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德克萨斯大学奥斯汀分校微电子研究中心，美国德克萨斯州奥斯汀 78758 电话：(512) 471-1627，传真：(512) 471-5625，电子邮件：k-onishi@mail.utexas.edu 摘要 研究了合成气体 (FG) 退火对 HfO 2 MOSFET 性能的影响。结果表明，高温 (500-600°C) FG 退火可显著改善 N 和 PMOSFET 的载流子迁移率和亚阈值斜率。这种改善与界面态密度的降低有关。还在 HfO 2 沉积之前用 NH 3 或 NO 退火进行表面处理的样品上检查了 FG 退火的有效性。结果发现，FG 退火不会降低 PMOS 负偏置温度不稳定性特性。
高温合成气体退火对HfO2的影响...
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