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对于具有高压轨迹的微电子设备，可在真空环境中起作用，重要的是要知道真正的损坏电压对压力的影响以避免发生故障。Paschen定律在压力和距离变化时是众所周知的崩溃电压行为方程。它的常见数学表达[1]是在两个平行导电板的均匀字段假设下写的。最近有一些作品，其中一些特殊导体配置的不均匀的电晶体以及在真空中的PCB痕迹考虑的，压力高达10 -1 mbar [2]。也有关于均匀场，非常低的距离（10 UM及更近）和低真空的帕申曲线行为异常的报告[3,4]。在这里，我们介绍了对一种不均匀领域的paschen效应的研究，这是针对一种常见的PCB痕量构造的，距离距离为100 um，低真空度最高为10 -4 TORR。在本文的第2节中，我们提供了简化的理论估计，该理论估计使用Townsend标准对最小崩溃电压。在第3节中，描述了测量压力的崩溃电压依赖性的实验设置，并在第4节中提出了真空相机中PCB迹线的实验研究结果。
paschen曲线用于低真空吸尘器中的PCB迹线
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