XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System光电材料
用于显示的双通道量子元全息图
范玉斌 , a,b,c, † 梁红 , d,e, † 王昱涵, f, † 陈淑凡, a,b,c 赖方星, f 陈木库, a,b,c 肖淑敏, f,g, * 李仁森, d,e, * 和蔡鼎平 a,b,c, * a 香港城市大学，电机工程学系，香港，中国 b 香港城市大学，生物系统、神经科学及纳米技术中心，香港，中国 c 香港城市大学，太赫兹及毫米波国家重点实验室，香港，中国 d 香港科技大学，物理系，香港，中国 e 香港科技大学，高等研究院量子技术研究中心，香港，中国 f 哈尔滨工业大学（深圳），工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室，广东省半导体光电材料与智能光子学重点实验室系统，深圳，中国 g 鹏程实验室，深圳，中国
引用：Bouhmaidi S.，Pingak R. K.，Setti L.（2023）
摘要：这项工作旨在研究立方SR 3 Mn（M = P和AS）抗渗透岩的电子，弹性，光学和热电特性。在这项工作中首次研究了立方SR 3 Pn的特性，而SR 3 ASN的特性与文献中的其他理论结果进行了比较。在整个研究中，都使用了具有GGA-PBE功能的量子意式浓缩（QE）包中实现的密度功能理论（DFT）。sr 3 pn和sr 3 ASN被发现在化学和机械上稳定，优化的晶格参数分别为5.07Å和5.11Å。的结果还表明，两种化合物是P型半导体，直接带隙为0.56 eV，对于各个化合物为0.45 eV。还预计材料具有出色的光学特性，包括在可见的和紫外线区域中以10 5 cm -1的高度吸收，因此是有希望的光电材料。此外，这两种材料的计算出的热电性能强烈表明两种材料是热电应用的潜力。
电子与电气工程实验室
电子与电气工程实验室 电子与电气工程实验室 (EEEL) 的研究项目涵盖了电气、电子、电磁和光电材料、组件、仪器和系统的几乎所有关键学科，并侧重于计量学。实验室在马里兰州盖瑟斯堡和科罗拉多州博尔德设有实验室；其年度预算约为 8000 万美元。EEEL 的项目涵盖以下领域的测量和相关研究：(1) 基本电气单元；(2) 超导电子学和约瑟夫森结器件、量子霍尔效应器件和单电子隧穿现象的应用；(3) 高临界温度和低临界温度超导体、器件和系统；(4) 磁性材料、块体和薄膜，包括记录介质和磁头；(5) 硅和复合半导体材料、工艺和器件，包括功率器件；(6) 用于纳米级制造控制的测试结构； (7) 光电子学，包括光波通信和传感技术、激光器和光学记录；(8) 微波和毫米波材料、仪器、系统和天线，包括单片微波/毫米波集成电路；(9) 电磁兼容性和干扰，包括辐射和传导，包括电能质量；(10) 射频和微波/毫米波噪声；(11) 电介质材料
文章
用白光发射二极管（WLEDS）更换传统的白炽灯，卤素和荧光灯，预计到2030年将使全球用电量减少三分之一。当前的WLED技术使用基于稀土元素（REE）的磷光材料，这不仅是成本密集的，而且构成了环境问题。因此，研究人员正在寻求新一代的光电材料，这些材料可以取代WLED中的常规磷酸盐，因此旨在为未来提供更清洁，更节能的照明技术。发光的金属有机框架（LMOF）最近成为一种新的MOF子类，它们在感应，成像，光电，光电子化和固态照明（SSL）技术方面具有巨大的应用潜力。lmof可以是游戏改变者，因为诸如高发光量子产率，可调式激发和排放等优点，可以通过合理的设计和金属中心，接头分子的优化，宾客分子的优化，设备易于制造以及结构鲁棒性来哄骗。LMOF的这些明确的优势特征使它们在其他当代材料上得分，并使它们为WLED技术提供了未来派的磷光材料。在本功能文章中，我们将概述基于LMOF的SSL的最新发展，以特别关注WLED技术。重点将集中在无REE的LMOF上，因为目的是将读者的注意力引导到更可行，更绿色的照明技术。
物理系宣传册 - 蒂鲁帕蒂
斯里文卡特斯瓦拉大学物理系将于 2023 年 8 月 9 日至 10 日举办为期两天的先进材料、设备和技术国际会议 (ICAMDT-2023)。ICAMDT-2023 涵盖先进材料、设备和技术的最新发展，这些发展将影响几乎所有科学和技术领域。会议的主要目标是汇集来自学术界、国家实验室和工业界的科学家和工程师，讨论先进材料、设备和技术的最新发展，并探索在以下领域解决新出现的问题的合作可能性：1.生物材料和生物电子学2.陶瓷、电介质和铁电材料3.无序材料4.磁性材料和自旋电子学5.发光材料和装置6.光纤通信材料7.空间应用材料8.微机电系统9.纳米材料和纳米电子学10.纳米光子学11.光电材料和器件12.聚合物和有机材料13.半导体14.传感器和其他设备15.固态离子材料和装置16.薄膜和相关技术会议将以混合模式举行。
物理系宣传册 - 蒂鲁帕蒂
斯里文卡特斯瓦拉大学物理系将于 2023 年 11 月 6 日至 7 日举办为期两天的先进材料、设备和技术国际会议 (ICAMDT-2023)。ICAMDT-2023 涵盖先进材料、设备和技术的最新发展，这些发展将影响几乎所有科学和技术领域。会议的主要目标是汇集来自学术界、国家实验室和工业界的科学家和工程师，讨论先进材料、设备和技术的最新发展，并探索在以下领域解决新出现的问题的合作可能性：1.生物材料和生物电子学2.陶瓷、电介质和铁电材料3.无序材料4.磁性材料和自旋电子学5.发光材料和装置6.光纤通信材料7.空间应用材料8.微机电系统9.纳米材料和纳米电子学10.纳米光子学11.光电材料和器件12.聚合物和有机材料13.半导体14.传感器和其他设备15.固态离子材料和装置16.薄膜和相关技术会议将以混合模式举行。
斯科特·丹尼尔·西弗曼
2012 年至今 德克萨斯大学奥斯汀分校 Seth R. Bank 教授 研究生助理 先进半导体外延实验室 – 研究和开发使用分子束外延的高应变 III-V 和稀释双胺 III-V 半导体中红外（3-5 µm）光电材料和器件的晶体生长技术。 – 演示了具有无铝有源区的 GaSb 基 I 型二极管激光器的最长波长发射（>3.6 µm）。 – 演示了 GaInAsSbBi 合金的首次外延生长和首次室温光致发光。 – 开发了基于 III-V 的半导体激光器的器件生长和制造工艺。 – 设计和实施工具和技术来维护、修理和操作两个分子束外延系统，同时避免耗时的真空系统烘烤。 – 设计并建造了具有亚皮秒分辨率的泵浦探测传输测试台，用于测量半导体中的载流子复合寿命。 – 通过添加自动测试功能改进了多个实验测试站。 – 将未充分利用的实验室空间改造成傅里叶变换红外 (FTIR) 光谱和红外显微镜分析站。 – 监督和指导参加夏季和学期研究体验的八个人的工作。
在量子点超晶格中调和时空分辨激子传输的复合电动力机制
量子点（QD）固体是有希望的光电材料；进一步提高其设备功能需要了解其能量传输机制。The commonly invoked near-field Förster reso- nance energy transfer (FRET) theory often underestimates the exciton hopping rate in QD solids, yet no consen- sus exists on the underlying cause.为了响应，我们使用了时间分辨超快刺激的发射消耗（STED）显微镜，这是STED的超快速转化，以在泰氏剂掺杂的核心/核心/钙含量的核/钙含量硫化物硫化物硫化物 - 硫化物 - 硫化物 - 壳QD超弹药中的超快转化。我们测量了由于激子在超晶格内采样异质的能量景观而导致的伴随时间分辨的激子衰减。通过单粒子发射光谱量化异质性。这套强大的多模式集合集合对激子传输的动力学蒙特卡洛模拟提供了足够的约束，以阐明一种复合运输机制，该机制包括近场和以前被忽视的远场排放/吸收性贡献。发现这种机制提供了一个急需的统一框架，可以在其中表征QD固体中的传输和设备设计的其他原理。
利用扫描纳米探针衍射揭示电子和 X 射线辐射与卤化物钙钛矿半导体的相互作用机制
高能电子和 X 射线光子与诸如卤化物钙钛矿之类的光束敏感半导体的相互作用对于表征和理解这些光电材料至关重要。使用可以在纳米尺度上研究物理特性的纳米探针衍射技术，研究了电子和 X 射线辐射与最先进的 (FA 0.79 MA 0.16 Cs 0.05 )Pb(I 0.83 Br 0.17 ) 3 混合卤化物钙钛矿薄膜 (FA，甲脒；MA，甲铵) 的相互作用，使用扫描电子衍射和同步加速器纳米 X 射线衍射技术跟踪局部晶体结构随通量的变化。从中识别出钙钛矿晶粒，在 200 e − Å − 2 的通量后，与 PbBr 2 相对应的额外反射作为晶体降解相出现。这些变化伴随着相邻大角度晶粒边界上小 PbI 2 晶体的形成、针孔的形成以及从四方到立方的相变。纳米 X 射线衍射中的光子辐照也会引起类似的降解途径，表明存在共同的潜在机制。这种方法探索了这些材料的辐射极限，并提供了纳米级降解途径的描述。解决大角度晶粒边界问题对于进一步提高卤化物多晶薄膜的稳定性至关重要，尤其是对于易受高能辐射影响的应用，例如空间光伏。
近红外异质结场调制光晶体管具有不同的光反调整/光静力开关特征的人工视觉效果
Near-Infrared Heterojunction Field Modulated Phototransistors with Distinct Photodetection/Photostorage Switching Feature for Artificial Visuals Jiayue Han, 1, † Xiaoyang Du, 1, † Zhenghan Zhang, 2,3, † Zeyu He, 1 Runzhang Xie, 3 Chongxin Shan, 4 Silu Tao, 1, * Weida Hu, 3, * Ming Yang，1 Jun Gou，1,5 Zhiming Wu，1,5 Yadong Jiang 1,5和Jun Wang 1,5， * 1.光电科学与工程学院，中国电子科学与技术，成都610054，Chengdu 610054，中国中国2. Satate of Microeleelelecroelecroelecroelectronic，Farhans，Shanghanghanghans，Shanghanghand Shadhanghandshaghan。3.上海技术物理研究所的省关键实验室，中国科学院，Yutian Road 500，上海，200083年，Yutian Road，200083，4.Henan钻石光电材料和设备的Henan Key实验室，物理与工程学院，Zhengzhou University，Zhengzhou University，Zhengzhou University，Zhengzhou 450001 Y50001，PROF.G.G.G.G.G.G.G.G.G.G. GR.G. GR.G. GR.I. GR.I. g. g。 Jiang，J。Wang教授5.国家电子薄膜和集成设备的主要实验室，中国电子科学与技术大学，成都610054，中国†这些作者为这项工作做出了同样的贡献。*Silu Tao：电子邮件：silutao@uestc.edu.cn *Weida Hu：电子邮件：wdhu@mail@mail.sitp.ac.cn *jun wang：jun wang：wjun@uestc.edu.cn