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World File Search System侵犯
ETSI TR 104 062 V1.2.1（2024-07）
出于任何特定目的或反对侵犯知识产权的权利。在任何情况下，ETSI均不得损失利润或任何其他附带或结果损失。在没有明示或不限的任何保证（包括但不限于适用性的保证，特定目的的适用性以及对知识产权和ETSI的不侵犯）的保证中，不得对任何事件均不承担任何责任（包括任何损害，包括任何损害，或不限制任何损害，损害损失，损害损失，或者不应承担任何责任，与使用
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以下内容取代买方文件。尽管据 Huntsman 所知，本出版物中包含的信息和建议在出版之日准确无误，但本文所含内容不得解释为任何明示或暗示的陈述、保证或条件，包括但不限于任何适销性或特定用途适用性的保证、不侵犯任何知识产权的保证、或有关质量或与先前描述或样品一致的保证，买方承担因使用此类产品（无论是单独使用还是与其他物质结合使用）而导致的所有风险和责任。本文所述的任何声明或建议均不得解释为任何产品是否适合买方或用户的特定用途，或是否诱使他人侵犯任何专利或其他知识产权。数据和结果基于受控条件和/或实验室工作。买方有责任确定此类信息和建议的适用性以及任何产品是否适合其特定用途，并确保其对产品的预期用途不侵犯任何知识产权。
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100V、274A、3.2mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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30V，-45A，9.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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