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World File Search System像素尺寸
Promega 2025-2026设备目录
尺寸（W X H X D）37.3 cm x 47.7 cm x 53.3 cm重量28 kg电源（功率消耗）100-240 V AC，50/60 Hz样品容器幻灯片，微型室，35毫米，35毫米，6，12，24，24，24，24，24，96 75 NA，1毫米WD系统放大倍率10.3x传感器和像素尺寸CMOS，7百万像素，冷却温度-25°C，低噪声，量子效率70％以上，像素尺寸：4.5 µm x 4.5 µm，最大曝光时间为60分钟的像素大小：2200×2200像素，4.5 µm x 4.5 µm像素像素大小最大视野：1.4 mm x 0.95 mm x 0.95 mm分辨率限制环境控制功能选项：舞台顶室，混合气体控制器
第三代夜视传感器 - De Gruyter
第三代传感器正在开发中，旨在增强目标探测和识别、威胁警告和 3D 成像的能力。针对冷却 HgCdTe 和非冷却微测辐射热计设备的不同计划是这一重点的一部分。本文将介绍 HgCdTe 双色高清成像传感器和威胁警告设备、用于 3D 成像的雪崩光电二极管阵列的技术，以及正在开发的用于增强支持这些设备的读出功能的支撑技术。还将介绍非冷却探测器计划，以结合 480 � 640 阵列的生产来减小像素尺寸。最后，人们也开始努力使光子和热探测器更接近辐射极限性能，同时降低光子探测器的冷却要求。
推动创新平板探测器技术范式转变，在移动全尺寸 C 臂上引入 CMOS
CMOS 探测器在图像质量方面最重要的优势可以在放大模式下看到。CMOS 可以利用 100 µm x 100 µm 的初始像素尺寸，从而受益于其真实分辨率，尤其是在放大模式下。由于具有显示超过 4.0 线对/毫米的潜力，CMOS 探测器可实现高达两倍的空间分辨率。结合放大模式下的较低噪声水平，CMOS 显示出了它的直接优势。更高的灵敏度可以使用较低的剂量率显示较小的像素，但图像质量相同。最终，这意味着可以使用相同剂量实现更高的分辨率，或者使用相同的分辨率实现更低的剂量率。高分辨率成像极大地提高了图像质量 - 甚至可以显示最小的解剖结构，尤其是在放大模式下。
带视频率的视网膜电子纸45,000像素每英寸
摘要：随着对沉浸式体验的需求的增长，显示器的大小和更高的分辨率越来越接近眼睛。但是，缩小像素发射器降低了强度，使其更难感知。电子纸利用环境光进行可见性，无论像素大小如何，都可以保持光学对比度，但无法实现高分辨率。我们显示了由WO 3纳米散件组成的大小至〜560 nm的电气可调节元像素，当显示大小与瞳孔直径匹配时，可以在视网膜上进行一对一的像素 - 示波器映射，我们将其称为视网膜电子纸。我们的技术还支持视频显示（25 Hz），高反射率（〜80％）和光学对比度（〜50％），这将有助于创建最终的虚拟现实显示。主要文本：从电影屏幕和电视到智能手机以及虚拟现实（VR）耳机，显示器逐渐越来越靠近人眼，具有较小的尺寸和更高的分辨率。随着展示技术的进步，出现了一个基本问题：显示大小和分辨率的最终限制是什么？如图1a，为了获得最沉浸和最佳的视觉体验，该显示应与人瞳孔的尺寸紧密匹配，每个像素与视网膜中的光感受器单元相对应。人类视网膜包含约1.2亿光感受器细胞。假设瞳孔直径为8毫米，理想的像素大小为〜650 nm，导致分辨率约为每英寸40,000像素（PPI）。随着像素尺寸收缩，主流发射显示器正在接近其物理极限。这个理论像素大小接近人眼的分辨率极限，代表了显示技术的最终边界，我们将其命名为“视网膜”显示。较小的像素尺寸降低了发射极尺寸，从而导致亮度显着下降，从而使它们越来越难以通过肉眼感知（1，2）。当前，市售的智能手机显示像素通常约为60×60μm²（〜450 ppi），比最终视网膜显示所需的理论尺寸大约10,000倍。已经在这个规模上，肉眼很难感知，尤其是在
tupi（基于时机的超快速光子成像）检测器
提出了一个名为Tupi的混合像素光子计数检测器系列，以符合Orion的[1]柔性X射线梁的规格。这将是有史以来第一个连接到同步子束线的最大生物安全实验室。TUPI检测器将基于3x1 TimePix4 [2] ASIC（应用程序特定集成电路）的基本模块，该模块可以铺有瓷砖以组装较大的活动区域。基本模块具有1344 x 512像素（55μm像素尺寸），在约74 mm x 28 mm面积上达到688 kpixels。它可以在所谓的“数据驱动”模式（读取TOT和TOA数据时）达到最高11 kHz的成像采集率，并区分3 x 10 6 pH/s/mm 2，返回像素中沉积的光子能量信息。可以在16位计数深度的情况下达到近44 kHz，并且可以区分高达5 x 10 9 pH/s/mm 2的命中率。
在...
光刺激（来自数字微型摩尔设备的2-D灯罩用固态CW激光照明）和两个光子成像仅限于不同的光学Z-Planes，可以通过分别翻译扩散器和主要目标来灵活，独立地调整这些光学Z-plan。 （底部）在光刺激和成像期之间交替（滚动）。每个红色条代表一个多光子成像的单一框架。光刺激和成像期交错。（b）显微镜示意图。dm，二分色镜。dmd，数字微型摩尔设备。i，虹膜膜片。L1-L12，镜头。o，主要目标。PMT，光电倍增管。PS，潜望镜。s，快门。SM，扫描镜子。（c）（顶部）使用可移动扩散器将图案化的光刺激和多光子成像平面解）的例证。以4F镜头配置将扩散器成像成样品中；沿光路的扩散器转换会导致相应的投影平面轴向移动。OFP，客观焦平面。 PSP，光刺激平面。 （d）DMD芯片到CCD摄像头到2P显微镜注册。 我们注册了DMD刺激场（DMD像素尺寸= 2.4 µm，样品 1d）至148OFP，客观焦平面。PSP，光刺激平面。（d）DMD芯片到CCD摄像头到2P显微镜注册。我们注册了DMD刺激场（DMD像素尺寸= 2.4 µm，样品1d）至148（i）两个光子显微照片，分别为10 µm荧光微粒；箭头标记了两个微粒，这是较大的DMD调节投影靶模式（8 microbeads）的一部分，它们被视为受托点； （ii）更大的视野（包括目标微头）的广阔场荧光图像（全场照明）； （iii）从2p图像中选择的ROI用于生成DMD-Chip灯罩；这些进一步投影在主要的客观焦平面上，并使用主CCD摄像头（CCD 1）成像； （iv）DMD生成的照片刺激口罩和（II）中10 µm微粒的宽场荧光图像的覆盖层；请注意，荧光仅限于由DMD光刺激掩模靶向的微粒，并具有最小的溢出到相邻（靶）的微粒（请参阅信托标记）。
通过调整像素密度优化同轴平面栅极氧化锌纳米线场发射阵列的性能
摘要：门控ZnO纳米线场发射阵列在平板X射线源、光电探测器等大面积真空微电子器件中有着重要的应用。由于应用需要高像素密度的场发射阵列，因此需要研究像素密度对门控ZnO纳米线场发射性能的影响。本文模拟了在保持横向几何参数成比例的情况下不同像素尺寸下同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列的性能，获得了发射电流和栅极调制随像素尺寸的变化曲线。利用所获得的器件参数，制备了同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列。场发射测量结果表明，当栅极电压为140 V时，制备的ZnO纳米线场发射阵列的电流密度为3.2 mA/cm 2，跨导为253 nS，表明栅极控制有效。性能的提高归因于优化的栅极调制。
2D 纳米片中的横向限制：扩展胶体量子工程工具箱的策略
在胶体纳米晶体中，2D 纳米片具有一组独特的特性，具有极窄的发光和低激光阈值。此外，它们的各向异性形状扩大了异质结构复杂设计的范围，可以设计光谱和散射率。仍然存在的挑战是将使 NPL 稳定的壳生长与光谱可调性结合起来。事实上，由于量子限制的损失，大多数报道的带壳纳米片最终都成为红光发射体。在这里，探索了单个异质结构内横向和平面限制的组合。生长出一种能够发射黄光的 CdS/CdSe/CdS/CdZnS 核-冠-冠壳结构，该结构可响应各种激发，包括可见光子、X 射线光子、电子束和电激发。k.p 模拟预测，在理想结构中可以获得高达几百 meV 的发射可调性。这种材料还显示出由低阈值双激子发射引起的受激发射。一旦集成到 LED 堆栈中，这种材料就与亚带隙激发兼容并表现出高亮度。还研究了通过缩小像素尺寸来缩放电致发光特性。
SPIE的会议录
相变的材料由于其急剧依赖于温度的特性而有希望，并且在光学开关和传感技术中具有很高的潜力。在此类材料中，二氧化钒（VO 2）是最实用的，因为其过渡温度接近室温。基于VO 2的基于电阻率的基于电阻率的较大温度系数来检测红外辐射。但是，为了达到较大的灵敏度，活跃的辐射吸收区域必须足够大，以允许VO 2吸收的入射辐射的足够温度积累，从而需要大的像素尺寸并降低降压测定量测量的空间分辨率。此外，在大多数应用程序中，VO 2材料的吸收未针对特定频段进行优化。另一方面，可以对等离激元纳米构型进行调整和设计，以选择性，有效地吸收入射辐射的特定带，以用于局部加热和热成像。在这项工作中，我们建议将血浆纳米结构与vo 2纳米线结合在一起，以扩大由于热变化而导致阻抗变化的斜率，以达到更高的敏感性。我们通过提出的检测器对中红外电磁辐射吸收的数值分析显示，该检测器显示等离子吸收剂接近完美的吸收。此外，由于底物在热分布中起着很大的作用，预计热堆积和纳米线抗性变化是不同的底物。我们还讨论了拟议设备上VO 2纳米线的制造。我们通过我们的新型降低测量器显示出高灵敏度和超低噪声等效温度差异（NEDT）。
2030年代的LHCB顶点定位器（velo）
LHCB检测器的升级II（预见到2031年）将以1.5×10 34 cm -2 s -1的瞬时发光度运行，以超过300 fb -1的样本积累。每次事件应对42和200带电的粒子轨道的估计堆积，将添加精确的时机，并将其添加到跟踪和导向子系系统中。一个新的顶点定位器（VELO），能够管理预期的7.5倍的数据速率，占用率和辐射量。基于4D混合硅像素技术，具有提高的ASIC速率和时序功能，新的Velo将允许精确的美容和魅力强体标识和实时模式识别。通过详细的模拟，探索了通过详细的模拟，探索通知，内部半径，材料预算和像素尺寸相位空间，同时将冲击参数（IP）分辨率限制为升级I值。在6×10 16 N EQ /cm 2和8×10 15 N EQ /cm 2时的内部半径和寿命末端的两种不同的场景作为进一步优化的起点。对传感器技术（包括LGADS，3DS和Planar Pixels）的进步和当前的研发，重点介绍了辐射硬设计和缺陷工程。与传感器电容和功率预算有关的相关要求是为了实现未来28 nm Protipe提交的每个命中计时目标的30 ps。相对于每个布局方案，研究了冷却，力学和真空实现的改进。将双重Krypton冷却的使用评估为以上1.5 w/cm 2功率耗散的情况。还考虑了可更换的传感器模块，并与3D打印的钛载体相结合。最后，讨论了在六年内进行最终设计优化的全面研发计划。