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World File Search System双通道
DNA修复缺陷的癌症协会与整个 小分子认知增强子逆转小鼠年龄相关的记忆下降 SSVEP在感知填充过程中追踪注意力而不是意识 果蝇中的Znf基因 剖析p63和p53 的DNA结合景观和基因调节网络 双通道图像注册和深
抽象的广场荧光显微镜用于监测大脑神经元种群的峰值。广场荧光可以起源于皮质中所有深度的指标分子，而索马塔，树突和轴突的相对贡献通常是未知的。在这里，我模拟了广场照明和荧光收集，并确定几种GCAMP小鼠系的荧光的主要来源。散射强烈影响照明和收集。一个结果是，照明强度最大〜300-400 m以下，而不是在大脑表面。另一个是从皮质深处的荧光可能延伸到脑表面3–4 mm的直径，严重限制了横向分辨率。在许多小鼠线中，有助于荧光的组织体积延伸到大多数表面位置的整个皮层和荧光深度是多个皮质柱的加权平均值，通常是一个以上的皮质区域。
NSI8020/NSI8021：高可靠性双通道数字...
NSI802x器件是高可靠性双通道数字隔离器。NSI802x器件通过UL1577安全认证，支持3kV rms绝缘耐压，同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。NSI802x的数据速率高达10M bps，共模瞬态抗扰度（CMTI）高达1 0 0kV / us。NSI802x器件提供数字通道方向配置和输入电源丢失时的默认输出电平配置。NSI802x器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接，易于进行电平转换。高系统级EMC性能增强了使用的可靠性和稳定性。
双通道芯片冷却建模与优化...
摘要 — 未来处理器预计将具有超高功率密度，而传统的冷却解决方案无法有效缓解这一问题。使用带有微柱芯蒸发器的两相蒸汽室 (VC) 是一种新兴的冷却技术，可通过冷却剂的蒸发过程有效去除高热通量。带有微柱芯的两相 VC 利用毛细管驱动流提供高冷却效率，其中冷却剂由芯吸结构被动驱动，从而无需外部泵。此类新兴冷却技术的热模型对于评估其对未来处理器的影响至关重要。现有的两相 VC 热模型使用计算流体动力学 (CFD) 模块，这需要较长的设计和仿真时间。本文介绍了一种快速、准确的带有微柱芯的两相 VC 紧凑热模型。与 CFD 模型相比，我们的模型实现了 1.25 ◦ C 的最大误差，速度提高了 214 倍。使用我们提出的热模型，我们构建了一个优化流程，选择最佳冷却解决方案及其冷却参数，以在给定处理器和功率分布的温度约束下最小化冷却功率。然后，我们在不同的芯片尺寸和热点分布上演示了我们的优化流程，以在 VC、基于微通道的两相冷却、通过微通道的液体冷却以及热电冷却器和微通道液体冷却的混合冷却技术中选择最佳冷却技术。
迈向双通道和三通道电气架构...
近年来，多电动飞机 (MEA) 概念经历了重大发展和改进，力求在一系列飞行场景下降低噪音和二氧化碳排放、提高电力传输效率和提高可靠性。多电动发动机 (MEE) 越来越多地被视为 MEA 的关键补充系统。通过这一概念，传统的发动机辅助系统（即燃油泵、油泵、执行器）将被电动等效系统取代，为飞机和发动机电力系统优化和管理提供更大的空间。这一概念与从多个发动机转子中提取电力相结合，还可能显著节省燃油。迄今为止，发动机和飞机已使用单通道或双通道发电和配电系统。然而，随着飞行关键发动机辅助设备的电气化程度不断提高以及对更大负载传输灵活性的要求，应考虑采用三通道架构。
NSi8120/NSi8121/NSi8122：高可靠性双通道...
配置和输入电源丢失时的默认输出电平配置。NSi812x 器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接，易于进行电平转换。高系统级 EMC 性能提高了使用的可靠性和稳定性。为 3.75kV 部件提供 AEC-Q100（1 级）选项。
pH7Q 双通道
急救 紧急情况下，请致电毒物控制中心或医生寻求治疗建议。致电毒物控制中心或医生，或前往治疗时，请携带产品容器或标签。 如进入眼睛：睁开眼睛，用水缓慢轻轻冲洗 15-20 分钟。如有隐形眼镜，5 分钟后取下，然后继续冲洗眼睛。 如接触皮肤：脱掉受污染的衣物。立即用大量水冲洗皮肤 15-20 分钟。 如吞咽：如果可以吞咽，让患者小口喝一杯水。除非毒物控制中心或医生告诉您，否则不要催吐。不要给昏迷者口服任何东西。立即致电毒物控制中心或医生寻求治疗建议。 如吸入：将患者移至空气新鲜处。如果患者没有呼吸，请拨打 911 或救护车，然后进行人工呼吸，如果可能，最好是口对口人工呼吸。医生提示：可能存在的粘膜损伤使得洗胃疗法不适用。
零售服务双通道供应链的数量领导
Electronic version of an article published as Asia-Pacific Journal of Operational Research, 37(2), 2020, 2050005, Article DOI: 10.1142/S0217595920500050, © World Scientific Publishing Co. & Operational Research Society of Singapore, Journal URL: https://www.worldscientific.com/worldscinet/apjor
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强系统级 ESD 可靠性数据手册 (Rev. A)
表 1. 参数 符号 最小值典型值最大值 单位 测试条件 直流规格 输入电源电流，每通道，静态 I DDI (Q) 0.4 0.8 mA 输出电源电流，每通道，静态 I DDO (Q) 0.5 0.6 mA ADuM3200，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.3 1.7 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.0 1.6 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅限 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 3.5 4.6 mA 5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (10) 1.7 2.8 mA 5 MHz 逻辑信号频率25 Mbps (仅 CR 级) V DD1 电源电流 I DD1 (25) 7.7 10.0 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 3.1 3.9 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 ADuM3201，总电源电流，双通道 1 DC 至 2 Mbps V DD1 电源电流 I DD1 (Q) 1.1 1.5 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (Q) 1.3 1.8 mA DC 至 1 MHz 逻辑信号频率 10 Mbps（仅 BR 和 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (10) 2.6 3.4 mA 5 MHz 逻辑信号频率V DD2 电源电流 I DD2 (10) 3.1 4.0 mA 5 MHz 逻辑信号频率 25 Mbps（仅 CR 级） V DD1 电源电流 I DD1 (25) 5.3 6.8 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 V DD2 电源电流 I DD2 (25) 6.4 8.3 mA 12.5 MHz 逻辑信号频率 所有型号输入电流 I IA , I IB −10 +0.01 +10 μA 0 V ≤ V IA , V IB ≤ V DD1 或 V DD2 逻辑高输入阈值 V IH 0.7（V DD1 或 V DD2 ）
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强型系统级 ESD 可靠性数据表 (Rev. A)
1 当以相同的数据速率运行时，两个通道的电源电流值相加。输出电源电流值是在没有输出负载的情况下指定的。可以按照功耗部分所述计算以给定数据速率运行的单个通道的电源电流。有关每个通道电源电流在空载和负载条件下与数据速率的关系的信息，请参见图 6 至图 8。有关 ADuM3200 和 ADuM3201 通道配置的总 I DD1 和 I DD2 电源电流与数据速率的关系，请参见图 9 至图 11。
ADuM3200/ADuM3201 双通道数字隔离器增强型系统级 ESD 可靠性数据表 (Rev. A)
1 当以相同的数据速率运行时，两个通道的电源电流值相加。输出电源电流值是在没有输出负载的情况下指定的。可以按照功耗部分所述计算以给定数据速率运行的单个通道的电源电流。有关每个通道电源电流在空载和负载条件下与数据速率的关系的信息，请参见图 6 至图 8。有关 ADuM3200 和 ADuM3201 通道配置的总 I DD1 和 I DD2 电源电流与数据速率的关系，请参见图 9 至图 11。