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教学大纲剑桥IGCSE印地语是第二语言...
我们在课程，教学和评估方面的专业知识是认识我们计划和资格的基础。剑桥IGCSE印地语作为第二语言的知识和技能的结合为学习者提供了进一步学习的坚实基础。竞争A*升至C等级的候选人已经准备好遵循包括Cambridge International AS＆A Level Hindi或同等学位在内的各种课程。竞争A*升至C等级的候选人已经准备好遵循包括Cambridge International AS＆A Level Hindi或同等学位在内的各种课程。
威尔士语与经济：证据与方法的回顾
ABS 在线文献数据库搜索中使用的“摘要” APS 年度人口调查 EPPI 政策与实践信息和协调中心证据 GVA 总增加值 KEY 在线文献数据库搜索中使用的“关键词” LFS 劳动力调查 REA 快速证据评估 RSP 区域技能伙伴关系 UKRI 英国研究与创新 WoE 证据权重
获得中文作为第一语言和第二语言
过去二十年来，人们见证了将中文作为第二语言（L2中文）的兴趣激增。兴趣在多个方面都反映在包括教育，中文课程入学，学生体内复合材料和学习动机。中文课程和课程已经兴起，尤其是为了回应大学董事会的决定，即提前安置（AP）中文和文化考试将于2006年在美国实施。中文教育在许多美国学校都迅速制度化；例如，从2004年到2008年，在K-12美国公立学校中，汉语课程的入学率增加了195％（ACTFL 2011）。除了对中文兴趣的总体增长外，中文学习者种族背景的多样性也扩展了。二十多年前，L2学习者主要是高加索人。相比之下，最近的一项大规模调查发现，高加索人现在仅占学生团体的51％（Li等人2014）。中国遗产学生和来自亚裔美国人背景的学生占30％以上，来自拉丁美洲和非裔美国人背景的学生又占16％。遗产学习者中的一个特征是他们的语言背景和经验。以及学生团体的这些重大变化，学习中文的学习目标也在不断发展。与中国教育的迅速发展相反，对中文作为第一的研究以及其他语言的研究落后了。传统的目标，例如要上学和成为官方学家，已被语言的功能和工具使用以及中国文化和语言的能力取代（Comanaru and Noels 2009; Sung 2013; sung 2013; xie 2014; Xie 2014; Wen 2011; Wen and Piao 2020）。在回顾有关中文动机文献的当前状态时，WEN（2018）仅在详尽的搜索后才找到有关该主题的16项实证研究。自六十年前成立以来，只有五个中文教师协会（CLTA）专着就出版了。近年来，L2中国书籍实证研究的发展有了更多的发展（Everson and Shen 2010； Han 2014； Tao 2016； Wen 2012； Wen and Jiang 2019）和期刊。这些书和期刊中的文章提出了更严格的研究方法和更广泛的询问范围。然而，对汉语获取的研究，尤其是实证研究，是稀疏的，并且是一般语言习得的研究发展背后的滞后。缺乏对汉语获取的研究直接影响中文教学，这是一种障碍的缺乏效率，使学习并忽略了学生。需要在当前的研究发现中更新教师，以便进行有效的教学。什么决定课堂教学质量的是基于研究的学习者和学习过程的知识。知识渊博的讲师能够为学生选择适当的教学方法和教学条件。作者多归功于语言，这是一本主要的同行评审期刊，具有了解中文获取的急性要求要求对广泛的主题进行更多的实证研究，以审查中文学习和学习过程的本质。
使用大语模型的推理解决难题
探索大语模型（LLM）在解决难题中的能力（LLM）宣传对AI中潜在和挑战的洞察力，这标志着将其适用于复杂的重新执行任务迈出的重要一步。这项调查利用了独特的分类法 - 将难题分为基于规则和规则的类别 - 通过各种方法进行了严格的评估LLM，包括提示技术，神经符号符号和微调。通过对相关数据集和基准测试的批判性审查，我们评估了LLMS的性能，并在复杂的难题场景中确定了重大挑战。我们的发现突出了LLM功能和类似人类的推理之间的差异，尤其是在需要先进逻辑推断的推理的情况下。该调查强调了新型策略和更丰富的数据集的必要性，以提高LLMS的拼图解决能力，并有助于AI的逻辑推理和解决问题的问题。
2025中语 + AI机器人暑期学校
1989。他获得了德国杜伊斯堡大学的学士和硕士学位，并获得了德国柏林技术大学的医生学位。之后，他曾在MSE担任博士后研究员。他的研究兴趣包括非线性动态，机器人智能控制和机器人加工技术。他被授予博士后海外人才介绍计划，博士后面部基金和自然科学青年基金会。
ca ptklf语言和扫盲发展
大约有59％的儿童年龄在加利福尼亚五岁的儿童生活在使用英语以外的其他语言的家庭中。3个学习多种语言的孩子称为多语言学习者。越来越多的研究得出的结论是，多语言学习是一种可以极大地促进许多技能的优势，包括儿童的学术，认知，语言和社交技能。4儿童家庭语言发展也支持他们的英语发展，作为一种语言的强大基础，在学习另一种语言时会转移。5此外，鼓励儿童家庭语言发展支持他们积极的文化和语言身份发展，并加强与家人和社区的联系。6也是如此，除了美国英语一般英语以外的各种英语的孩子，例如非裔美国人英语或奇卡诺英语，他们以知识和技能来上学，以支持他们持续的学习和发展。7
控制长格式大语模型输出
近年来，大型语言模型的能力大大提高，因此提高我们对其产出的控制能力非常重要。在本论文中，我讨论了我制定的几种此类控制方案，从纯推理时间控制到基于填充的对准方法。i将首先讨论适用于非结构化自然语言生成的高度通用方法，包括称为Fudge [164]的推理时间控制方案以及基于加强学习的基于加强学习的鉴定AP-称为RLCD [169]。i接下来将讨论可以在更结构化的域（例如分子设计，程序合成和语义解析）中用于控制的更多专业方法[167，163]。最后，我将通过提示将我们的控制扩展到更长的输出（在数千个单词的范围内）在自动故事生成应用程序中，通过提示将我们的控制扩展到更长的输出[168，166]。
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：
具有单光子精度的可调谐单分子发光二极管
量子点发光二极管（QD-LED）是日常生活中使用的显示设备的例子。作为设备中使用的最新一代发光二极管（LED），量子点发光二极管（QD-LED）具有色域纯正（即颜色可通过尺寸调谐，半峰全宽（FWHM）约为几十纳米）[9]、与高清屏幕、虚拟/增强现实集成度高[4]、量子效率高、发射明亮[9]等特点，具有很好的应用潜力。自然而然，分子作为基本量子体系，启发人们只用一个分子来构造LED的概念，即单分子发光二极管（SM-LED）。它具有更高的原子经济性和集成度、通过精确有机合成可调的色纯度、可控的能带排列、避免分子间荧光猝灭等特点。[9]事实上，我们看到的物理世界就是由分子构成。因此，用单个分子作为显示像素最能体现现实世界，这也是显示器件的终极目标。然而，分子水平上的器件工程一直不是一项简单的任务。这种工程的典型例子是硅基微电子器件的小型化和摩尔定律的延续。[10]为此，通过自下而上的途径制备多功能分子器件是一种很有前途的策略。[11,12]受由单个D–σ–A分子组成的整流器的初始理论提议的推动[13]，各种功能性单分子器件，如场效应晶体管[14,15]、整流器[16,17]、开关[18,19]和忆阻器[20]，已通过长期优化功能分子中心、电极材料和界面耦合而不断改进。[11,12,21]