稳定，并建议用同类型的高压模块来制造分压器的高压臂。独创性。获得了分压器尺度变换精度对其高压臂结构元件几何参数比值的依赖关系的建模结果。提出的解决方案是改变分压器高压臂的设计，这显著降低了其尺度变换误差对接地表面上结构元件寄生电容的显著变化的依赖性。实用价值。分压器高压臂特性的数学建模结果使得可以设计相同类型的高压模块用于批量生产，以便现场组装任何标称电压的宽带分压器，从而有可能集成到智能电网系统中。参考文献23，表1，图8。关键词：高压分压器、寄生电容、尺度变换精度。 В роботі розглянуто вплив будови високовольтного плеча подільника напруги на його характеристики.为了确保减少结构元件的寄生电容对有源部分的集总元件和外部物体的影响，已经研究了屏蔽集总元件的方法。通过数学建模确定了高压臂结构元件几何参数配比对高频区电压缩放误差的影响。根据建模结果，选择了利用多层电容式绝缘对分压器有源部分的集总元件进行屏蔽的方法，保证了宽频率范围内缩放电压转换误差的稳定性。高压臂结构的拟议变化使我们能够切换到分压器的模块化结构并进行其批量生产。圣经。 23、表。 1，图。 8. 关键词：高压分压器，寄生电容，刻度转换精度。问题定义。高压分压器是微电子和高压测试和研究实验室中常见的大型电压转换器。然而，这些电气设备在电力工业中，特别是在高压电气设备中没有得到广泛的应用，因为它们的结构不允许摆脱许多缺点，这些缺点使它们作为宽带大型高压转换器集成到模拟或数字变电站中变得复杂[1]。例如，在实验室条件下，对于高压分压器，在很宽的频率范围内获得了0.1量级的大范围电压转换误差，但是这种分压器结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体会严重影响其高压臂的寄生电容。此类物体上的寄生电容会显著影响高频下大规模电压转换的精度。此外，高压臂的集总元件的复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，根据客户的特定任务生产高压分压器使建立此类设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著提高电能质量指标的测定、高压设施过程的安全性和自动化程度的可能性。由于这些和其他原因，高压分压器尚未被用作大规模高压根据建模结果，选择了利用多层电容式绝缘对分压器有源部分的集总元件进行屏蔽的方法，保证了宽频率范围内缩放电压转换误差的稳定性。高压臂结构的拟议变化使我们能够切换到分压器的模块化结构并进行其批量生产。圣经。 23、表。 1，图。 8. 关键词：高压分压器，寄生电容，刻度转换精度。问题定义。高压分压器是微电子和高压测试和研究实验室中常见的大型电压转换器。然而，这些电气设备在电力工业中，特别是在高压电气设备中没有得到广泛的应用，因为它们的结构不允许摆脱许多缺点，这些缺点使它们作为宽带大型高压转换器集成到模拟或数字变电站中变得复杂[1]。例如，在实验室条件下，对于高压分压器，在很宽的频率范围内获得了0.1量级的大范围电压转换误差，但是这种分压器结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体会严重影响其高压臂的寄生电容。此类物体上的寄生电容会显著影响高频下大规模电压转换的精度。此外，高压臂的集总元件的复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，根据客户的特定任务生产高压分压器使建立此类设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著提高电能质量指标的测定、高压设施过程的安全性和自动化程度的可能性。由于这些和其他原因，高压分压器尚未被用作大规模高压根据建模结果，选择了利用多层电容式绝缘对分压器有源部分的集总元件进行屏蔽的方法，保证了宽频率范围内缩放电压转换误差的稳定性。高压臂结构的拟议变化使我们能够切换到分压器的模块化结构并进行其批量生产。圣经。 23、表。 1，图。 8. 关键词：高压分压器，寄生电容，刻度转换精度。问题定义。高压分压器是微电子和高压测试和研究实验室中常见的大型电压转换器。然而，这些电气设备在电力工业中，特别是在高压电气设备中没有得到广泛的应用，因为它们的结构不允许摆脱许多缺点，这些缺点使它们作为宽带大型高压转换器集成到模拟或数字变电站中变得复杂[1]。例如，在实验室条件下，对于高压分压器，在很宽的频率范围内获得了0.1量级的大范围电压转换误差，但是这种分压器结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体会严重影响其高压臂的寄生电容。此类物体上的寄生电容会显著影响高频下大规模电压转换的精度。此外，高压臂的集总元件的复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，根据客户的特定任务生产高压分压器使建立此类设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著提高电能质量指标的测定、高压设施过程的安全性和自动化程度的可能性。由于这些和其他原因，高压分压器尚未被用作大规模高压这些电气设备并未广泛应用于电力工业，特别是高压电气设备，因为它们的结构存在许多缺点，使得它们难以作为宽带大规模高压转换器集成到模拟或数字变电站中 [1]。例如，在实验室条件下，高压分压器在很宽频率范围内的大规模电压转换误差约为 0.1，但这种分压器的结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体，会显著影响其高压臂的寄生电容。这些物体上的寄生电容会显著影响高频大规模电压转换的精度。此外，高压臂集总元件复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，为客户的特定任务生产高压分配器使建立这种设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著改善电能质量指标的确定、高压设施的安全性和自动化的可能性。由于这些原因和其他原因，高压分配器尚未被用作大规模高压设备。这些电气设备并未广泛应用于电力工业，特别是高压电气设备，因为它们的结构存在许多缺点，使得它们难以作为宽带大规模高压转换器集成到模拟或数字变电站中 [1]。例如，在实验室条件下，高压分压器在很宽频率范围内的大规模电压转换误差约为 0.1，但这种分压器的结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体，会显著影响其高压臂的寄生电容。这些物体上的寄生电容会显著影响高频大规模电压转换的精度。此外，高压臂集总元件复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，为客户的特定任务生产高压分配器使建立这种设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著改善电能质量指标的确定、高压设施的安全性和自动化的可能性。由于这些原因和其他原因，高压分配器尚未被用作大规模高压设备。高压分压器尚未被用作大规模高压高压分压器尚未被用作大规模高压
T 型栅极增强型 AlGaN/GaN MIS-HEMT 中寄生电容的不稳定性
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）或金属绝缘体半导体HEMT（MIS-HEMT），凭借优越的极化诱导高迁移率二维电子气（2DEG），因其高开关速度、低寄生参数和低导通电阻而受到广泛关注，并在高频射频和功率开关应用方面都取得了公认的成功[1-4]。通常在厚钝化电介质（如SiNx）上设置栅极和/或源极场板，以减轻栅极漏极区域的高电场并获得更高的击穿电压[5-7]。它们也有助于抑制表面态引入的电流崩塌[5，8]。然而，场板结构将引入额外的寄生电容，导致更高的VDS×IDS功率损耗和更长的开关持续时间。此外，钝化层还会引入钝化电介质/(Al)GaN界面态，甚至电介质本身的体态，它们的捕获/去捕获过程会引起寄生电容的动态漂移，导致实际应用中开关转换紊乱，dV/dt控制失效[9-11]。
InP HEMT 的分布式小信号等效电路建模方法
2. 1 寄生电感 小信号外参数提取方法的关键是简化图 1 中某一特定偏置点处的等效电路。在冷夹断条件下（ V ds =0 ， V gs < - V th ），漏源电流源和输出电导可忽略不计，因此耗尽区可以用三个电容 C ig 、 C id 和 C igd 来表征，如图 2 所示。通常先提取寄生电容，无法消除寄生电感的影响，因此在提取寄生电容之前必须先去嵌入寄生电感 L g 、 L d 和 L s ，这也是本文方法与 Gao 等方法的不同之处
β-Ga 2 O 3 LDMOSFET 击穿电压达 500 V，功率因数为 108 MW/cm 2
开关，并显著降低高压 IC 的寄生电容[10–15]。在过去十年中，大量研究已经检验了 SOI 上的 LDMOSFET，其特性和功率品质因数 (PFOM) 得到了增强[8、9、16–19]。实现高 V BR 是 LDMOSFET 的主要挑战
Ted Johansson，专利 更新于 2023-07-02
1. T. Johansson、J.-M. Gobbi，“用于最小化基板和耦合电容器之间产生的寄生电容的设备利用集成电路中不同功能块之间的电容耦合”，瑞典专利号 470 115，提交日期 1992-05-02。
由固有并联 TFET 和 MOSFET 组成的纳米 FET 结构，性能得到改善
在本文中，我们揭示了一种新结构，其中金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 与隧道场效应晶体管 (TFET) 并联以增加导通电流。为了提高器件中的隧道电流注入率，利用了栅极和衬底电极中的功函数工程以及通道 (源极袋) 中的掺杂工程。为了进一步增强器件的导通电流，通过在结构中结合 MOSFET 使用热离子注入机制。此外，使用异质栅极电介质来减少寄生电容。我们的分析表明，与 DW HGD SP TFET 相比，PTM-FET 晶体管在跨导、I on /I off 电流比、短通道效应（如 DIBL）、早期电压、最大传感器功率增益、单边功率增益、增益带宽积、单位增益频率和寄生电容方面具有多项优势。PTM-FET 晶体管的上述优势可以成为在低功耗和高性能集成电路应用中使用该器件的窗口。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可协议 ( http://creativecommons.org/licenses/by-nc- nd/4.0/ ) 开放获取的文章。
基于负电压自举电容器的具有改进线性度的自举开关
摘要 本文提出了一种用于改善采样线性度的新型自举开关。该技术通过引入负电压自举电容来降低关键信号节点的寄生电容，从而提高其线性度。采用0.18 µ m互补金属氧化物半导体技术对所提电路进行仿真，其寄生电容比传统结构大约降低30%。在轨到轨输入情况下，在50 MHz采样率下，采用1.2 V电源供电时，所提开关实现了83.3 dB的信噪比 (SNDR) 和82.3 dB的无杂散动态范围 (SFDR)。与传统自举开关相比，所提自举开关的SFDR和SNDR分别提高了11.7和12.7 dB。关键词：自举开关、线性、低电压 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、射频、传感器）
线性电子可调正弦振荡器
摘要 介绍了一种线性电子可调正弦振荡器 (LETSO)，它使用电流反馈放大器 (CFA) 和三个接地电容器以及一对匹配的模拟乘法器作为复合有源构建块 (ABB)。该设计产生高 Q 滤波器响应；从而使用短路固有频率 (SCNF) 的概念在 Q~∞ 处实现持续的线性振荡响应。振荡频率 (fo) 可通过乘法器控制电压 (V) 线性调谐。CFA 端口滚降参数和寄生电容的影响可以忽略不计。LETSO 响应范围高达 fo ~ 12MHz，测得的 THD ~ 2% 和线性误差 (∆~ 3.6%) 已通过实验验证。关键词：CFA、SCNF、可变 Q 滤波器、线性 VCO、相位噪声。分类：集成电路