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World File Search System势垒
AlGaN 势垒对具有 p-GaN 栅极的功率 HEMT 长期栅极可靠性的影响
阈值电压不稳定很大程度上被归因于 p-GaN/AlGaN 堆栈中存在的两种竞争机制，即空穴和电子捕获，分别导致负和正的 V TH 偏移 [3-9]。其中一种机制的盛行程度可能取决于栅极偏压和温度 [3]、技术种类 [11] 以及应力 / 表征时间 [12]。总体而言，来自栅极金属的空穴注入和 / 或高场耗尽肖特基结中的碰撞电离已被确定为导致 V TH 不稳定的此类现象的根本原因。提出了一些工艺优化措施，例如降低栅极金属附近 p-GaN 层中的活性镁掺杂浓度 [11]、降低 AlGaN 势垒中的铝含量 [3] 以及优化 p-GaN 侧壁的蚀刻和钝化 [10]，以限制正向栅极应力下的负和正 V TH 偏移。
垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)
P. Vigneshwara Raja、Christophe Raynaud、Camille Sonneville、Hervé Morel、Luong Viet Phung 等人。垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)。微纳米结构，2022 年，172，第 207433 页。�10.1016/j.micrna.2022.207433�。�hal-04032160�
在选定的环境气体下，金修饰石墨烯-Si 肖特基势垒二极管中的低频噪声
我们报告了金纳米粒子 (AuNP) 修饰的石墨烯-硅肖特基势垒二极管的电流-电压特性和低频噪声的结果。测量在环境空气中添加两种有机蒸气四氢呋喃 [(CH 2 ) 4 O; THF] 和氯仿 (CHCl 3 ) 中的任一种进行，以及在黄光照射 (592 nm) 期间进行，接近测量的金纳米粒子层的粒子等离子体极化频率。当加入四氢呋喃蒸气时（在金修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），我们观察到正向电压 (正向电阻区域) 的直流特性发生变化，而当添加氯仿时（在未修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），在黄光照射下会发生微小的变化。与无照射相比，在黄光照射期间观察到两种气体的低频噪声差异明显较大。与没有 AuNP 层的石墨烯-Si 肖特基二极管相比，AuNP 抑制了噪声强度。我们得出结论，所研究的金装饰肖特基二极管产生的闪烁噪声可用于气体检测。
在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒中的电流传输
本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先，通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析，可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV，理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析，结合温度依赖性测量，证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒，与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布，这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后，在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性，并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。
RB551SH-30 肖特基势垒二极管
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大面积β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其...
在过去的十几年中，β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管（SBD）发展迅速，性能得到显著提高，目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16]，用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明，通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11]，这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之，Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟，其应用潜力有待进一步论证。
MBRD2045S 肖特基势垒整流器
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势垒附近的纳秒光发射...
时间分辨电子显微镜引起了人们的极大兴趣，可用于研究空间分辨率低于光学衍射极限的超快分子、表面和体积动力学[1–8]。为了实现最佳成像条件，需要精确控制自由电子的发射和传播，这些控制现在也推动了电子-物质相互作用实验[9–14]和显微镜设计[15–18]的进步。对于任何电子显微镜，由于稳定性、相干性以及空间、时间和光谱分辨率之间的权衡，电子发射器和发射机制的选择限制了可实现的成像条件。包含大量电子的短脉冲可用于减少显微镜的曝光时间，并且是生成不可逆动力学的单次图像所必需的，这需要每个脉冲多达 10 9 个电子，但库仑相互作用会展宽大电流脉冲的空间和能量分布，增加像差并降低分辨率[5]。在较长的脉冲中，这些效应会被抑制，大量电子可以在纳秒脉冲包络内传播，同时仍能保持研究相变、反应动力学和蛋白质折叠等过程所需的时间分辨率[19–22]。此外，纳秒脉冲非常适合依赖快速电子门控的仪器，如多通透射电子显微镜[23–25]。这些脉冲可以通过使用光束消隐器及时过滤电子束来产生，也可以通过短激光脉冲触发发射[26]。消隐器通常与连续电子源集成在一起，可以模糊或位移电子束[27]。或者，激光触发需要对电子源进行光学访问，但会引入不同的自由度来控制光发射脉冲的电流、时间持续时间和能量扩展。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。
