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World File Search System厚膜糊
厚 Al0.85Ga0 中的异常过量噪声行为。...
Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 由于其电子和空穴电离系数之间的比率非常大，因此作为 1550 nm 低噪声短波红外 (SWIR) 雪崩光电二极管 (APD) 的材料最近引起了广泛的研究兴趣。这项工作报告了厚 Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 PIN 和 NIP 结构的新实验过剩噪声数据，测得的噪声在比以前报告的乘法值高得多的倍增值下（F = 2.2，M = 38）。这些结果与经典的 McIntyre 过剩噪声理论不一致，该理论高估了基于该合金报告的电离系数的预期噪声。即使添加“死区”效应也无法解释这些差异。解释观察到的低过量噪声的唯一方法是得出结论，即使在相对较低的电场下，该材料中电子和空穴碰撞电离的空间概率分布也遵循威布尔-弗雷歇分布函数。仅凭电离系数的知识已不足以预测该材料系统的过量噪声特性，因此需要提取该合金的电场相关电子和空穴电离概率分布。
厚木、三泽和横田空军基地申请人须知 - Navy.mil
1. 报名的首要条件是，你必须符合“招募范围”。 招聘范围 I、II 和 III 针对现有基础员工，而 IV 针对外部申请人。 首先，检查哪个职位空缺类别适合您，然后按照职位空缺广告中的说明进行申请。 2. 每周三更新。此外，如果申请有中间截止日期，我们可能会在最终截止日期之前撤回该申请。 3. 基地内所有电话均为屏蔽号码。 此外，如果无法确认目的地电话号码，您将无法连接到 IP 电话。 请在职位空缺申请表中填写白天可以在基地内联系的电话号码，以便安排面试、录用通知等事宜。 4. 进入基地进行面试或其他检查时，您需要出示政府或地方政府颁发的有效带照片身份证明。 如果您是日本国民并申请在厚木空军基地工作，您必须具备以下条件之一： 1) 护照 2) 居民基本登记卡 (附有照片) 3) 个人编号卡 (附有照片) 4) 驾驶执照 + 打印证明书或者最近 3 个月内获得的、列有登记住址的居民登记卡 ※三泽空军基地：不需要居民登记卡 除上述以外，在三泽空军基地还可以使用以下材料。 5) 健康保险卡（如果您没有上面 1-4 中列出的带照片的身份证件） 6) 护照和居留卡（如果您是外国人，申请通行证时需要填写表格）如果您是外国人，您需要出示您的居留卡（如果您的申请正在等待审理，则无效）。 均在有效期内。 如果您有来自其他基地的 CAC，您可以用它作为身份证明，但如果没有护送您将无法进入。与其他人一样，您需要在通行证室领取宾客通行证。 不接受学生证、员工证等。 请注意，如果您在面试当天因缺少或不具备所需的身份证明而无法进入基地，您将错过面试机会，并且可能被视为失败。 请务必在所申请职位空缺广告的截止日期（或临时截止日期）前准备好相关证明。 有关居民基本登记卡的更多信息，请联系您所在的城市/区政府或行政中心。 5.前军人必须在工作申请中提交/附上 DD-214 的副本。退役美国军人必须提交“退役美国军人”中所示的所需文件（情况说明书：如何申请 MLC/IHA 工作，请访问 http://www.cnic.navy.mil/regions/cnrj/om/human_resources/fact_sheets.html 了解详情）
用mRNA编码的膜结合的HIV膜膜疫苗接种诱导动物模型中和中和抗体
。cc-by 4.0国际许可（未经Peer Review尚未获得认证）是作者/资助者，他已授予Biorxiv的许可证，以永久显示预印本。这是该版本的版权持有人，该版本发布于2025年1月25日。 https://doi.org/10.1101/2025.01.24.634423 doi：Biorxiv Preprint
金属 - UPM 数字档案
摘要：激光诱导正向转移 (LIFT) 技术已用于打印具有微米级颗粒 (1-4 µ m) 的高粘度 (250 Pa · s) 商用银浆。使用单个 ps 激光脉冲转移的体积像素 (体素) 相互重叠以获得连续的金属线。然而，连续体素之间的干扰问题是获得具有良好形貌的线条之前必须解决的主要问题。讨论了激光脉冲能量、供体糊剂膜厚度和连续体素之间距离对单个体素和线条形貌的影响。由于糊剂的粘度高，打印事件后供体膜中的空隙仍然存在，并且它对下一个激光脉冲的物理传输机制产生负面影响。当两个激光脉冲在短距离发射时，根本不会发生传输。只有当脉冲之间的距离足够长以避免干扰，但又足够短以允许重叠（≈ 100 µ m）时，才有可能在单个步骤中打印连续的线条。最后，所获得的知识使得银线的打印速度达到高速（高达 60 m / s）。
单厚 SrRuO3 层中的拓扑霍尔效应...
因此与磁场成正比。异常霍尔效应 (AHE) 与铁磁体中的磁化有关，磁化通常源于动量空间中的 Berry 相。[3] 然而，发现一种新型霍尔效应既不依赖于磁场也不依赖于磁化。它起源于标量自旋手性 χ ijk = S i × ( S j × S k )，由非共面或非共线自旋配置（例如螺旋、畴壁或 skyrmion）产生。[3,5,6] 当传导电子穿过非共面自旋结构时，会在实空间中产生量子力学 Berry 相，并与虚拟磁场相关。该场是这种特殊霍尔效应的起源，称为拓扑霍尔效应 (THE)。 [3] 在大多数情况下，THE 的形成是由非零的 Dzyaloshinskii–Moriya 相互作用 (DMI) 驱动的，这需要强自旋轨道耦合 (SOC) 的存在和反演对称性的破坏。因此，由 skyrmions 诱导的 THE 首次在非中心对称的 B20 化合物（如 MnSi、MnGe 和 FeGe）中观察到。[7–10] 由于拓扑自旋的存在，THE
在硅上的热生长和化学蒸气沉积膜的折射率曲线
由于仪器错误和软件限制，介电膜的折射率小于50 nm。在解决这个问题时，我们报告了椭圆测量Pro；可靠地评估折射率的可靠评估，以对沉积的各种热生长和化学蒸气，CVD，SI底物的介电膜，介电膜降低到约10 nm的厚度，并且我们在膜片界面界面上的当前了解的结果比较了结果。在所有研究的情况下，我们都发现界面区域在光学上与厚膜不同，并且精确的膜处理实质会改变界面区域的性质。-
海外技术信息（2024年12月27日发行）
- 芝加哥大学和Argonne国家实验室（ANL）开发了一种新技术，该技术将单晶钻石膜直接粘合到量子和电子技术中的各种材料，包括硅。 Diamond提供了无与伦比的特性，其电子技术具有宽带的带镜头，极好的热导率和介电强度，量子技术可在室温下进行出色的量子传感。但是，由于底物和生长层是同质材料，因此很难将不同材料直接积累到设备中，这需要使用大量钻石。在这项研究中，通过使用基于血浆激活的键合技术，我们通过确保钻石和载体基板的光滑表面成功地粘结了极其平坦的材料表面，准确的厚度和材料的原始材料质量。退火过程促进和加强粘结，从而使钻石膜能够承受各种纳米化过程。在钻石中，每个碳原子与其他四个碳原子之间的电子共价键形成其坚硬，耐用的内部结构。这次，通过在钻石膜的表面上创建许多悬挂的键（无伴侣的键），这是形成了对不同材料“粘合”的表面。结果，钻石膜直接粘合到诸如硅，融合二氧化硅，蓝宝石，热氧化物膜，尼贝特锂等的材料，而无需使用介体进行粘附。与厚度为数百微米的散装钻石（通常是在量子研究中使用的），而是合并了100 nm薄钻石膜，同时保持适合高级量子应用的自旋相干性。 - 这项新技术基于从1940年代开发的大型晶体管的互补金属氧化物半导体（CMOS）的进步，转至现代计算机等中使用的功能强大，精细的集成电路。 - 该技术已获得专利，现在已通过大学的波尔斯基企业家和创新中心进行商业化。这项研究得到了美国能源部（DOE）科学局（SC）的国家量子信息科学研究中心的支持，作为Q-Next中心的一部分。
稀释的三重和双抗生素糊的作用对牙髓干细胞并确定
抽象拷贝数变化（CNV）是染色体结构变化的主要类型，在包括癌症在内的许多疾病中起重要作用。由于基因组不稳定性，可以在癌症等疾病中检测到大量的CNV事件。因此，重要的是要识别疾病中功能上重要的CNV，目前仍对基因组学提出挑战。解决问题的关键步骤之一是定义CNV的影响。在本文中，我们提供了一种基于拓扑的潜在方法TPQCI，以通过整合统计，基因调节关联和生物学功能信息来量化这种影响。我们使用该指标来检测乳腺癌和多发性骨髓瘤中CNV基因组片段的功能富集基因，并发现受CNV影响的生物学功能。我们的结果表明，通过使用我们提出的TPQCI度量，我们可以检测到受CNV影响的疾病特异性基因。TPQCI的源代码在GitHub（https://github.com/usos/tpqci）中提供。
与厚印刷铜兼容的新型氮可燃铜镍厚膜浆料配方研究
摘要：本文重点介绍一种新型铜镍厚膜电阻浆料，该浆料专为实现低欧姆功率电阻而设计和实验开发。这种铜镍浆料设计用于厚印刷铜导体，与传统的钌基厚膜电阻浆料相比，可在氮气保护气氛中烧结。铜镍浆料由铜和镍微粒、玻璃粘合剂颗粒和有机溶剂组合制成，并针对在氮气气氛中烧结进行了优化。本文详细介绍了铜镍浆料的成分及其热性能（通过同步热分析验证）、干燥和烧结铜镍膜的形态描述以及最终印刷电阻的电参数。通过电子显微镜和元素分布分析证明，铜和镍微粒在烧结过程中扩散在一起并形成均匀的铜镍合金膜。该薄膜具有低电阻温度系数 ± 45 × 0 − 6 K − 1 和低薄层电阻值 45 m Ω /square。经验证，配制的铜镍浆料可氮烧，并且与厚印刷铜浆料具有良好的兼容性。这种组合允许实现直接集成低欧姆电阻器的功率基板。