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微芯片制造中的步骤
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微芯片制造中的步骤

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在产生典型的金属氧化物，半导体，场效应晶体管（MOSFET）设备所涉及的步骤的缩写示意图如图W10-1所示。从左上方开始，我们看到单晶硅锭在牙齿结晶器中生长，切成薄片，化学和物理抛光。这些抛光的晶片是各种微电器设备的起始材料。显示了用于处理晶片的典型制造序列，首先是在硅顶上形成Sio 2层。SIO 2层可以通过氧化硅层或通过化学蒸气沉积（CVD）铺设SIO 2来形成。接下来，将晶片用聚合物光蛋白天掩盖，将图案蚀刻到Sio 2层上的模板放置在光震托上，并将晶片暴露于紫外线辐照。如果掩模是正光片，则在

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