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IRHG57110
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
蛇咬伤中心为患者提供急需的护理
与前循环缺血性卒中相比，后循环缺血性卒中 (PCIS) 的表现通常不太明显，这是因为后循环脑区解剖和功能复杂。PCIS 患者可能出现模糊头晕、行走困难、恶心或头痛，而没有任何偏侧症状。1 这可能会导致时间敏感治疗的延迟。尽管 PCIS 占所有卒中事件的 15% 到 20%，但急诊科 (ED) 漏诊率是前循环卒中的三倍，首次急诊科就诊时漏诊率高达 10%。2,3 然而，系统评价表明，静脉溶栓的预后至少与前循环卒中一样好，颅内出血风险较低，而
用于毫米波应用的各种 AlN/GaN HEMT 几何结构的热分析和统计分析
摘要 - 如今，缩小 HEMT 器件的尺寸对于使其在毫米波频域中运行至关重要。在这项工作中，我们比较了三种具有不同 GaN 通道厚度的 AlN/GaN 结构的电参数。经过直流稳定程序后，96 个受测 HEMT 器件的 DIBL 和滞后率表现出较小的离散度，这反映了不可否认的技术掌握和成熟度。对不同几何形状的器件在高达 200°C 的温度下的灵敏度评估表明，栅极-漏极距离会影响 R 随温度的变化，而不是 I dss 随温度的变化。我们还表明，中等电场下的 DIBL 和漏极滞后表现出非热行为；与栅极滞后延迟不同，栅极滞后延迟可以被热激活，并且无论栅极长度的大小如何都表现出线性温度依赖性。
验证适合太空应用的高分辨率 ADC
所有 NMOS 晶体管均为封闭式布局类型 (ELT)，这极大地改善了由于 TID 效应（由于边缘形成的寄生通道处出现严重漏电流而导致的过度消耗）造成的模拟性能下降
Tetzner, H.、Fischer, I. A.、Skibitzki, O.、Mirza, M. M.、Manganelli, C.
本研究探讨了低密度状态下穿透位错密度 (TDD) 对集成在 Si(001) 上的 Si 0.06 Ge 0.94 异质结构中垂直传输的影响。使用无意掺杂的 Si 0.06 Ge 0.94 层可以研究生长穿透位错 (TD) 的影响，而不会与加工引起的缺陷（例如源于掺杂剂注入）相互作用。所研究的异质层虽然在成分、应变弛豫度和厚度上相同，但 TDD 有三个不同的值：3×10 6、9×10 6 和 2×10 7 cm -2 。电流-电压测量表明漏电流与 TDD 不是线性比例。漏电流的温度依赖性表明场增强载流子生成对电流传输有很大贡献，其中通过 TD 诱导的缺陷态的陷阱辅助隧穿被确定为室温下的主要传输机制。在较低温度和高电场下，直接带间隧穿而不与缺陷能级直接相互作用成为主要的传输类型。在较高温度（>100 °C）下观察到与 Shockley-Read-Hall (SRH) 产生的中带隙陷阱发射相关的漏电流。在这里，我们发现材料中来自 SRH 的贡献减少，TDD 最小（3×10 6 cm -2 ），我们将其归因于 TD 应变场中捕获的点缺陷簇减少。
评估可再生能源系统与储能系统的容量贡献
摘要 可再生能源技术的发展因其间歇性而给系统的稳定性带来了重大挑战。尽管如此，我们可以通过存储系统来评估这些技术。我们使用漏桶机制将可再生能源技术（风能）的供应建模为存储设施。桶与存储同义，而泄漏相当于满足负载。Modelica 用于捕获：（i）基于存储物理模型的桶状态的时间依赖性；（ii）使用输入到风能技术物理模型中的风速数据的风能随机表示；（iii）负载，建模为电阻电感电路。Modelica 的优势在于使用非因果方程来描述相互连接的基本子系统，这一点通过其库得到利用。我们发现存储的收益递减。超过一定水平的存储，需要集成可靠的基本负载电源来降低可靠性降低带来的风险。作为对冲间歇性的手段，储能系统的需求取决于供应波动和随机负荷之间的相互作用，以保证可接受的服务质量和可靠性水平。 关键词 可再生能源、间歇性、风能、Modelica、可靠性、漏桶 1. 简介 美国能源信息署 (EIA) 最近发布了 2020 年版短期能源展望，指出可再生能源发电份额将从 2019 年的 17% 增加到今年的 19%，到 2021 年将增加到 22% [1]。例如，据估计，全球风能发电量今年将达到 8% 的峰值 [2]。可再生电力装机容量的不断增加可能带来一系列影响。一方面，经济激励措施可以减轻负荷跟踪的需要，以及可再生能源的大量渗透可能通过储能给基载发电厂带来的连续成本增加 [3]。另一方面，可再生能源发电能力的不断增长和重要性对电网的可靠性和波动性有着至关重要的影响 [4]–[6]。在解决风电间歇性问题的解决方案中，包括需求响应、存储和常规供电的增加，存储因其与传统技术在调度方面的共同特点而受到广泛关注。存储的价值不仅限于调度，还可用于最大限度地降低电网波动性。事实上，一些研究表明，存储的可用性可以将能源供应成本降低 30% [7]。本文采用系统建模方法，在存储系统的帮助下评估可再生能源技术的容量贡献。可再生能源技术的供应能力和负荷的交汇处是存储。我们使用可再生技术与漏桶机制的同义属性对存储设施的供应进行建模，如下图 1 所示。漏桶与存储同义，而漏水则相当于存储资源的供应。先前的方法 [8] 采用漏桶机制来评估电力供需的变化，使用了一种基于包络的建模方法，该方法改编自排队系统网络微积分理论 (NetCal) [9]。该方法捕捉了零和博弈
IRHNPC9A7014 (JANSR2N7655U9C) 产品数据表
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ................................................................................................................ 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 – 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 – 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHNS9A97064 产品数据表
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHY7230CM (JANSR2N7381)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6