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填充的空心芯光纤激光器
未通过同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。此预印本的版权持有人（该版本发布于2024年4月2日。; https：//doi.org/10.1101/2024.04.04.04.04.04.04.04.02.587715 doi：Biorxiv Preprint
缓冲模式下的 AI - 研华
在此示例中，我们说明了缓冲模式下 Advantech 设备的 AI 的使用。设置缓冲模式的最佳方法是使用 Advantech GUI。但是，用户应该知道，缓冲模式的 GUI 中设置的参数存储在 MatDeck 文档中，而不是设备中。这就是为什么我们必须从表单中导出设备句柄以供进一步使用的原因。
工业数字化转型——鲁芯创新
卢森堡面向企业的高性能计算机 (HPC) MeluXina 专为满足业务需求而设计，其 65% 的容量可供公司使用 - 初创企业、中小型企业以及大型企业。“工业 4.0 会产生大量数据，不仅来自公司内部，还来自其价值链，因为不同部分正在相互连接。处理这些数据需要相当大的数据能力，”Lambert 先生说。“MeluXina 是欧洲第一台无需通过与大学共同实施的研究项目即可使用的 HPC。这确实是适合所有人的 HPC，有专家可以指导那些不太习惯使用超级计算机的人。”
HBM2 DRAM 芯片中 RowHammer 的实验分析
RowHammer (RH) 是现代 DRAM 芯片的一个重大且日益恶化的安全性、可靠性问题，可利用该问题来破坏内存隔离。因此，了解真实 DRAM 芯片的 RH 特性非常重要。遗憾的是，之前没有研究广泛研究现代 3D 堆叠高带宽内存 (HBM) 芯片的 RH 漏洞，而这种芯片通常用于现代 GPU。在这项工作中，我们通过实验表征了真实 HBM2 DRAM 芯片的 RH 漏洞。我们表明：1) HBM2 内存的不同 3D 堆叠通道表现出明显不同级别的 RH 漏洞（误码率相差高达 79%），2) DRAM 组末尾的 DRAM 行（具有最高地址的行）表现出的 RH 位翻转明显少于其他行，3) 现代 HBM2 DRAM 芯片实现了未公开的 RH 防御措施，这些措施由定期刷新操作触发。我们描述了我们的观察结果对未来 RH 攻击和防御的影响，并讨论了理解 3D 堆叠存储器中的 RH 的未来工作。
玻璃芯基板：CHIPS和MMI的机遇
SK 集团将在佐治亚州科文顿建立首家基于玻璃的半导体部件合资企业（Absolics）与 GT-PRC 的互动 州长 Brian P. Kemp 宣布（佐治亚州亚特兰大 – 2021 年 10 月 28 日） 公司将在这个前所未有的合资企业中投资超过 4.73 亿美元，并将在牛顿县创造 400 多个新工作岗位 2022 年 11 月动工 2024 年产量最低；2025 年产量最高