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多孔陶瓷材料力学特性的离散单元法定量模拟
引用格式 : 周爽 , 苏景林 , 刘晓星 , 等 .多孔陶瓷材料力学特性的离散单元法定量模拟 .中国科学 : 物理学力学天文学 , 2019, 49: 064602 Zhou S, Su J L, Liu X X, et al.Quantitative simulation of mechanical properties of porous ceramic materials by discrete element method (in Chinese).Sci Sin-Phys Mech Astron, 2019, 49: 064602, doi: 10.1360/SSPMA2018-00332
电子导航研究所
全球 ATM 运行概念是由国际民航组织制定的，目的是在适应日益增长的交通量的同时，实现安全、可持续和环保的空中交通运行。ENRI 公布了其长期研究愿景，并一直致力于研究，以及为实现全球 ATM 运行概念 (GATMOC) 而在全球范围内开发和传播成果。长期研究愿景需要根据社会环境的变化和新开发技术的引入进行审查。因此，ENRI 定期审查其长期研究愿景，考虑与 CARATS * 和 GANP ** 等其他空中交通系统长期愿景的协调，并于 2019 年发布了最新版本。未来将实现基于轨迹的运行 (TBO)，其中飞机轨迹会提前调整和确定，飞机将在指定时间沿着轨迹飞行。灵活的空中交通管理对于应对各种类型、不同性能和用途的飞机的预期增长至关重要。新的研究愿景将我们未来几十年的研究主题解释为路线图，其中主题大致分为四个研究领域：“通过提高运营安全性和可靠性有效利用空域”、“通过空域运营效率有效利用空域”、“优化机场运营”和“改善空中交通系统的基础技术”，重点是提高研究潜力并持续长期为社会做出贡献。ENRI 将根据这一长期愿景开展其研究和开发活动。
SEGGER 宣布支持意法半导体的STM32C0 MCU 系列
SEGGER 的高性能实时操作系统 embOS-Ultra 也已支持 STM32C0 系列。它使用循环分辨率计 时，提供更高的精度和时间分辨率。使用 embOS-Ultra 可提高性能并节省功耗，它还为应用 程序提供了可同时使用基于周期和基于微秒的计时选项。 API 与 embOS 完全兼容，使迁移变 得简单，无需更改应用程序，并保持 embOS 行为。 embOS-Ultra 只是在使用新的附加 API 调 用时提供循环计时，不用在两者之间做出选择。了解 embOS-Ultra ，可以点击文章： embOS- Ultra ：高分辨率系统时间
电子导航研究所 - 电子航法研究所
全球 ATM 运行概念是由国际民航组织制定的，旨在实现安全、可持续和环保的空中交通运行，同时适应不断增加的交通量。ENRI 公布了其长期研究愿景，并一直致力于研究，以及在全球范围内开发和传播成果，以实现全球 ATM 运行概念 (GATMOC)。长期研究愿景需要根据社会环境的变化和新开发技术的引入进行审查。因此，ENRI 定期审查其长期研究愿景，考虑与 CARATS * 和 GANP ** 等其他空中交通系统长期愿景的协调，并于 2019 年发布了最新版本。未来将实现基于轨迹的运行 (TBO)，其中飞机轨迹会提前调整和确定，飞机将在指定时间沿轨迹飞行。灵活的空中交通管理对于应对具有不同性能和用途的各种类型飞机的预期增加至关重要。新的研究愿景将未来几十年的研究课题以路线图的形式阐述，其中研究课题大致分为四个研究领域：“通过提高运行安全性和可靠性有效利用空域”、“通过空域运行效率有效利用空域”、“优化机场运营”和“改善空中交通系统的基础技术”，重点是提高研究潜力并持续长期为社会做出贡献。ENRI 将根据这一长期愿景开展研究和开发活动。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
致密碳化硼基陶瓷的强韧化机理研究进展
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中，发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ，复合陶瓷的硬度降低，断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外，两相间位错的产生， 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因，其在陶瓷断 裂前吸收能量，造成局部强化 [37–38] 。研究发现， 添加 20 mol% TiB 2 时，复合陶瓷的相对密度为 97.91% ，维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ，断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比，在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中，研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染，获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时，烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应，因此，原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度，同时，液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面， 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能，并加速了沿晶界
Sawah Technology“非洲稻田耕种”（2）背景...
邮件：wakatuki@life.shimane-u.ac.jp内容1。在过去的70、800和1400年的世界历史上，谷物生产率（产量）与人口增长之间的关系2。撒哈拉以南非洲（SSA）国家的谷物产量最近提高了3.Sawah System Platform和Sawah Technology的定义，创世纪和演变4。改进的遗传和生态技术对水稻种植的共同进化的影响5。绿色革命的科学，技术与创新（STI）（GR）6。实现SSA 7的绿色革命的核心技术。IITA Research（1987/88）8。在灌溉的锯木树，雨落锯和非萨瓦的平台中，平均23个水稻品种的平均产量在高输入和低输入培养下（Ofori等，2005）9。在1961 - 2012年期间，SSA灌溉的进展非常缓慢，但SSA的灌溉潜力很大。10。将西非水稻土壤的生育能力与热带亚洲的“绿前和绿后革命”水稻土壤的生育能力进行比较。10.1。西部和中非及其土壤肥力的综合调查途径及其土壤肥力10.2。大米土壤fwetilit 11。在1961-2020期间SSA中肥料使用的趋势12。参考
赴法国、荷兰与比利时出席台法科技科技奖颁奖典礼及台欧盟 ...
一、會晤法國人工智慧和數位事務國務部長 .................................................... 4 二、法蘭西自然科學院年度大獎頒獎典禮 ........................................................ 5 三、拜會法國高等教育暨研究部 (MESR) ........................................................ 6 四、拜會法國國家研究總署 (ANR) .................................................................. 8 五、第 26 屆臺法科技獎頒獎典禮暨晚宴 ...................................................... 10 六、拜會荷蘭經濟事務部 (EZ) ........................................................................ 12 七、拜會駐荷蘭代表處 ...................................................................................... 15 八、拜會荷蘭研究委員會 (NWO) ................................................................... 16 九、拜會比利時法語區科學研究基金會 (FNRS) ........................................... 18 十、拜會比利時微電子研究中心 (imec) ......................................................... 20 十一、臺歐盟雙邊論壇..................................................................................................................................................................................................................................................................................... 29