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World File Search System低真空
paschen曲线用于低真空吸尘器中的PCB迹线
对于具有高压轨迹的微电子设备，可在真空环境中起作用，重要的是要知道真正的损坏电压对压力的影响以避免发生故障。Paschen定律在压力和距离变化时是众所周知的崩溃电压行为方程。它的常见数学表达[1]是在两个平行导电板的均匀字段假设下写的。最近有一些作品，其中一些特殊导体配置的不均匀的电晶体以及在真空中的PCB痕迹考虑的，压力高达10 -1 mbar [2]。也有关于均匀场，非常低的距离（10 UM及更近）和低真空的帕申曲线行为异常的报告[3,4]。在这里，我们介绍了对一种不均匀领域的paschen效应的研究，这是针对一种常见的PCB痕量构造的，距离距离为100 um，低真空度最高为10 -4 TORR。在本文的第2节中，我们提供了简化的理论估计，该理论估计使用Townsend标准对最小崩溃电压。在第3节中，描述了测量压力的崩溃电压依赖性的实验设置，并在第4节中提出了真空相机中PCB迹线的实验研究结果。
您使用的探测器是否正确？SEM 的 4 大注意事项
SEM 使用仪器内的探测器收集数据。这些探测器可以安装在样品室内、电子发射环处或电子透镜旁边。不同仪器的探测器类型各不相同。每种类型的探测器可以具有不同的理想条件（高或低真空、高或低 keV、快或慢扫描速度）并可以接收不同的信号类型。一些探测器专门用于二次电子 (SE) 信号，而另一些则专注于收集背散射电子 (BSE)。为了更好地了解可用的探测器，我们在第 3 页创建了一个方便的参考图表。了解可用的探测器以及探测器的选择和仪器设置如何影响数据有助于改进测量并创建完整的样品图像。
量子器件的分子束外延生长
“界面就是器件”。2000 年诺贝尔物理学奖获得者赫伯特·克勒默的宣言精辟地概括了界面在电子器件功能和性能中发挥的核心作用。[1] 对于基于低维或拓扑量子材料的器件来说，这句话更是如此，因为它们的性质通常对表面和界面周围的几个原子层敏感。[2-5] 如此精密的“量子器件”需要能够以良好可控的方式实现原子级清洁、突变和平整界面的制造技术。这显然超出了低真空、环境空气或溶液环境下的传统制造工艺的范围。分子束外延 (MBE) 是一种可以提供最佳界面条件和可控性的制备方法，采用超高真空 (UHV) 环境、高纯度蒸发源、缓慢的生长速度和可精细调节的生长参数。[6] 标准 MBE 技术通常用于生长薄膜和垂直异质结构。一些平面纳米结构也可以通过 MBE 制备，[7,8] 但其控制效果不如传统光刻或电子束光刻那么好。通过 MBE 生长的“干净”样品必须经历“肮脏”的制造过程才能制成器件。这些过程中产生的不受控的表面和界面会显著改变器件的性能，尤其是由表面/界面敏感的量子材料制成的器件。人们非常希望通过分子束外延直接生长由量子材料组成的极其脆弱的器件，然后将其封装在超高真空环境中，以保留其原有性能。在过去的几年中，在平面纳米结构和器件的直接分子束外延生长技术方面取得了令人鼓舞的实验进展，[9-18] 这在很大程度上得益于