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World File Search System光电子学
Gruia Maria Iuliana - Europass 简历
Zimnyakov, D., Alonova, M., “结合偏振测量和光谱偏振测量技术诊断生物组织中的癌症变化”，Proc. SPIE 9258，光电子学、微电子学和纳米技术高级主题 VII，92580K doi: 10.1117/12.2068182（2015 年 2 月 20 日）；11. OP Peresunko；Ju. G. Karpenko；DN Burkovets；PV Ivashko；AV Nikorych；SB Yermolenko；I.
M.TECH 量子和固态设备
印度理工学院海得拉巴分校物理系共有 28 名全职教师，在凝聚态实验、凝聚态理论、光学、激光和光谱、高能物理、天体物理和宇宙学等领域开展世界一流的研究。该系拥有设备齐全的实验室，可制造与自旋电子学、光电子学、半导体器件、纳米电子学相关的设备和材料。该系还在量子信息和通信领域开展世界一流的研究
博士Bratati Mukhopadhyay-加尔各答
博士（技术），加尔各答大学无线电物理和电子学研究所 年份：2006 专业：半导体器件物理和光电子学 论文：Si 基量子纳米结构在光电子器件中的应用研究 导师：Prasanta Kumar Basu 教授 技术硕士：加尔各答大学无线电物理和电子学研究所 年份：1997-1999 技术学士：加尔各答大学无线电物理和电子学研究所 年份：1994-1997 物理学学士：加尔各答大学 Lady Brabourne 学院，加尔各答 年份：1991-1994
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以及信息科学与应用国际会议 (ICISA) ⋅ 工程学院模拟与混合信号设计与测试中心委员会成员 ⋅ IEEE 微波理论与技术学报、IEEE 电子器件学报和 IEEE 固态电路杂志的技术审稿人 精选出版物 ⋅ S. Hamedi-Hagh、MY Siddiqui、M. Singh 和 S. Ardalan，“具有恒定回波损耗的低压数字控制 4GHz 可变增益放大器，”微电子选定领域杂志，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh 和 D.-H. Park，“纳米线晶体管在驱动纳米线 LED 中的应用，”电气电子材料学报，第 13 卷，第 2 期，第 73-77 页，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、M. Tabesh、S. Oh、NJ Park 和 D.-H. Park，“用于近场通信的 UHF CMOS 前端设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 6 卷，第 6 期，第 817-823 页，2011 年。⋅ Bindal, D. Wickramaratne 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术实现直接序列扩频基带发射器”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。⋅ Bindal, T. Ogura、N. Ogura 和 S. Hamedi-Hagh，“用于实现带扫描链的现场可编程门阵列架构的硅纳米线晶体管”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。 4，第 342-352 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh、JC Chung、S. Oh、NJ Park 和 DH Park，“用于 GPS 通信系统的高性能贴片天线的设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 342-352 卷。 4，第 2 期，282-286 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“下一代纳米线放大器的设计和特性”，《VLSI 设计杂志》，文章 ID 190315，2008 年。⋅ JC Chung 和 S. Hamedi-Hagh，“单芯片通信系统的 PCB 匹配电感器和天线的设计”，《国际微波科学与技术杂志》，文章 ID 287627，2008 年。⋅ Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“使用完全耗尽周围栅极晶体管的纳米线 CMOS 放大器的特性”，《纳米电子学与光电子学杂志》，第 4 卷，第 2 期，第 282-286 页，2009 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、S. Oh、A. Bindal 和 DH Park，“使用纳米线 FET 设计下一代放大器”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“用于高速模拟集成电路的硅纳米线场效应晶体管的 SPICE 建模”，IEEE Transactions on Sotoudeh Hamedi-Hagh 第 3/6 页纳米技术，第 7 卷，第 766-775 页，2008 年。⋅ Bindal、S. Hamedi-Hagh 和 T. Ogura，“用于现场可编程门阵列架构应用的硅纳米线技术”，纳米电子学与光电子学杂志，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。 3，第 2 期，第 1-9 页，2008 年。 ⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线晶体管及其在未来 VLSI 中的应用：16×16 SRAM 的探索性设计研究”，纳米电子学和光电子学杂志，第 2 卷，第 294-303 页，2007 年。⋅ Bindal、A. Naresh、P. Yuan、KK Nguyen 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计双功函数 CMOS 晶体管和电路”，IEEE 纳米技术学报，第 6 卷，第 291-302 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计新型脉冲神经元”，纳米技术杂志（物理研究所），第 2 卷，第 301-302 页，2007 年。 18，第 1-12 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“关于节能硅纳米线动态 NMOSFET/PMESFET 逻辑的探索性研究”，IEE 科学、测量和技术会议录，第 1 卷，第 121-130 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“使用硅纳米线技术实现交叉开关架构的静态 NMOS 电路”，半导体、科学和技术杂志（物理研究所），第 22 卷，第 54-64 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线技术对单功函数 CMOS 晶体管和电路设计的影响”，纳米技术杂志（物理研究所），第 17 卷，第 4340-4351 页，2006 年。
已出版著作清单 教授、博士、工程师。 Doina Manaila-Maximean 应用科学学院，物理系
Electronica, Automatica”，布加勒斯特，27，3，页 107-110，（1983 年） Rns - CNCSIS 认可的全国发行的专业杂志。 Rno——其他在全国发行的专业杂志。 VisI - 在国内外组织的公认的国际科学事件卷，已编入 ISI 索引 VisB - 在国内外组织的公认的国际科学事件卷，已编入该领域的国际数据库 - BDI 索引，该数据库根据绩效标准执行选择出版物的过程。 Vi- 在国内外组织的公认的国际科学活动的卷宗； Vn——国家科学事件卷。 Vi：国内外公认的国际科学事件刊物上发表的文章列表（17 个 ISI 索引）Vi1。 VA Loiko、A. Konkolovich、A. Minskievich、D. Manaila-Maximean、O. Danila、V. Circu、A. Barar，“掺杂碳纳米管的聚合物分散液晶膜的光透射”，第十一届国际科学会议“凝聚态介质中的富勒烯和纳米结构”，2020 年 11 月 24-26 日，白俄罗斯明斯克，卷 proc。 P.110，ISBN 978-985-7138-17-3，俄文。 Vi2。 Doina Mănăilă-Maximean、Paul Ganea、Valery A. Loiko、Alexander V. Konkolovich、Viorel Cîrcu、Octavian Danila、Ana Bărar，“掺杂纳米粒子的聚合物分散液晶：电和电光特性”（受邀），SPIE 会议 ATOM-N，罗马尼亚康斯坦察，2020 年 8 月 20 日至 23 日，会议录第 11718 卷，光电子学、微电子学和纳米技术的高级主题 X； 117182R (2020) DOI:10.1117/12.2572104 Vi3。 Theodora A. Ilincă、Doina Manaila-Maximean、Paul C. Ganea、Iuliana Pasuk、Viorel Cîrcu，“基于 4-吡啶酮配体的新型镧系元素介晶的极化发射和介电研究”，SPIE 会议 ATOM-N，罗马尼亚康斯坦察，2020 年 8 月 20 日至 23 日会议记录第 11718 卷，光电子学、微电子学和纳米技术的高级主题 X； 117182U (2020)，DOI：10.1117/12.2572109 Vi4。 Ligia Frunza、V. Florin Cotorobai、Monica Enculescu、Irina Zgura、C. Paul Ganea、Maria Birzu、Doina Mănăilă-Maximean，“罗丹明 B 溶液在羊毛基质上的吸附、芯吸行为和光降解测试”，SPIE 会议 ATOM-N，罗马尼亚康斯坦察，2020 年 8 月 20 日至 23 日，会议录第 11718 卷，光电子学、微电子学和纳米技术的高级主题 X； 117182W（2020），DOI：10.1117/12.2572130 Vi5。 A. Bărar、O. Dănilă、D. Mănăilă-Maximean、VA Loiko，2019 年 9 月。 “通过偏振平面旋转控制可调液晶/超材料结构中的主动光谱吸收”。在纳米技术和生物医学工程国际会议上（第 299-303 页）。 Springer，Cham.，DOI：10.1007/978-3-030-31866-6_58，WOS：000552314200058 Vi6。 D. Manaila Maximean、A. Barar、CP Ganea、PLAlmeida, O. Dănilă，2019 年 1 月。“液晶羟丙基纤维素网络复合材料的阻抗谱和电光切换时间”。光电子学、微电子学和纳米技术高级主题 IX（第 10977 卷，第 109770P 页）。国际光学和光子学学会。（6 页），WOS：000458717900024
国立彰化师范大学电子工程学系硕士班毕业条件表暨课程...
3 3光电半导体元件光电子半导体设备3 3 3光电子学光电2 4光电实验技术光电子实验室光电工程概论3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3个测量系统的量度测量系统。测量系统设计半导体元件及材料特性分析3 3 3分析半导体设备和材料半导体元件物理33 3 3 3 3 3 3半导体行业和技术的特殊主题半导体磊晶技术3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3半导体制程技术半导体处理技术纳米科学和技术简介3 3 3微电子材料与制程微电源材料和加工新兴奈米电子元件与奈米光子结构33 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3量子机制3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 quant
可穿戴高密度 fNIRS 和漫射光学断层扫描技术：展望
摘要。光电子学的最新进展首次使可穿戴和高密度功能性近红外光谱 (fNIRS) 和漫反射光学断层扫描 (DOT) 技术成为可能。这些技术有可能在几乎任何环境和人群中以与 fMRI 相当的分辨率对人类皮层进行功能性神经成像，从而开辟现实世界神经科学的新领域。在这篇观点文章中，我们简要概述了可穿戴高密度 fNIRS 和 DOT 方法的历史和现状，讨论了当前面临的最大挑战，并提出了我们对这项非凡技术未来的看法。© 作者。由 SPIE 根据知识共享署名 4.0 国际许可出版。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.NPh.10.2.023513]
个人简历 Luckshitha Suriyasena Liyanage
个人简历 Luckshitha Suriyasena Liyanage 1600 West Plum ST APT 25A，科罗拉多州柯林斯堡 80521，美国 650-704-1265，luckylehigh@gmail.com 教育经历 09/09 – 01/15 斯坦福大学，斯坦福，加州 电气工程博士 – 题目：用于 CMOS 的固态碳纳米管掺杂技术 电气工程硕士，2011 GPA：3.88/4.00 课程：半导体器件、材料特性、VLSI 器件、固体物理、量子力学、硅制造、光电子学、电磁学、模拟电路 08/04-05/09 利哈伊大学，伯利恒，宾夕法尼亚州（双学位课程） 工程物理学学士和电气工程学士电气工程学士学位（两项均为最高荣誉） GPA：3.95/4.00 工作经历 09/21-至今 美国国家标准技术研究所 (NIST) 研究助理，美国科罗拉多州博尔德