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World File Search System功率级
已发布版本的引用（APA）：Hasan, MM, Berseneff , B., Meulenbroeks , T., Cantero, I., Chakraborty, S., Geury, T., & Hegazy, O. (2022)。
摘要：本文开发了一个多目标协同设计优化框架，用于优化与电网相连的混合电池储能系统 (HBESS) 中的电池和电力电子设备的尺寸和选择。协同设计优化方法对于具有耦合子组件的复杂系统至关重要。为此，在 HBESS 的设计中，使用非支配排序遗传算法 (NSGA-II) 来优化尺寸和技术选择，同时考虑成本、效率和寿命等设计参数。可互操作框架考虑了三个第一寿命电池单元和一个第二寿命电池单元，以形成两个独立的电池组作为混合电池单元，并考虑了两种功率转换架构，用于将混合电池单元以不同的功率级和模块化程度连接到电网。最后，作为框架输出获得的全局最佳 HBESS 系统由 LTO 第一寿命和 LFP 第二寿命电池组成，与基线相比，总拥有成本 (TCO) 降低了 29.6%。
电网连接混合电池储能系统的多目标协同设计优化框架：优化规模和技术选择
摘要：本文开发了一个多目标协同设计优化框架，用于优化连接到电网的混合电池储能系统 (HBESS) 中的电池和电力电子设备的尺寸和选择。协同设计优化方法对于具有耦合子组件的复杂系统至关重要。为此，在 HBESS 的设计中，使用非支配排序遗传算法 (NSGA-II) 进行技术的尺寸优化和选择，同时考虑成本、效率和寿命等设计参数。可互操作框架考虑了三个第一寿命电池单元和一个第二寿命电池单元，以形成两个独立的电池组作为混合电池单元，并考虑了两种功率转换架构，用于将混合电池单元连接到具有不同功率级和模块化水平的电网。最后，作为框架输出获得的全局最佳 HBESS 系统由 LTO 第一寿命和 LFP 第二寿命电池组成，与基线相比，总拥有成本 (TCO) 降低了 29.6%。
利用太阳能光伏发电的电动汽车充电系统...
随着人们对环境问题的日益关注、能源节约和全球变暖，政府、企业和个人都开始将可再生能源视为重要支柱。如今，公众和学者都非常关注电动汽车。可再生能源包括地热能、水力发电和海洋能，以及风能和太阳能。DC-DC 双向转换器或升压转换器是电力电子转换器的例子，它们可以控制捕获能量的流动，并可用于各种应用。为了捕获这些能量，这些转换器是必不可少的。过去，所有这些转换都是由可控硅整流器 (SCR) 管理的。MOSFET 和 IGBT 等现代开关现在可以在很宽的频率范围内工作 [1]。双向 DC-DC 转换器是不间断电源 (UPS)、燃料电池汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV) 电源转换系统的重要组成部分。通过将低压电池转换为高压电源来为家用设备充电时，必须使用 DC-DC 转换器。双向 DC-DC 转换器有两种类型：隔离式和非隔离式 [2]。单相非控制整流器广泛应用于许多电力电子转换中。它们通常用作非调节直流电压的中间源，随后进行调节以产生调节直流或交流输出。它们通常被证明是强大而高效的功率级。然而，它们确实有许多缺点。主要问题是它们无法调节输出直流电压和电流幅度，而输入交流电压和负载参数保持不变。它们可以
Edify Energy Darlington Point 太阳能发电场环境影响声明
表 37 在研究区域内已确定的原住民考古遗址 ...................................................................................... 126 表 38 以前记录的原住民遗址 ...................................................................................... 126 表 39 在考古调查中新近记录的遗址 ........................................................................................ 128 表 40 已记录的原住民文化遗产的价值 ............................................................................. 133 表 41 在研究区域内已评估的原住民考古遗址的重要性 ............................................................................................. 133 表 42 原住民文化遗产缓解措施 ............................................................................................. 135 表 43 风险排序矩阵（来源：（DPI，土地使用冲突 ................ 风险评估指南，2011 年） ............................................................................................. 143 表 44 土地使用冲突风险评估摘要 ............................................................................................. 143 表 45 解决潜在 ................ 土地使用影响的建议缓解措施 ............................................................................................. 144 表 46 非原住民遗产项目表 47 非原住民文化遗产的缓解措施 ...................................................................................... 149 表 48 住宅区 ........................................................................................................ 150 表 49 其他噪声敏感土地用途的施工噪声管理水平 ................................................................................ 151 表 50 DPSF 项目施工噪声管理水平 ...................................................................................... 152 表 51 INP 舒适度标准 – 建议的 L Aeq 噪声水平 ............................................................................................. 153 表 52 项目特定的运行噪声标准，住宅区 ............................................................................................. 153 表 53 BS 7385-2 结构损坏标准 ............................................................................................. 155 表 54 振动类型 – 定义 ............................................................................................. 155 表 55 人体舒适度的首选和最大振动加速度水平 ............................................................................. ........................................................... 156 表 56 间歇性 ............. 振动 (m/s1.75) 的可接受振动剂量值 (VDV) .............................................................. 156 表 57 靠近 DPSF ............. 场地的敏感受体 ............................................................................................. 157 表 58 噪声调查测量位置和结果 .............................................................................159 表 59 项目施工噪声管理水平 ...................................................................................................... 160 表 60 项目具体运行噪声标准，住宅 ................................................................................................................. 160 表 61 每项活动的标称施工设备和声功率级 ................................................................................................. 161 表 62 场地边界的预测施工噪声水平 ...................................................................................................... 162 表 63 唐纳德罗斯大道的施工交通流量和预测噪声水平 ............................................................................................. 163 表 64 摘自 TfNSW 施工噪声战略 – ................. 振动密集型工厂的建议最小工作距离 ................ ...
100V RF AlGaN/GaN-SiC HEMT 在 200°C 下的 MTTF 为 1E7 小时
关键词：AlGaN、ALT、HEMT、高功率 RF 放大器、GaN、MTTF、可靠性、100V 摘要 据报道，在 100V 下工作的 RF GaN-SiC HEMT 在 200°C 通道温度下的中位故障时间 (MTTF) 为 1000 万小时。数据是从 300°C、315°C 和 330°C 三个温度下的加速寿命测试 (ALT) 推断出来的。为了捕获显著的统计变化，从来自不同批次的两个晶圆中挑选出每个温度的 10 个 ALT 代表性样本。故障设定为饱和漏源电流 (I DSS ) 下降 20%。在 100 V 下表征的 AlGaN/GaN on SiC HEMT 技术基于带背通孔的 0.5 m GaN 工艺。引言 最近有报道称，通过将工作电压提高到超过标准 50 V，可实现突破性的 2.3 kW UHF 单射频晶体管放大器 [1]。此外，用于 L 波段应用的 5 kW 单射频 GaN 晶体管将在 IMS-2022 [2] 上展示。在单个射频 GaN 晶体管放大器中实现数千瓦功率级将是促进兆瓦级射频系统中 TWTA 或其他真空电子器件替换的重要里程碑。为了实现这一技术转变，需要一种能够在 100 - 150 V 偏压下可靠工作的新型射频 GaN 晶体管。在更高电压下工作射频 GaN HEMT 的几个优点是：更高的功率密度、更高的效率、更高的阻抗和更宽的带宽；本文首次讨论高压射频 GaN HEMT 的可靠性。每当一种新的半导体技术被开发并推向市场时，人们就会明显担心其可靠性。在过去的 70 年中，人们开发了一套严格的测试来估计任何半导体技术在其预期工作条件和环境下的寿命 [3 – 4]。良好可靠性的普遍接受的指标是，在 200°C 的通道 (FET) 或结 (BJT) 工作温度下，现场寿命为 1000 万小时。为估计或推断这种寿命而开发的表征技术是通过加速寿命测试，其中半导体器件池在高温下运行以故意诱发故障，并测量每个池中 50% 的样品失效所需的时间。ALT