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利用亚带隙激发飞秒激光剥离技术生产独立 GaN 发光二极管芯片
激光剥离 (LLO) 通常用于将功能薄膜与下面的基板分离，特别是将基于氮化镓 (GaN) 的发光二极管 (LED) 从蓝宝石中分离出来。通过将 LED 层堆栈转移到具有定制特性的外来载体（例如高反射表面），可以显著提高光电器件的性能。传统上，LLO 是使用纳秒级的紫外激光脉冲进行的。当指向晶圆的蓝宝石侧时，蓝宝石/GaN 界面处的第一层 GaN 层吸收脉冲会导致分离。在这项工作中，首次展示了一种基于 520 nm 波长的飞秒脉冲的 LLO 新方法。尽管依赖于亚带隙激发的双光子吸收，但与传统的 LLO 相比，超短脉冲宽度可以减少结构损伤。在详细研究激光影响与工艺参数的关系后，我们开发了两步工艺方案，以制造边长可达 1.2 毫米、厚度可达 5 微米的独立 InGaN/GaN LED 芯片。通过扫描电子显微镜和阴极发光对分离的芯片进行评估，结果显示 LLO 前后的发射特性相似。
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• 预付对价 6.3 亿美元（4.85 亿英镑） • 根据 24/25 年的财务绩效指标，递延要素最高可达 5300 万美元（4080 万英镑） • 根据 2024 年预期 EBITDA 3500 万美元（2700 万英镑），相当于 18 倍，若考虑运行成本协同效应，则低于 14 倍
紧凑型除湿机 VICTORY PLUS 系列 - Bryair
* PTC 加热器，最高可达 Victory plus 420 型号。 * 显示气流百分比 * 所有操作均使用 PLC 自动化。 * 功耗 * 仅从操作侧访问和维护组件。 * 输出：3 x 0…..10V（额外；控制阀，SCR） * 可拆卸适配器板上的插口，便于在入口处连接 * 用于可变工艺空气流量的 PID 调节器
nvidia mlnx_ofed文档v24.01-0.3.3.1
nvidia（mlnx_ofed）是ofed的NVIDIA测试和包装版本，并使用相同的RDMA（远程DMA）和核旁路APIS支持两种互连类型，称为Infiniband和Ethernet。最多可达400GB/s Infiniband和ROCE（基于RDMA，基于RDMA），并支持启用OEM和系统集成商，以满足上述市场中最终用户的需求。
技术数据表版本 S21 AI-1870
描述和应用 AI-1870 是一种专为电弧喷涂而制造的高铬表面硬化焊丝。这种材料可产生坚硬、耐磨和耐腐蚀的涂层。这种焊丝具有长时间使用后硬度增加的独特性能。最高可达 927°C (1700°F) 的工作环境。传统的研磨和研磨技术可提供高铬表面效果。
remus 300m - C51 系统支持 - HII
通过增加模块化，REMUS 300 可以根据不同的任务进行重新配置，从 107 磅的远征配置到 155 磅的长续航配置。REMUS 300 有 1.5、3.0 或 4.5 kWh 锂离子电池部分可供选择，续航时间可达 10、20 或 30 小时。盲配端盖允许在任务期间进行现场电池更换。
2023-2028 年战略计划
委员会由五名委员组成，每名委员均由总统任命，并经参议院建议和同意，任期为六年。委员任期届满后可继续任职，最长可达一年或直到确定继任者。同一政党的委员不得超过三名。总统指定一名委员担任主席。主席指导委员会的所有行政和行政职能。
电池管理系统 (BMS)
电池管理系统 (BMS) 可提高性能并确保由多个电池组成的电池组的安全性。功能安全至关重要，因为锂离子电池在其安全操作区域之外运行时会带来重大安全隐患。这就是为什么我们的 BMS 产品组合在焊接和老化后提供高测量精度，并额外支持 ISO 26262，最高可达 ASIL D 功能安全能力。
