XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System双槽
ddml：双/辩护机器学习
描述变量选择方法已被广泛开发用于分析频繁主义者和贝叶斯框架中的高级幻象数据。此软件包可以通过沿贝叶斯分层模型的线进行开发的尖峰和单位分位数（组）套索的实现，但通过使用预期 - 示数（EM）algorithm的频繁定期化方法深深地植根于频繁的正规化方法。与其非稳定替代方案（同样在包装中也实现）相比，Spike and-Slab tile lasso可以根据偏斜性和异常值来处理数据不规则性。此外，还以对高维纵向数据的分位数/最小平方不同的系数混合效应模型的形式进行了拟合尖峰和slab分位数套索及其非舒适对应的程序。此软件包的核心模块是在“ C ++”中开发的。
HC2X / HC5X 医疗保健配件指南
4 槽电池充电器替换杯，用于为 HC2X/HC5X 电池充电 • 用于在从 TC21/TC26 或 TC5x HC 迁移到 HC2X/HC5X 时更换单槽或多槽 ShareCradle 基座上的传统 TC21/TC26 或 TC5x HC 系列 4 槽电池充电器。 • 使用此 4 槽电池充电器杯进行转换时，多槽 ShareCradle 基座上最多只能安装一个杯。 • 应在 ShareCradle 基座上的相同位置更换 TC21/TC26 HC 烤面包杯，通常是面向底座时最左侧的插槽。
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：
空补处契约入札公告第149号- 令和6年9月6日
2024 年 9 月 6 日 — 防卫省大臣官房卫生监察长、防卫政策局局长、采购、技术与后勤局局长（以下简称“防卫省指派暂停局”）……规格等。单位。数量单价。金额。备注。长须贺宿舍浴缸更换。一套。1.以下是边距。三处税额……
应变锗双量子阱中的垂直栅极定义双量子点
硅锗异质结构中的栅极定义量子点已成为量子计算和模拟的有力平台。迄今为止，发展仅限于在单个平面中定义的量子点。在这里，我们提出通过利用具有多个量子阱的异质结构来超越平面系统。我们展示了应变锗双量子阱中栅极定义双量子点的操作，其中两个量子点都与两个储层进行隧道耦合，并发生平行传输。我们分析了与附近栅极的电容耦合，发现两个量子点都聚集在中央柱塞栅极下方。我们提取了它们的位置和大小，由此得出结论，双量子点垂直堆叠在两个量子阱中。我们讨论了多层器件的挑战和机遇，并概述了量子计算和量子模拟中的一些潜在应用。
quadrant 模块化电池模拟器
N9000是一款高实时、高同步、大功率超高集成度双象限模块化电池模拟器，由N9000测控机箱和多种模块组成。N9000为4U高、19-19英寸宽的标准机箱，支持插入电池模拟模块、程控电阻模块、高压电源模块等类型，机箱可集成10槽测控模块，模块间电气隔离。N9000系列支持本地/远程控制和同步触发功能，可实现多模块高速同步控制，广泛应用于多通道、高集成度、大功率的自动化测试测量场景。
SemEval-2015 任务 14：临床文本分析
我们描述了两个针对临床文本的任务：命名实体识别（任务 1）和模板槽填充（任务 2）。这两个任务利用 ShARe 语料库中的注释，该语料库包含带有注释的临床记录，提及的疾病以及它们对医学术语和八个附加属性的规范化。这两个任务的目的是确定临床命名实体识别方面的进展，并确定疾病模板槽填充的最新技术。任务 2 包含两个子任务：根据黄金标准疾病跨度进行模板槽填充（任务 2a）以及端到端疾病跨度识别和模板槽填充（任务 2b）。对于任务 1（疾病跨度检测和规范化），有 16 支队伍参加。最佳系统的严格 F1 得分为 75.7，准确率为 78.3，召回率为 73.2。对于任务 2a（给定黄金标准无序跨度的模板槽填充），有六支队伍参与。最佳系统的槽填充综合总体加权准确率为 88.6。对于任务 2b（无序识别和模板槽填充），有九支队伍参与。最佳系统的综合宽松 F（跨度检测）和总体加权准确率为 80.8。
生物医学和药物治疗
有限的文献可用于贝伐单抗暴露 - 响应关系，并且与最佳疾病控制相关的浓度阈值没有。这项对转移性结直肠癌（MCRC）患者的前瞻性观察性研究旨在在现实生活中评估BEV Acizumab通过稳态（C槽，SS）和疾病控制的浓度之间的关系。c槽，Ss绘制，硬币与反应的放射学评估（进展或临床益处）。 进行了广义估计方程（GEE）分析。 为了测试C槽，每个患者的SS之间的关联（OS）或无进展生存期（PFS），开发了COX比例危害模型。 数据包括50名贝伐单抗C槽，来自27名患者的SS。 GEE模型没有暗示贝伐单抗C槽，SS和临床益处之间的任何正相关（OR 0.99，95％CI：0.98 - 1.02，p = 0.863）。 COX回归显示出较高的中值C槽，SS具有更好OS的SS（HR 0.86，95％CI：0.73 - 1.01，P = 0.060），但与PFS没有。 我们无法确认Bevacizumab c槽，SS和临床益处之间的关系，但这是第一项试图显示MCRC中贝伐单抗C槽，SS和疾病控制之间关系的现实研究。 它以较小的样本量进行，从而降低了证据水平。 需要进一步控制足够数量的患者的随机研究。c槽，Ss绘制，硬币与反应的放射学评估（进展或临床益处）。进行了广义估计方程（GEE）分析。 为了测试C槽，每个患者的SS之间的关联（OS）或无进展生存期（PFS），开发了COX比例危害模型。 数据包括50名贝伐单抗C槽，来自27名患者的SS。 GEE模型没有暗示贝伐单抗C槽，SS和临床益处之间的任何正相关（OR 0.99，95％CI：0.98 - 1.02，p = 0.863）。 COX回归显示出较高的中值C槽，SS具有更好OS的SS（HR 0.86，95％CI：0.73 - 1.01，P = 0.060），但与PFS没有。 我们无法确认Bevacizumab c槽，SS和临床益处之间的关系，但这是第一项试图显示MCRC中贝伐单抗C槽，SS和疾病控制之间关系的现实研究。 它以较小的样本量进行，从而降低了证据水平。 需要进一步控制足够数量的患者的随机研究。进行了广义估计方程（GEE）分析。为了测试C槽，每个患者的SS之间的关联（OS）或无进展生存期（PFS），开发了COX比例危害模型。数据包括50名贝伐单抗C槽，来自27名患者的SS。GEE模型没有暗示贝伐单抗C槽，SS和临床益处之间的任何正相关（OR 0.99，95％CI：0.98 - 1.02，p = 0.863）。COX回归显示出较高的中值C槽，SS具有更好OS的SS（HR 0.86，95％CI：0.73 - 1.01，P = 0.060），但与PFS没有。我们无法确认Bevacizumab c槽，SS和临床益处之间的关系，但这是第一项试图显示MCRC中贝伐单抗C槽，SS和疾病控制之间关系的现实研究。它以较小的样本量进行，从而降低了证据水平。需要进一步控制足够数量的患者的随机研究。
通函编号 314-01-1255c，日期为 2019 年 8 月 21 日
C — 双面焊缝，带刨槽；D — 双面焊缝，不带刨槽；TW — 全熔透 T 型焊缝；FW — 角焊缝；ss — 单面焊（单面焊接）；bs — 双面焊接；nb — 无衬垫焊接；mb — 有衬垫焊接；gb — 气体衬垫焊接；gg — 焊接时背面刨槽或焊缝背面打磨；ng — 焊接时不（无）背面刨槽或不（无）焊缝背面打磨。".