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World File Search System单晶硅
将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
挪威 - 晶体安全 - 战略性投资 -
挪威晶体作为（NCR）的总部位于挪威北部的Glomfjord，该地区拥有清洁的水力发电，冰川冷却水，以及熟练的劳动力，具有扎根于太阳能行业的丰富传统。在过去的25年中，Glomfjord的单晶硅产量一直在产生。ncr专门从事制造高质量和成本效益的单晶硅产品，例如砖，晶状体和铸币厂。我们的产品下游并充当太阳能电池的底物，并共同成为太阳能模块。这些模块安装在屋顶上或作为世界各地太阳能设施的一部分。在2020年开始运营，NCR是一家前挪威公司成功重组的结果。在NCR上，我们为开发“更绿”的太阳能PV值链的开发做出了积极的贡献，并正在寻求从冶金级硅从整个过程中重新构想的欧洲太阳价值链到应用太阳能解决方案。
可生物降解的电子设备开发趋势
출처经S.W.的许可转载Hwang等人，“单晶硅纳米膜和瞬时电子相关材料的溶出化学和生物相容性”，ACS Nano。，第1卷。8，2014，pp。5843-5851。版权所有2014美国化学学会。
太阳能技术性能评估...
本论文的目的是评估 2020 年 6 月至 11 月瑞典市场上八个小型 PV（光伏）系统的技术性能。此外，本论文的目的还在于过滤测量数据，因为现场测量中通常会出现错误数据。已经采用了几种过滤方法来消除错误数据，例如线性插值、异常值和异常发电，以确保用于评估的数据的质量。测量的参数包括逆变器的输出功率、阵列辐照度平面、环境温度和模块温度。虽然模块技术对模块温度有一定影响，但在本研究中，安装方法对系统的模块温度影响更大。研究发现，与建筑一体化光伏（BIPV）系统相比，建筑应用光伏（BAPV）系统的模块温度较低。然而，安装方法对系统性能的明显影响尚不明显。系统 3 和 6 分别是 BAPV 和 BIPV 系统，它们是在单位能量产出 (kWh/kWp) 和性能比 (PR) 方面表现最佳的系统。在此期间，系统 3 的平均 PR 为 89%，系统 6 的平均 PR 为 91%。6 月份的单位能量产出最高，两个系统的单位能量产出约为 135 kWh/kWp。结果还显示，采用单晶硅技术的系统比采用单晶硅技术的系统表现更好
电子学 (ELEC) - 日历 - 卡尔顿大学
ELEC 4703 [0.5 学分] 太阳能电池 半导体能带结构、光生成、太阳光谱。单晶硅太阳能电池的详细分析。基于薄膜材料的太阳能电池：非晶硅、III-V 材料、有机物、二氧化钛染料电池。用于聚光系统的电池。光伏发电系统。用于建筑围护结构的太阳能电池。包括：体验式学习活动先决条件：ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及可持续和可再生能源工程四年级身份，或 ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及经讲师许可的工程四年级身份。每周讲课三小时，隔周进行实验室/问题分析三小时。
电子学 (ELEC) - 日历 - 卡尔顿大学
ELEC 4703 [0.5 学分] 太阳能电池 半导体能带结构、光生成、太阳光谱。单晶硅太阳能电池的详细分析。基于薄膜材料的太阳能电池：非晶硅、III-V 材料、有机物、二氧化钛染料电池。用于聚光系统的电池。光伏发电系统。用于建筑围护结构的太阳能电池。包括：体验式学习活动先决条件：ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及可持续和可再生能源工程四年级身份，或 ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及工程四年级身份（经讲师许可）。每周讲课三小时，隔周进行实验室/问题分析三小时。
用于化学和生物传感的硅杂化纳米结构的界面工程
这些和其他有吸引力的特点引起了人们对这种技术日益增长的兴趣，包括材料科学的基本方面和控制界面特性的化学方法。纳米材料合成方法和纳米制造技术的最新进展为具有极高界面面积和极小尺寸的化学传感器创造了机会，分别可以提高灵敏度和响应时间。以前的报告描述了独特的传感器类别，它们利用各种类型的纳米材料和设备架构进行有针对性的应用，活性材料包括有机半导体[3,4]、无机薄膜和纳米线[5–9]、碳纳米管[10]、石墨烯[11]和过渡金属二硫代化合物[12]。在所研究的广泛材料中，单晶硅及其衍生物尤其令人感兴趣，因为其具有优异、可重复和良好控制的电子特性，可实现卓越的性能和节能运行，并与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术兼容，用于集成多路复用和信号处理。各种研究都表明了此类化学传感平台的用途，重点是制备、组装、界面工程、电气性能和应用。与其他纳米材料（例如石墨烯、过渡金属二硫属化物、黑磷）相比，这些纳米材料通常包含一系列不受控制的活性位点（例如空位、晶粒边界和缺陷），对基面传感产生不利影响，而现代方法可以常规形成单晶硅，质量优异，成本低，面积大，结构和材料特性近乎完美。[13] 受控生长和/或光刻
使用脉冲 keV 离子束进行透射飞行时间反冲检测，实现具有高深度分辨率的灵敏多元素分析
评估了使用脉冲 keV 离子束在透射几何中对薄膜和准二维系统进行灵敏的多元素分析的飞行时间反冲检测的潜力。虽然飞行时间方法允许同时检测多种元素，而最大程度上不受反冲电荷状态的影响，但 keV 射弹能量可保证高反冲截面，从而在低剂量下获得高灵敏度。我们展示了该方法的能力，使用 22 Ne 和 40 Ar 作为射弹，穿过具有可选 LiF 涂层和单晶硅膜的薄碳箔，以用于不同的样品制备程序和晶体取向。使用大型位置灵敏探测器（0.13 sr），深度分辨率低于 6 nm，灵敏度低于 10 14
