该项目的目的是开发和演示一种自热气化中试规模工艺,通过一系列步骤将森林生物质转化为超清洁、管道质量的可再生气体。项目团队利用位于加州大学河滨分校环境与研究技术中心的 Taylor Energy 中试规模生物质气化测试设施,结合创新的脉冲爆震声能来强化气化过程。开发了一种森林生物质转化为合成气的工艺,以经济地生产管道质量的可再生气体,项目团队演示了关键子系统,以推进气化/重整技术的最新发展,生产用于升级为可再生气体的合成气(合成气)。
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研究了生物质与氧化铁的太阳能气化,用于合成气和铁的生产。太阳能和生物质都是很有前途的可再生能源。气化过程将固体碳质原料转化为燃料或化学品。然而,传统工艺需要原料的部分燃烧来供应能量,并且由于燃烧产物的稀释,固有的氧气生产成本高,合成气热值低。使用固体氧化物的化学循环气化是解决这些问题的另一种选择。通过提供集中的太阳能作为高温热源,可以从该过程中生产出更多的合成气,同时能够将太阳能储存成可调度的燃料。这项工作提出探索在高加热速率下在氧化铁上进行太阳能生物质气化,这代表了太阳能反应器中获得的条件。计算了 100 至 1,500 ◦ C 之间气化反应的热力学平衡,并报告了使用专门设计的感应炉在 1,100 ◦ C 下以氧化铁、水或二氧化碳作为氧化剂进行生物质气化的实验结果。固体产物分析表明,氧化铁可以根据氧载体的比例还原为金属铁。这些结果表明,氧化铁是一种有效的太阳能生物质气化材料,可通过一种新颖的绿色冶金工艺同时生产合成气和铁。
德克萨斯大学奥斯汀分校微电子研究中心,美国德克萨斯州奥斯汀 78758 电话:(512) 471-1627,传真:(512) 471-5625,电子邮件:k-onishi@mail.utexas.edu 摘要 研究了合成气体 (FG) 退火对 HfO 2 MOSFET 性能的影响。结果表明,高温 (500-600°C) FG 退火可显著改善 N 和 PMOSFET 的载流子迁移率和亚阈值斜率。这种改善与界面态密度的降低有关。还在 HfO 2 沉积之前用 NH 3 或 NO 退火进行表面处理的样品上检查了 FG 退火的有效性。结果发现,FG 退火不会降低 PMOS 负偏置温度不稳定性特性。