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邀请申请forph.d。 2021年1月的计划CSR-剥离技术_NML .pdf
removal from plain carbon steel components • Coatings for anti-bacterial and fuel tank applications • Nano-composite Hard Coating • Certified Reference Materials • Erosion resistant steel • Graphene coated steel • Synthetic flux and dephosphorization of Steel in Induction Furnace • DRI from mill scale and lean grade non coking coal in Tunnel Kiln • Briquetting of Ore fines • Pellet-sinter composite agglomerate of Iron氧化物罚款用于BLAST
利用亚带隙激发飞秒激光剥离技术生产独立 GaN 发光二极管芯片
激光剥离 (LLO) 通常用于将功能薄膜与下面的基板分离，特别是将基于氮化镓 (GaN) 的发光二极管 (LED) 从蓝宝石中分离出来。通过将 LED 层堆栈转移到具有定制特性的外来载体（例如高反射表面），可以显著提高光电器件的性能。传统上，LLO 是使用纳秒级的紫外激光脉冲进行的。当指向晶圆的蓝宝石侧时，蓝宝石/GaN 界面处的第一层 GaN 层吸收脉冲会导致分离。在这项工作中，首次展示了一种基于 520 nm 波长的飞秒脉冲的 LLO 新方法。尽管依赖于亚带隙激发的双光子吸收，但与传统的 LLO 相比，超短脉冲宽度可以减少结构损伤。在详细研究激光影响与工艺参数的关系后，我们开发了两步工艺方案，以制造边长可达 1.2 毫米、厚度可达 5 微米的独立 InGaN/GaN LED 芯片。通过扫描电子显微镜和阴极发光对分离的芯片进行评估，结果显示 LLO 前后的发射特性相似。
教授（博士）Avanish Kumar Srivastava 邀请申请forph.d。 2021年1月的计划 CSR-剥离技术_NML .pdf
Avanish Kumar Srivastava博士获得了硕士学位。（hons。）来自IIT Roorkee的物理学，UOR（1986），M。Tech。 IIT Kanpur（1988）和博士学位的材料科学中的。在IISC Bangalore（1996）的冶金学中，在工程学院中。 他的多产研究适用于理解各种材料的成核增长机制，相变，微观结构和缺陷，以散装和引人入胜的纳米规模的形式出色，并且在全球范围内都非常出色，并且众所周知。 他为与（i）迅速固化的金属系统有关的高级材料领域的各种项目做出了巨大贡献，（ii）纳米结构，（iii）复合材料，（iv）太阳能，（v）热电学，（v）热电，（vi）磁性，（vi）磁性，（vii）对财富的浪费，以及（viii）和（viii）安全，健康和环境。 研究和学者的贡献来自IIT Roorkee的物理学，UOR（1986），M。Tech。IIT Kanpur（1988）和博士学位的材料科学中的。在IISC Bangalore（1996）的冶金学中，在工程学院中。 他的多产研究适用于理解各种材料的成核增长机制，相变，微观结构和缺陷，以散装和引人入胜的纳米规模的形式出色，并且在全球范围内都非常出色，并且众所周知。 他为与（i）迅速固化的金属系统有关的高级材料领域的各种项目做出了巨大贡献，（ii）纳米结构，（iii）复合材料，（iv）太阳能，（v）热电学，（v）热电，（vi）磁性，（vi）磁性，（vii）对财富的浪费，以及（viii）和（viii）安全，健康和环境。 研究和学者的贡献。在IISC Bangalore（1996）的冶金学中，在工程学院中。他的多产研究适用于理解各种材料的成核增长机制，相变，微观结构和缺陷，以散装和引人入胜的纳米规模的形式出色，并且在全球范围内都非常出色，并且众所周知。他为与（i）迅速固化的金属系统有关的高级材料领域的各种项目做出了巨大贡献，（ii）纳米结构，（iii）复合材料，（iv）太阳能，（v）热电学，（v）热电，（vi）磁性，（vi）磁性，（vii）对财富的浪费，以及（viii）和（viii）安全，健康和环境。研究和学者的贡献
均匀磁化矩形杆和圆柱体退磁因子的简单近似表达式
光学显微镜显示蚀刻后表面清晰无特征。总之，我们描述了一种制造可靠、易于去除的高能高剂量离子注入掩模的新工艺。要注入的样品以额外的 AIGaAs 金属剥离层作为表面层，在其上通过常规光刻胶剥离技术对金属掩模进行图案化。注入后，通过使用 HCl 选择性蚀刻 AIGaAs 来去除 AIGaAs 金属剥离层和金属掩模。由于 HCl 的选择性，在去除金属掩模期间底层外延结构不会受损。这项工作得到了国家科学基金会化合物半导体微电子工程研究中心 (CDR-85-22666)、材料研究实验室 (DMR-86-12860) 和海军研究实验室 (NOOO14-88-K-2oo5) 的支持。
首次演示稳健的三栅极 β-Ga2O3 纳米...
摘要 首次展示了通过剥离技术在 SiO 2 / Si 衬底上制备的纳米膜三栅极 β -氧化镓 ( β -Ga 2 O 3 ) 场效应晶体管 ( FET )。通过采用电子束光刻技术，可以定义最小尺寸特征，覆盖通道宽度为 50 纳米。为了在 β -Ga 2 O 3 和栅极电介质之间获得高质量的界面，利用原子层沉积的 15 纳米厚的氧化铝 ( Al 2 O 3 ) 和三甲基铝 ( TMA ) 自清洁表面处理。制备的器件表现出极低的亚阈值斜率 ( SS )，为 61 mV dec − 1 ，高的漏极电流 ( I DS ) 开/关比为 1.5 × 10 9 ，以及可忽略不计的传输特性滞后。我们还通过实验证明了这些器件的稳健性，在高达 400°C 的温度下测量了电流-电压（I-V）特性。
（sub） - 毫米波电网校准和设备表征
摘要：精确度量在电子设备中起着至关重要的作用，特别是在使用BICMOS技术的设备中嵌入THZ应用中的硅具有异质结（HBT）的表征。由于最近在纳米范围内制造技术的创新，能够在亚毫升波区域运行的设备成为现实，并且必须满足对高频电路和系统的需求。将精确的模型达到此类频率，不再有可能限制参数以下的提取低于110 GHz，并且必须研究允许获得被动和主动设备的可终止测量的新技术。在本论文中，我们将研究不同无源测试结构的硅（磁力）上S参数的特征，而B55技术中的HBT SIGE从Stmicroelectronics（最高500 GHz）进行了SIGE的表征。我们将首先引入通常用于此类分析的测量设备，然后我们将转到IMS实验室中采用的各种测量台，最后我们将重点介绍校准和剥离技术（DE-DEMEDDIQUS（DE-EXED），通过审查高频率特征和两种效率上的校准劳ith钙的主要批评，以进行校准和剥离技术。 TRL）到WR-2.2条。在完成时，我们将提出一些测试结构，以评估对Miller Wave测量和新输电线设计解决方案的不良影响。将提出两个为IMS的磁力表征的光质产生的循环：我们将介绍一个新设计的浮球层设计，并评估其限制寄生效应以及其环境效果（底物，邻近的结构和diaphony）的能力。为了进行分析，我们将依靠紧凑型模型 +探针的电磁模拟和混合EM模拟，包括用于评估测量结果的探针模型，更接近实际条件。将仔细研究两个有希望的设计：“布局M3”，旨在以单个级别的校准表征DUT，而“曲折线”，通过避免在硅的测量过程中避免任何运动，从而保持两个恒定探测器之间的距离。关键字：表征，传输线，Terahertz，毫米波，校准，silicuim，tbh坐着
在大型纯种牲畜种群中使用杂交剥皮进行全基因组序列推断的准确性
摘要背景：合适的测序策略与填补方法的结合对于从牲畜种群中收集用于研究和育种的大型全基因组序列数据集至关重要。在本文中，我们描述并验证了测序策略与填补方法混合剥离在真实动物育种环境中的结合。方法：我们使用了四个不同规模的猪种群的数据（18,349 到 107,815 头猪），这些猪种群的基因分型广泛，全基因组标记密度在 15,000 到 75,000 个之间。每个种群中大约有 2% 的个体进行了测序（大多数为 1 × 或 2 ×，每个种群有 37–92 个个体，总计 284 个，为 15–30 × ）。我们使用混合剥离技术填补了全基因组序列数据。我们使用留一法设计，通过删除覆盖率高的 284 个个体的序列数据来评估填补准确性。我们模拟了模仿真实人群中使用的测序策略的数据，以使用回归树量化影响个体和变异插补准确性的因素。结果：四个人群中大多数个体的插补准确性都很高（个体剂量相关性中位数：0.97）。由于缺乏自身和祖先的标记阵列数据，每个人群最早几代个体的插补准确性低于其他人群。决定个体插补准确性的主要因素是基因分型状态、直系祖先的标记阵列数据的可用性以及与其他人群的关联程度，但亲属的测序覆盖率没有影响。决定变异插补准确性的主要因素是次要等位基因频率和每个变异位点具有测序覆盖的个体数量。通过实证观察验证了结果。结论：我们证明，将适当的测序策略与混合剥离相结合是一种强大的策略，可以在大型谱系群体中生成高精度的全基因组序列数据，其中只有一小部分个体（2%）进行了测序，而且大部分覆盖率较低。这是成功实施全基因组序列数据进行基因组预测和精细定位因果变异的关键步骤。
由于优异的光电性能，先进纳米材料越来越受到学术界和工业界的关注（刘
先进纳米材料因其出色的光电特性，受到学术界和工业界越来越多的关注（Liu et al.，2020）。近年来，人们致力于开发高性能纳米材料，这使得其在广泛的光电应用中具有巨大潜力（Kong et al.，2021；Niu et al.，2021），特别是在发光二极管 (LED) 和太阳能电池 (SC) 方面。我们非常高兴地推出这期题为“用于发光二极管和太阳能电池的先进纳米材料”的特刊。本期特刊从不同角度强调了材料-器件研究的主要意义，结合了现代实验方法和理论模拟。我们从这个令人兴奋的领域收集了 10 篇特色文章，涵盖了用于 LED 和 SC 开发的先进纳米材料的新兴概念、策略和技术。简化的有机 LED（OLED）结构和可行的制造工艺在照明中起着关键作用。 Xu 等人结合了超薄非掺杂发射纳米层（0.3 纳米），展示了低效率滚降和结构简单的 OLED。同时，Xie 等人通过使用含硼和氮原子的分子作为客体发射极，开发了溶液处理的蓝色热激活延迟荧光 OLED，其半峰全宽较窄为 32 纳米，获得高色纯度 OLED。另一方面，开发新型溶液处理的空穴注入材料对于高性能 OLED 至关重要。Zhu 等人合成了二硫化钼量子点（MoS 2 QDs）并展示了具有混合聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT:PSS）/QDs 空穴注入层的绿色磷光 OLED。采用PEDOT:PSS/MoS 2 空穴注入层的OLED最大电流效率为72.7 cd A −1，比单一PEDOT:PSS的OLED高28.2%，表明以硫化物QD作为空穴注入层是实现高效OLED的有效方法。GaN基LED也是很有前途的照明和显示设备。Zhang等人从实验和数值两个方面系统地研究了台面尺寸减小对InGaN/GaN LED两个横向维度的影响，为设备小型化提供了见解。而Lu等人制作并展示了各种尺寸的应变减小微型LED，并研究了尺寸对光学特性和量子阱铟浓度的影响。他们的工作为实现微型LED的高功率性能提供了经验法则。另一方面，Liu等人对GaN基LED进行了系统的研究，提出了一种新的方法来降低应变，提高LED的效率。采用氢化物气相外延与激光剥离技术联合制备缓冲层，在双抛光蓝宝石衬底上制备了厚度约为250 μm的2英寸自支撑GaN衬底，为高功率GaN基器件提供了一条途径。