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World File Search System同素异形
高通量计算筛选具有单斜对称性的新型硅同素异形体
采用随机策略结合群论、图论和高通量计算，系统地扫描了共87种新的单斜硅同素异形体。新的同素异形体中，13种具有直接或准直接带隙，12种具有金属特性，其余为间接带隙半导体。这些新型单斜硅同素异形体中有30多种表现出大于或等于80 GPa的体积模量，其中3种表现出比金刚石硅更大的体积模量。只有两种新的硅同素异形体表现出比金刚石硅更大的剪切模量。详细研究了所有87种Si单斜同素异形体的晶体结构、稳定性（弹性常数、声子谱）、力学性能、电子性能、有效载流子质量和光学性能。五种新的同素异形体的电子有效质量ml小于金刚石硅的电子有效质量。所有这些新型单斜硅同素异形体在可见光谱区都表现出强吸收。结合它们的电子带隙结构，这使它们成为光伏应用的有前途的材料。这些研究极大地丰富了目前对硅同素异形体的结构和电子特性的认识。
碳同素异形 - VCU技术转移
该路线图采用拓扑组装的前体（TAP）的技术，通过三个步骤可以阻止访问基态或其他异构体：（1）将所需结构的原子，结构和局部对称性的前体分子选择（2），然后将其选择为不同的拓扑组成。这是通过将前体单元限制在受约束的超晶格中并控制其整体取向以诱导相邻单元某些原子节点之间的连通性来实现的。（3）然后使用密度功能理论将这些拓扑组件放松到其最近的势能表面临界点。已提出了该路线图的使用，用于合成仅由五角大碳组成的五烯 - 五甲基 - 3,3-二甲基-1-丁烯（C 6 H 12）。理论计算表明，该碳多晶型物在动态和机械上是稳定的，耐温度高达1000 K，具有超高的理想强度，可以优于石墨烯，并且具有内在的准准级带隙，最大为3.25 eV。